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  • 本发明公开了一种制氢模块用新型结构的多功能水箱,包括箱体主体,箱体主体顶端设置有上盖组件,箱体主体底部设置有若干个辅助固定组件,箱体主体内设置有防浪组件,箱体主体前侧设置有呈上下布局的第一传感器、第二传感器、第三传感器,上盖组件上设置有鼓风...
  • 本发明属于亚胺衍生物合成技术领域。本发明公开了一种制备噻唑烷‑2‑亚胺衍生物的方法,将N‑甲基烯丙胺和异硫氰酸苯酯加入到电解池中,通入直流恒定电流反应得噻唑烷‑2‑亚胺衍生物。本发明提供的方法,具有条件温和、体系简洁和绿色环保等多重优势。反...
  • 一种金属盐催化醇与硝基甲烷制备肟的绿色合成方法,属于光电催化有机合成领域。在单室电解槽中,在金属催化剂和氢原子转移试剂存在下,醇(I)和硝基甲烷(II)在光电协同作用下高产率地制备如式(III)所示的肟类化合物。本发明以硝基甲烷为一氧化氮自...
  • 本发明公开了一种氘代硅烷的电化学方法。本发明的方法包括以下步骤:在保护性气氛中,将取代硅烷、电解质、镍催化剂、配体和氘水在溶剂中混合后,在恒电流条件下发生发生电化学氘化反应后,后处理,制得所述氘代硅烷化合物。本方法以氘水为氘源,绿色、经济、...
  • 本发明涉及一种M++‑H22O22溶液的电解合成方法及杀菌方法,所述电解合成方法包括提供电解装置;所述电解装置包括阴极室、中间仓、阳极室;所述阴极室中设置有阴极;所述阴极包括碳基底和设置于碳基底上的催化剂;所述催化剂的活性元素包括钽;所述中...
  • 本申请提供一种电解二氧化锰的制备方法及电解二氧化锰,属于电池材料技术领域。所述电解二氧化锰的制备方法,包括以下步骤:将低品位氧化锰矿与含硫还原剂、酸液反应,经除铁过滤获得硫酸锰溶液;向所述硫酸锰溶液中加入重金属脱除剂和硅酸盐载氧体,进行初级...
  • 本发明公开了一种氯化物基熔盐介导的电化学分离回收碲铜金属的方法,该方法首先将碲化亚铜压制成圆柱状阴极,以氯化物基熔盐为电解质,采用两电极电解体系,在150~500℃温度下,以2.0~3.0 V槽电压进行恒压电解1~8 h;电解结束后,对阳极...
  • 本发明公开了一种实验室用等离子体清洗无取向硅钢表面技术方法,属于硅钢材料表面处理技术领域。该方法通过优化等离子体清洗的灯丝放电电流、基体偏压、处理时间和气体流量等关键参数,实现对无取向硅钢表面的精密可控处理。经本发明方法处理的无取向硅钢,表...
  • 本发明涉及一种高效酸洗装置,包括酸洗槽和供酸管,酸洗槽的侧壁上设有高压喷酸单元和低压进酸单元,高压喷酸单元通过高压供酸支管与供酸管连通,低压进酸单元通过低压供酸支管与供酸管连通,于高压供酸支管和低压供酸支管上分别设有自动控制阀。相应地还提供...
  • 本发明涉及粉末加工技术领域,尤其是一种超细钼粉的加工装置,包括处理箱、与处理箱密封连接的顶盖,所述处理箱内侧设有用于放置钼粉堆积件的放置架,处理箱底部设有呈矩形阵列分布的曝气组件,所述处理箱内还设有驱动放置架在一定角度内正反转摆动的驱动轴,...
  • 本发明属于阀门生产设备技术领域,尤其涉及一种阀门浸泡处理池,包括:池底座,池底座上设置有池主体,池主体中填充有浸泡介质;放置平台,放置平台设置在池主体的上方,放置平台通过升降驱动装置沿池主体的轴向升降移动;烘干机构,烘干机构设置在池主体的上...
  • 本申请公开了一种清除结晶器铜管表面锌沉积物的方法,包括:在连铸浇铸开始前或者连铸浇铸结束时,使用酸液对结晶器铜管表面的锌沉积物进行酸洗处理,以除去结晶体铜管表面的锌沉积物。采用本申请的清除结晶器铜管表面锌沉积物的方法所限定的清除工艺,能够有...
  • 本发明公开了基于太阳能电源的阴极保护电位采集无线传输装置及方法,包括太阳能发电储能模块、阴极保护数据采集模块、数据发送模块以及数据显示模块;太阳能发电储能模块包括依次连接的太阳能发电板、电压转换稳压单元以及储能单元;阴极保护数据采集模块包括...
  • 本发明涉及管道连接技术领域,提供一种用于低压管道阴极保护的绝缘结构及方法,本发明的绝缘结构包括绝缘垫片、一对紧固法兰、一对绝缘套及紧固组件,其中,绝缘垫片设置在一对连接法兰之间;一对紧固法兰分别套设在一对连接法兰外侧的低压管道上,紧固法兰为...
  • 本发明公开一种基于电磁耦合分析的埋地金属管道防护方法,其方法是:分析输电线路与管道间的电容、电感及导电耦合效应,确定电场在土壤中的衰减范围,量化磁场感应电压,并预测腐蚀风险;综合电感与导电耦合效应,定位高电压危险点;基于涂层绝缘性能和管道电...
  • 本发明提供一种缓蚀剂及其制备方法,缓蚀剂包括有机腐蚀抑制剂和金属盐类缓蚀剂,有机腐蚀抑制剂包括有机胺类化合物、有机酸盐类化合物中的至少一种,金属盐类缓蚀剂包括钼酸盐、钛酸盐、锌盐中的至少一种。本发明提供的缓蚀剂通过有机腐蚀抑制剂分子的化学键...
  • 本发明涉及一种Ag/Ni的腐蚀液及其制备与使用方法,属于半导体制造技术领域。解决了现有技术中的Ag/Ni腐蚀液经常出现腐蚀不净,以及Ni层相对于Ag层侧钻过大,导致Ag层出现金属起皮等异常的技术问题。本发明的Ag/Ni腐蚀液,由40wt%~...
  • 本发明提供一种铝材质刻蚀的垂直喷嘴装置及喷射方法,属于铝材质刻蚀技术领域;包括喷嘴主体、入口连接部、喷射口以及喷射导流挡板;所述入口连接部设于所述喷嘴主体上端,用于连接供液管路;所述喷射口的轴线方向垂直于待蚀刻工件表面;所述喷射导流挡板用于...
  • 本发明公开了一种用于PCB龙门线夹仔退镀及退镀液循环再生装置,属于PCB龙门线夹仔退镀技术领域,包括退镀槽和线边退镀液再生槽;所述退镀槽上端部开口处装设有龙门线飞巴,且龙门线飞巴上安装有若干个等距分布,且用于夹持PCB板的夹仔,所述退镀槽的...
  • 本发明公开了一种PCB图形电镀夹膜的高温无氧等离子应力释放方法,包括对完成图形电镀的PCB板进行初次退膜处理;将退膜后存在夹膜残留的PCB板置于等离子处理设备中;采用无氧等离子体系进行处理,等离子体系包含四氟化碳和惰性气体的混合气体;控制等...
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