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最新专利技术
  • 二阶IIR滤波器
    二阶IIR滤波器_美新半导体(无锡)有限公司_202511366150.9
    本发明提供一种二阶IIR滤波器，其包括二阶IIR滤波单元、控制单元和输出单元。控制单元根据输入信号的频率信息确定是否需要更新所述滤波器系数，在需要更新所述滤波器系数时基于输入信号的频率信息计算得到最新的滤波器系数，并将最新的滤波器系数提供给...
    2026-02-13
  • 一种阻抗变换器及应用其的超宽带功率放大器
    一种阻抗变换器及应用其的超宽带功率放大器_南京普能通讯科技有限公司_202511571535.9
    本发明属于宽带功率放大器领域，尤其涉及一种宽带阻抗变换器。本发明包括：输入阻抗变换器、输入匹配、驱动功率放大器、级间匹配、末级功率放大器、输出阻抗变换器。本发明基于HBT工艺，利用多层金属之间的耦合，实现了超宽带的阻抗变换器; 宽带的阻抗变...
    2026-02-13
  • 基于罗氏线圈非接触式电流传感的有源EMI滤波装置
    基于罗氏线圈非接触式电流传感的有源EMI滤波装置_中国南方电网有限责任公司_202511583521.9
    本申请涉及一种基于罗氏线圈非接触式电流传感的有源EMI滤波装置和功率系统，包括罗氏线圈模块、检测模块、误差放大模块和补偿注入模块；罗氏线圈模块的罗氏线圈环绕在接地导体周围；检测模块与罗氏线圈模块连接；误差放大模块的输入端与检测模块连接，误差...
    2026-02-13
  • 一种声表面波滤波器及其制作方法
    一种声表面波滤波器及其制作方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511389591.0
    本发明提供了一种声表面波滤波器及其制作方法，其中，声表面波滤波器包括：衬底，衬底设置有多个第一凹槽，每个第一凹槽内设置有互联层；多个谐振器，多个谐振器设置在衬底上；多个谐振器包括间隔谐振器和相邻谐振器，其中，每个谐振器包括多个叉指电极和与多...
    2026-02-13
  • 一种具有抑制杂散响应的多层SAW器件
    一种具有抑制杂散响应的多层SAW器件_晨宸辰科技有限公司_202511306393.3
    本申请提供了一种具有抑制杂散响应的多层SAW器件，针对传统多层SAW器件易在器件工作时产生杂散响应，导致器件品质因数与机电耦合系数下降、带内纹波及插损恶化的问题，本申请在传统多层SAW器件的部分IDT层上方沉积一层质量块层，通过改变质量块的...
    2026-02-13
  • 声表面波谐振器的形成方法
    声表面波谐振器的形成方法_常州承芯半导体有限公司_202511416099.8
    一种声表面波谐振器的形成方法，包括：提供压电层；在所述压电层上形成电极材料层；在所述电极材料层上形成非晶硅层，所述非晶硅层的厚度小于300埃；在所述非晶硅层上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成图形化层，所述图形化层暴露出部分所...
    2026-02-13
  • 声表面波谐振器与半导体量子点耦合器件及其制备方法
    声表面波谐振器与半导体量子点耦合器件及其制备方法_中国科学技术大学苏州高等研究院_202511245368.9
    本公开提供了一种声表面波谐振器与半导体量子点耦合器件及其制备方法，具体包括：第一衬底第一表面上的声表面波谐振器；第二衬底第二表面上的第一半导体量子点和第二半导体量子点，第一衬底的第一表面面向第二衬底的第二表面；第一共面波导传输线和第二共面波...
    2026-02-13
  • 绝缘体上声表面波谐振器
    绝缘体上声表面波谐振器_左蓝微(江苏)电子技术有限公司_202511212403.7
    本发明涉及5G/6G高频声表面波器件技术领域，特别涉及一种绝缘体上声表面波谐振器，包括衬底、设置于衬底上的压电层、设置于压电层上的高声阻抗及高声速层以及设置在高声阻抗及高声速层上的叉指电极，所述高声阻抗及高声速层完全覆盖压电层的上表面；本发...
    2026-02-13
  • 一种体声波谐振器及其制备方法
    一种体声波谐振器及其制备方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511409027.0
    本申请涉及体声波谐振器技术领域，具体提供了一种体声波谐振器及其制备方法，该谐振器包括：由下至上依次连接的第一衬底、包覆式结构膜层、底电极、压电层和顶电极，包覆式结构膜层上设有声反射镜，底电极内设有温补层，底电极、压电层和顶电极的温度系数均与...
    2026-02-13
  • 一种嵌入式电极结构的横向激励体声波谐振器
    一种嵌入式电极结构的横向激励体声波谐振器_上海大学_202511322046.X
    本发明涉及一种嵌入式电极结构的横向激励体声波谐振器，属于射频通信技术领域，包括衬底、温度补偿层、压电层，三者存在以下布局中的至少一种：①所述温度补偿层、所述压电层顺次形成在所述衬底上，所述压电层背离所述温度补偿层的一侧刻蚀有凹槽阵列；②所述...
