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最新专利技术
  • 绝缘体上硅LDMOS器件及其制造方法
    绝缘体上硅LDMOS器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511156612.4
    本发明提供一种绝缘体上硅LDMOS器件及其制造方法。该器件包括具有圆形版图布局的单元胞，单元胞包括：位于中心的漏极区、环绕该漏极区的圆环形有源区、用于电连接的漂移区、设置于该圆环形有源区内的圆环形栅极、体阱、以及形成于该体阱内的圆环形源极区...
    2025-12-25
  • 一种集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法
    一种集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法_西安龙飞电气技术有限公司_202511147078.0
    本发明公开了一种集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该器件包括自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层和外延层；其中，外延层中设置有竖向间隔排列的多个超结柱，每个超结柱的上方设置有body区；body区的表层设置有...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制备方法和电子设备
    半导体结构及其制备方法和电子设备_北京超弦存储器研究院_202410718337.X
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域。该结构包括：第一源/漏极，位于基底上；沟道区，位于第一源/漏极的顶表面；栅介质层，位于第一源/漏极的顶表面，环绕沟道区，包括一体连接的竖直部和伸出部，竖直部垂直于基底，伸...
    2025-12-25
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202511028162.0
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低在半导体器件的正面进行布线的难度，利于实现半导体器件的面积缩减和性能提升。所述半导体器件包括：基底、第一晶体管、第一隔离结构和源漏接触结构。第一晶体管设置于基底的...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510228129.6
    本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底，多个鳍片，多个鳍片包括第一鳍片和第二鳍片，隔离区，伪栅，以及掩模层，位于伪栅上并且具有开口；利用掩模层对伪栅执行截断工艺，去除伪栅的一...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411667635.7
    本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：衬底；位于衬底上的鳍片结构，所述鳍片结构包括：在第一方向上延伸且在不同于所述第一方向的第二方向上间隔开的两根鳍片，以及位于所述两根鳍片之间且与所述两根鳍片连接的第...
    2025-12-25
  • 一种基于铪铝氧超薄匹配层薄膜的超低亚阈值摆幅晶体管及其制备方法
    一种基于铪铝氧超薄匹配层薄膜的超低亚阈值摆幅晶体管及其制备方法_华中科技大学_202511558031.3
    本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种基于铪铝氧超薄匹配层薄膜的超低亚阈值摆幅晶体管及其制备方法，本发明通过精确调控铁电层厚度、匹配层厚度等参数，可以实现电容的最佳匹配，从而在降低功耗的同时，进一步提升器件的驱动能力和开关速度。在保证铁电薄...
    2025-12-25
  • 一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法
    一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法_西安电子科技大学_202511298343.5
    本发明涉及一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法，器件结构包括：衬底、外延区、深隔离阱、离子注入阱、源区、漏区、隔离区、体区、地区、源极金属、漏极金属、隔离区电极金属、体极金属、地区电极金属、栅氧化层和栅电极；外延区位于衬底...
    2025-12-25
  • 一种双向开关MOSFET器件及其制造方法
    一种双向开关MOSFET器件及其制造方法_杭州唯美地半导体有限公司_202511283075.X
    本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种双向开关MOSFET器件及其制造方法。本发明的器件具有两个漏极，在双向导通模式下，两个MOSFET的栅极同时施加足够的驱动电压，沟槽底部沟道形成，一个漏极接高电位，另一个漏极接低电位，电子从一个漏极出...
    2025-12-25
  • 一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法
    一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法_汇能微电子技术(深圳)有限公司_202511235733.8
    本发明公开了一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件和制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括半导体衬底、有源区和栅极区，有源区形成于半导体衬底的表面，栅极区位于有源区的上方；有源区内设置有漏极和源极，一侧的漏极通过正向金属电极电连接至芯片...
    2025-12-25
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511657784.X
    本发明涉及一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件及其制备方法中，接触区可以将栅极沟槽处的高电场引到接触区下侧设置的第一柱状结构，由于第一柱状结构由源极沟槽向衬底方向延伸，电流会从接触区传至第一柱状结构，使得接触区与外延结构...
    2025-12-25
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_广东芯粤能半导体有限公司_202511631108.5
    本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，并于衬底的顶面依次形成外延层及有源层；于有源层内形成沿平行衬底方向排布的第一阱区及第二阱区；形成第一源极及第二源极，第一源极位于第一阱区内，第二源极位于第二阱区内；形成位于...
    2025-12-25
  • 一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法
    一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法_扬杰科技(无锡)有限公司_202511300901.7
    一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明沟槽MOSFET通过在相邻栅极沟槽之间增设源极沟槽及配套结构，构建了新的电流通路。在反向续流时，传统沟槽MOSFET的电流需全部经体二极管流通，而该结构中，源极沟槽内...
    2025-12-25
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_杭州士兰集成电路有限公司_202511230059.4
    本发明提供了一种功率器件及其制备方法，其中功率器件的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，并在第一衬底上依次生长氮化物层和外延层，外延层的第一表面位于氮化物层上，氮化物层包括氮化硼层；提供临时键合片，并将外延层的第二表面与临时键合片键合；去除...
    2025-12-25
  • 一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法
    一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511214560.1
    本发明提供一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法，该方法先在衬底中形成开口宽度自上而下逐渐增大的沟槽，之后形成介质填充部于沟槽中，并形成凹槽于介质填充部中以得到屏蔽栅介质层，其中，位于沟槽侧壁的屏蔽栅介质层的厚度自上而下逐渐增大，位于沟槽底...
    2025-12-25
  • 一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用
    一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用_东南大学_202511213619.5
    一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用，在衬底表面预先沉积碘化铅薄膜作为掺杂层，将二维半导体材料转移至所述碘化铅薄膜的表面，形成垂直异质结构；用于通过界面掺杂实现对所述二维半导体材料载流子类型及浓度的调控。本发明与传统离子注入或...
    2025-12-25
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186967.8
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，在制备方法中，通过回刻蚀露出一定高度的第一多晶硅层，然后利用两次热氧化工艺将一定高度的第一多晶硅层氧化成隔离氧化层，将剩余的第一多晶硅层埋入场氧化层和隔离氧化层中，构成屏蔽栅，最后在屏蔽...
    2025-12-25
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186910.8
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，在制备方法中，通过多次热氧化和回刻蚀工艺，将源极多晶硅层设计成T型并且将部分第二多晶硅层热氧化为隔离氧化层，最后在源极多晶硅(源极/屏蔽栅)顶部的隔离氧化层和第一沟槽侧壁上的隔离氧化层之...
    2025-12-25
  • 形成半导体结构及场效晶体管的方法
    形成半导体结构及场效晶体管的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511120823.2
    一种形成半导体结构及场效晶体管的方法。半导体结构可以通过以下方式形成：在基板上方形成多个半导体纳米线，其中半导体纳米线及基板通过间隙彼此垂直间隔开，且其中半导体纳米线通过支撑结构悬挂在基板上方；执行一系列的多个处理步骤的至少两迭代，处理步骤...
    2025-12-25
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511065495.0
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：在部分有源区的表面形成栅极，在浅沟槽隔离结构的表面形成多个间隔设置的条状多晶硅，多个条状多晶硅与栅极在第一方向上间隔设置，多个条状多晶硅与栅极均沿着第二方向延伸；形成第一介质层；在第一介质层内形成...
    2025-12-25
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