Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种光电共封装结构及方法
    一种光电共封装结构及方法_湖北江城实验室_202511560119.9
    本申请提供了一种光电共封装结构，所述光电共封装结构包括：重构晶圆、光芯片和电芯片。所述重构晶圆包括：第一虚拟芯片和第二虚拟芯片。所述第一虚拟芯片位于所述第二虚拟芯片沿第一方向的一侧；其中，所述第一虚拟芯片被配置为与所述光芯片实现光学互连，所...
    2026-01-23
  • 阻挡层及其形成方法、半导体器件
    阻挡层及其形成方法、半导体器件_重庆芯联微电子有限公司_202511291096.6
    本发明提供了一种阻挡层及其形成方法、半导体器件，属于半导体领域。该阻挡层形成方法包括提供一半导体结构。通入前驱体，并使用惰性气体作为载气，在设定温度范围下，在所述半导体结构的表面形成阻挡层。采用设定波长的紫外线照射所述阻挡层。本发明通过设置...
    2026-01-23
  • 针对顶部逻辑半导体系统的直通电力输送
    针对顶部逻辑半导体系统的直通电力输送_美光科技公司_202510900211.9
    本申请涉及针对顶部逻辑半导体系统的直通电力输送。半导体系统可经配置有直通堆叠的半导体组件(例如，通过一或多个存储器堆叠)的电力输送导体的二维图案，从而向与所述堆叠接合的逻辑组件提供更分布式的电力输送。所述电力输送导体可包含绕过所述堆叠的电路...
    2026-01-23
  • 芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备
    芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备_华为技术有限公司_202410881783.2
    本申请提供一种芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备，涉及半导体技术领域，能够阻断衬底背面引入的金属污染。该芯片包括衬底结构、有源器件、硅通孔。其中，衬底结构包括：第一衬底、第二衬底、介质层。介质层位于第一衬底和第二衬底之间，且介质层能够...
    2026-01-23
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510427582.X
    本申请公开了半导体器件及其形成方法。在半导体器件的互连层中的互连结构的最底层上方形成导电材料的层，并且蚀刻导电材料的层以从导电材料的层限定金属化结构的最底层。为了降低独立式金属化结构塌陷的可能性，独立式金属化结构的暴露侧壁表面可以被氧化以形...
    2026-01-23
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861159.7
    本发明提出一种半导体结构的制备方法，属于半导体领域，包括步骤：在衬底上依次形成掺杂层、垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氮化层、所述垫氧化层、所述掺杂层和部分所述衬底，形成浅沟槽后，在所述浅沟槽内沉积绝缘材料，直至所述浅沟槽内的所述绝缘材料突出...
    2026-01-23
  • 一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
    一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511597339.9
    本申请公开一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供衬底；刻蚀衬底，形成具有第一深度的深沟槽；在深沟槽内填充隔离材料；刻蚀隔离材料外周的衬底，形成具有第二深度的环状槽，第二深度小于...
    2026-01-23
  • 一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
    一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511597319.1
    本申请公开一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构，包括衬底、深沟槽、浅沟槽和应力调节层，浅沟槽自衬底上表面向衬底的下表面凹陷，深沟槽自浅沟槽的底壁向衬底的下表面凹陷，深沟槽与浅沟槽相连通，浅沟槽的直...
    2026-01-23
  • 深沟槽隔离结构及其制作方法
    深沟槽隔离结构及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511432075.1
    本发明提供一种深沟槽隔离结构及其制作方法，包括衬底及由深入衬底的隔离沟槽隔离形成的条形结构，条形结构包括柱体及柱体两侧交错设置的凸起。本发明改变原有硅柱的结构设计，在硅柱的两侧间隔设置凸起，凸起相当于增加了DTI硅柱的宽度，避免硅柱倒掉或侧...
    2026-01-23
  • 一种STI填充方法
    一种STI填充方法_重庆芯联微电子有限公司_202511279721.5
    一种STI填充方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有沟槽，半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层以及刻蚀阻挡层，沟槽表面形成有衬垫氧化层；沉积氧化硅，形成第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖刻蚀阻挡层；对半导体衬底进行氮气退火处理；刻...
    2026-01-23
  • 消除深沟槽隔离结构中多晶硅锥形缺陷的方法
    消除深沟槽隔离结构中多晶硅锥形缺陷的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511240608.6
    本发明提供一种消除深沟槽隔离结构中多晶硅锥形缺陷的方法，该方法包括：提供半导体衬底，并在衬底中形成深沟槽；在深沟槽内表面形成隔离介质层后，采用多晶硅填充深沟槽；关键在于，在对衬底进行化学机械平坦化之前，增加一步对填充了多晶硅的衬底进行退火处...