    2026-02-13
  • 压电振子及其应用
    压电振子及其应用_华为终端有限公司_202511324223.8
    本申请提供了一种压电振子及其应用。该压电振子包括压电振动体，压电振动体包括至少一层压电材料层，沿压电振动体的厚度方向，压电振动体的至少一侧表面设有绝缘涂层，压电振动体的厚度方向与压电材料层的厚度方向相同；绝缘涂层包括绝缘树脂基体和分散于绝缘...
    2026-02-13
  • 一种手动调节的大功率宽频带衰减控制装置及控制方法
    一种手动调节的大功率宽频带衰减控制装置及控制方法_航宇伟创科技(北京)有限公司_202511108094.9
    本发明涉及一种手动调节的大功率宽频带衰减控制装置及控制方法，第一调节单元提供离散档位对应不同第一衰减值，第二调节单元提供离散档位对应不同第二衰减值。处理模块根据第一、第二调节单元输入信息确定衰减值，计算目标衰减值并转换为6位并行二进制控制码...
    2026-02-13
  • 一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片
    一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片_南通大学_202511488710.8
    本发明公开了一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片，采用具有三层金属层的GaAs IPD工艺，包括六个谐振器、十二个电容及三个金属化接地孔。六个谐振器由电容CC11~CC66与电感LL11~LL66分别通过串/并联组成，且电感均为自建的八...
    2026-02-13
  • 一种基于弱耦合变压器技术的IPD高选择性带通滤波器
    一种基于弱耦合变压器技术的IPD高选择性带通滤波器_西安电子科技大学_202511407039.X
    一种基于弱耦合变压器技术的IPD高选择性带通滤波器，包括：LC并联谐振回路、LC串联谐振回路、LC并联谐振回路和第四电容C4，其中，LC并联谐振回路和LC并联谐振回路中的电感之间存在弱变压器耦合关系；本发明提出的弱耦合变压器所需要的耦合系数...
    2026-02-13
  • 滤波器件、滤波器电路及电子设备
    滤波器件、滤波器电路及电子设备_深圳顺络叠层电子有限公司_202511514548.2
    本申请涉及一种滤波器件、滤波器电路及电子设备。滤波器件包括：主体，配置为绝缘件；滤波谐振组件，设置于主体内，滤波谐振组件包括多个沿第一方向依次设置的内电极，部分内电极之间形成至少一个对地电容；抑制组件，设置于主体内，抑制组件包括抑制电感；以...
    2026-02-13
  • 基于外部相位均衡的W波段GaAs片上集成波导线性相位滤波网络
    基于外部相位均衡的W波段GaAs片上集成波导线性相位滤波网络_南京理工大学_202511397043.2
    本发明公开了一种基于外部相位均衡的W波段GaAs片上集成波导线性相位滤波网络，通过外部均衡理论和创新的谐振腔布局与耦合机制实现群时延平坦化及尺寸小型化。其核心结构包括：四阶SIW滤波器、3dB电桥、两个单端口反射式开环谐振器。所述的四阶SI...
    2026-02-13
  • 基于RDL工艺的带通滤波器结构封装方法
    基于RDL工艺的带通滤波器结构封装方法_青岛展诚科技有限公司_202511261399.3
    本发明公开了基于RDL工艺的带通滤波器结构封装方法，涉及电子工程与半导体封装技术领域，具体包括基于RDL技术，在带通滤波器结构的芯片表面构建RDL层、将带通滤波器中的芯片连接器件与芯片连接、在带通滤波器芯片表面铺设局部屏蔽层、对芯片模块和带...
    2026-02-13
  • 一种多放大器并联架构的场磨电场传感器信号调理方法
    一种多放大器并联架构的场磨电场传感器信号调理方法_三峡大学_202511246968.7
    一种多放大器并联架构的场磨电场传感器信号调理方法，包括以下步骤：步骤1：由场磨式电场传感器的感应电极采集到的电流信号输入给I‑V转换放大器；步骤2：I‑V转换放大器将输入的电流信号转换为对应的电压信号，并将该电压信号输入给并联优化的放大器；...
    2026-02-13
  • 一种功率放大器自激控制装置
    一种功率放大器自激控制装置_成都迅翼卫通科技有限公司_202511469983.8
    本发明公开了一种功率放大器自激控制装置，涉及射频放大器控制领域，包括功率放大模块、耦合模块、漏压控制模块、快速下电模块、功率检波模块、非门和电压比较模块。本发明适用于射频放大器，在放大器出现自激现象时，实现微秒级的复位，减少放大器自激的时间...
    2026-02-13
  • 功率放大器结构
    功率放大器结构_深圳飞骧科技股份有限公司_202511917344.3
    本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种功率放大器结构，功率放大器结构包括输入匹配电路、多个第一驱动级放大器、第二驱动级放大器、级间匹配电路、多个第一功率级放大器、多个第二功率级放大器、输出匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路...
    2026-02-13
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