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最新专利技术
  • 低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法
    低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202511203149.4
    本发明涉及半导体行业超大规模集成电路制造技术领域，具体提供一种低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法。旨在解决现有技术中针对界面缺陷的优化方法仍存在工艺复杂度高、成本增加或效果有限等问题。为此，本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法...
    2025-12-24
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511118016.7
    本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括从衬底突出并沿第一横向方向延伸穿过衬底的半导体鳍。半导体结构包括设置在衬底上的多个栅极结构，其中每个栅极结构沿垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸。半导体结构包括设置在栅极结构上方的栅...
    2025-12-24
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410708119.8
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包括多个元件单元，其中元件单元包括一第一元件单元。第一元件单元包括一基板、一栅极电极层、一第一通道层以及2个空气间隙。基板包括2个源极/漏极区及一栅极区。栅极区设置于2个源极/漏极区之间。...
    2025-12-24
  • 芯片电池及其制备方法
    芯片电池及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511612900.6
    本申请提供了一种芯片电池及其制备方法，属于半导体技术领域，其包括衬底、n个电容结构和n‑1个常开型开关管，n≥2，电容结构位于衬底上，常开型开关管的至少部分位于衬底上；其中，第一个电容结构并联在一负载上，第i个电容结构与第i‑1个常开型开关...
    2025-12-24
  • 桥臂结构及其制备方法
    桥臂结构及其制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511188454.0
    本申请涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种桥臂结构及其制备方法。该桥臂结构至少包括：供电电源，桥臂电阻，以及与所述桥臂电阻连接的开管器件，所述开关器件至少包括由下及上依次堆叠的：集电极；相互贴合平铺于所述集电极表面的P型柱和N型柱；其中，所...
    2025-12-24
  • 包括氮化镓功率晶体管的单片式组件
    包括氮化镓功率晶体管的单片式组件_意法半导体应用有限公司_202511185073.7
    本公开涉及包括氮化镓功率晶体管的单片式组件。单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。
    2025-12-24
  • 用于双极结晶体管(BJT)的半导体加工集成
    用于双极结晶体管(BJT)的半导体加工集成_德州仪器公司_202510610948.7
    本公开大体上涉及用于双极结晶体管BJT的半导体加工集成。在一实例中，一种半导体装置包含半导体衬底(102)、双极结晶体管BJT、场效应晶体管FET和复合结构。所述半导体衬底(102)包含BJT区(104)、互补FET(CFET)区(110、...
    2025-12-24
  • 形成半导体装置结构的方法
    形成半导体装置结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511087999.2
    本揭露的各种实施例提供一种用于形成半导体装置结构的方法。方法包括在两个相邻鳍片结构之间形成沟槽，鳍片结构各个包含交替堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层，移除每一鳍片结构中的第二半导体层以形成第一空腔，用牺牲介电层填充第一空腔，移除每一...
    2025-12-24
  • 改善HCI效应的半导体结构及其制作方法
    改善HCI效应的半导体结构及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511598774.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善HCI效应的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供基底，包括依次叠置的半导体衬底、衬底氧化层和硬掩膜层；半导体衬底中形成有与栅极位置相对应的浅沟槽；刻蚀去除衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的端部，刻蚀后衬...
    2025-12-24
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511203753.7
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供衬底，包括第一区和第二区，第一区及第二区均包括栅极结构、掩模层、第一氧化层及第一氮化层；形成牺牲材料层覆盖衬底表面，暴露部分高度的栅极结构，去除第一区及第二区上的栅极结构顶部的第一氮...
    2025-12-24
  • 一种光伏模块封装装置及其制作方法
    一种光伏模块封装装置及其制作方法_江苏全芯微半导体有限公司_202511175966.3
    本发明公开了一种光伏模块封装装置及其制作方法，包括：底板组件、电容、IC芯片和框架主体，底板组件包括绝缘底板和导电端子，导电端子呈片状，包括上表面和下表面，该导电端子水平铺设于绝缘底板上，导电端子下表面与绝缘底板接触并连接，导电端子上设置有...
    2025-12-24
  • 一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块
    一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块_贵州振华风光半导体股份有限公司_202511068160.4
    本发明提供了一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块，包括功率基板、驱动基板以及封装外壳；封装外壳包括容纳功率基板和驱动基板的主腔室，功率基板固定在封装外壳的底板上，驱动基板安装在封装外壳的侧壁并与功率基板平行，将主腔室分割为包括功率基板的...
    2025-12-24
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410674366.0
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中半导体元件包含一栅极结构，栅极结构由下而上包含一栅极绝缘层、一第一阻障层以及一栅极导电层。栅极绝缘层设置于一基底上，第一阻障层设置于栅极绝缘层上，其中第一阻障层包含一过渡金属氮化物，且第一阻障层邻近...
    2025-12-24
  • 一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法
    一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法_江苏东海半导体股份有限公司_202511043956.4
    本发明公开了一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法，具体涉及SiC制备技术领域，包括：第一导电类型衬底，其表面边缘5～10mm区域内设有同心圆排布的正六边形凹槽；第一导电类型缓冲层，填充凹槽的缓冲层填充衬底凹槽区域，凹槽侧面为SiC晶体...
    2025-12-24
  • 具有复合缓冲层的半导体芯片及其制备方法
    具有复合缓冲层的半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510928056.1
    本公开公开了一种具有复合缓冲层的半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片，包括依次叠设的衬底、复合缓冲层和半导体层；所述复合缓冲层包括N极性GaN层、AlN插入层和Ga极性GaN层，所述N极性GaN层、所述AlN插入层和所述...
    2025-12-24
  • 一种宽禁带半导体器件及其制备方法
    一种宽禁带半导体器件及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511262166.5
    本申请公开了一种宽禁带半导体器件及其制备方法，可用于半导体领域，该器件包括：沿第一方向依次堆叠的衬底、第一电荷平衡区、第二电荷平衡区、第三电荷平衡区以及源极；第一电荷平衡区包括沿第二方向交替分布的第一P型调制区和第一N型调制区；第二方向垂直...
    2025-12-24
  • 一种超结终端结构及其制备方法
    一种超结终端结构及其制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202511162862.9
    本发明提供一种超结终端结构及其制备方法，超结终端结构中第二导电类型终端区柱的柱宽及柱间距先增大后减小；第二导电类型离子注入阱、第二导电类型终端主结分别在第二导电类型有源区柱和第二导电类型过渡区柱上方。本发明设置非均匀分布的第二导电类型终端区...
    2025-12-24
  • 边缘终端结构
    边缘终端结构_安世有限公司_202510681470.7
    本公开涉及一种适合于MOSFET晶体管的边缘终端结构，特别是在功率应用中。一种边缘终端结构，所述边缘终端结构适合于所述MOSFET晶体管，包括多个平行的条状物(1)、和至少一个屏蔽氧化物填充的沟槽SOTR(6)，其中所述SOTR(6)垂直于...
    2025-12-24
  • 绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
    绝缘栅双极型晶体管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410658740.8
    本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，IGBT包括：集电区；缓冲区，位于所述集电区上；漂移区，位于所述缓冲区上；体区，具有第二导电类型，至少部分位于所述漂移区上；发射区，具有第一导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类...
    2025-12-24
  • 碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法
    碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410653784.1
    本发明涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法，所述碳化硅肖特基势垒二极管包括：衬底，具有第一导电类型；第一外延层，具有第一导电类型，位于所述衬底上方；第二外延层，具有第一导电类型，位于所述第一外延层上，且掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂...
    2025-12-24
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