    2026-01-23
  • 采用双面减薄工艺制备SOI衬底的方法及SOI衬底
    采用双面减薄工艺制备SOI衬底的方法及SOI衬底_上海新傲科技股份有限公司_202511707327.7
    本发明涉及一种采用双面减薄工艺制备SOI衬底的方法及SOI衬底。所述采用双面减薄工艺制备SOI衬底的方法包括如下步骤：提供两片晶圆，每片所述晶圆均包括键合面以及与所述键合面相对的背面；于至少一片所述晶圆的所述键合面上形成氧化层；以两片所述晶...
    2026-01-23
  • 一种生产超薄支撑层SOI的方法
    一种生产超薄支撑层SOI的方法_浙江晶睿电子科技有限公司_202511539103.X
    本发明公开了一种生产超薄支撑层SOI的方法，涉及到半导体技术领域，其包括，包括以下步骤：S1：分别提供支撑层晶圆和顶硅晶圆，对支撑层晶圆的正面和顶硅晶圆的背面进行常规化学机械抛光，获得常规抛光片；S2：对支撑层晶圆的抛光面和顶硅晶圆的抛光面...
    2026-01-23
  • SOI晶圆顶硅层厚度的控制方法、系统、SOI晶圆及电子设备
    SOI晶圆顶硅层厚度的控制方法、系统、SOI晶圆及电子设备_上海新微技术研发中心有限公司_202511475681.1
    本发明公开了一种SOI晶圆顶硅层厚度的控制方法、系统、SOI晶圆及电子设备，该方法包括：步骤一：提供第一衬底作为底硅层，测量所述底硅层的厚度特征值Tbb；步骤二：提供第二衬底作为顶硅层，并与所述底硅层键合得到SOI晶圆；步骤三：对所述顶硅层...
    2026-01-23
  • 一种无结晶体管的制备方法
    一种无结晶体管的制备方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202410932163.7
    本申请提供一种无结晶体管的制备方法，提供衬底，衬底上形成有埋氧层和半导体层，对半导体层进行掺杂得到核层，在核层上形成半导体材料作为壳层，壳层的掺杂浓度小于核层的掺杂浓度，在壳层上形成源极、漏极和栅极，这样可以在形成壳层之前进行核层的掺杂，在...
    2026-01-23
  • 一种用于快速热处理设备的腔体及其使用方法
    一种用于快速热处理设备的腔体及其使用方法_盛吉盛半导体科技(北京)有限公司_202511895363.0
    本发明公开了一种用于快速热处理设备的腔体及其使用方法，其属于半导体设备技术领域，所述用于快速热处理设备的腔体包括腔室和基座，腔室的侧壁开设有进气腔和传片口基座内设有进气匀气腔，腔体的底部设有若干进气口，若干进气口的出口均与进气匀气腔连通，进...
    2026-01-23
  • 反射板、半导体加工腔室及半导体退火工艺设备
    反射板、半导体加工腔室及半导体退火工艺设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511562747.0
    本申请涉及反射板技术领域，提供了一种反射板、半导体加工腔室及半导体退火工艺设备，用于解决反射板热膨胀并发生热偏移而导致的测温通孔与高温计导光棒挤碰的问题；该反射板上设有沿平行于反射板的方向间隔的第一定位孔和第二定位孔；第一定位孔约束反射板沿...
    2026-01-23
  • 组合件拆分机构及系统
    组合件拆分机构及系统_环旭电子股份有限公司_202511483826.2
    一种组合件拆分机构及系统，组合件包括载具、盖板，以及装设于载具和盖板之间的芯片。组合件拆分机构包括承托平台、顶杆和第一驱动模块，承托平台开设有抽气孔以及作用于组合件的吸附孔，承托平台内部设有导通于抽气孔和吸附孔的吸附通道，抽气孔被配置为抽取...
    2026-01-23
  • 基板处理装置和状态判定方法
    基板处理装置和状态判定方法_东京毅力科创株式会社_202510838544.3
    本公开提供一种基板处理装置和状态判定方法，能够判定基板载置台的状态。基板处理装置具备：基板载置台，其具有静电保持盘，对静电保持盘的电极施加电压来使静电保持盘对基板进行静电吸附；升降销，其能够相对于所述基板载置台的基板载置面突出和退回；驱动机...
    2026-01-23
  • 通过衬底处理改善CDU的方法
    通过衬底处理改善CDU的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511422285.2
    本发明公开了一种通过衬底处理改善CDU的方法，包含：步骤一，在准备进行光刻工艺的半导体衬底上淀积一层氮化钛层作为硬掩模层，在所述的氮化钛层表面再淀积一层氧化硅层；步骤二，进行一步衬底处理工艺，在工艺腔内对晶圆进行O22等离子表面处理；步骤三...
    2026-01-23
首页 上一页 17 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证