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最新专利技术
  • 一种图形化外延异质结构及其制备方法
    一种图形化外延异质结构及其制备方法_西安交通大学_202511636706.1
    本发明公开了一种图形化外延异质结构及其制备方法，包括步骤：1)在单晶衬底上形成图形化的硬掩模层；2)在衬底图形化的硬掩模表面，高温外延沉积一异质结构，异质结构选择性地生长在由硬掩模暴露出的衬底窗口区域；异质结构包括依次生长的外延牺牲层和外延...
    2026-03-11
  • 一种碳化硅长晶炉内籽晶精准定位与防偏移结构
    一种碳化硅长晶炉内籽晶精准定位与防偏移结构_郑州榕芯电子科技有限公司_202511893453.6
    本发明涉及碳化硅长晶炉技术领域，且公开了一种碳化硅长晶炉内籽晶精准定位与防偏移结构，包括安装在碳化硅长晶炉石墨坩埚顶内壁上的安装柱，安装柱的下表面固定连接有籽晶托板，本发明通过设置辅助机构，推动组件沿空心套轴线方向向下推动空心滑杆、移动架和...
    2026-03-11
  • 单晶硅晶棒的冷却方法
    单晶硅晶棒的冷却方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511687356.1
    本发明涉及一种单晶硅晶棒的冷却方法。所述单晶硅晶棒的冷却方法包括如下步骤：提供一结束生长的单晶硅晶棒，单晶硅晶棒位于单晶炉内；同步实施降低单晶炉内的炉压至冷却炉压、增大传输至单晶炉内的保护气体的流量至冷却流量以及提高单晶硅晶棒的提拉速度至冷...
    2026-03-11
  • 单晶炉用底加热器的制备方法、底加热器及单晶炉
    单晶炉用底加热器的制备方法、底加热器及单晶炉_湖南金博碳素股份有限公司_202511791727.0
    本申请涉及一种单晶炉用底加热器的制备方法、底加热器及单晶炉，涉及加热器技术领域。制备方法包括：获取具有环形凸台的坯料；图形化处理所述坯料，形成加热部及安装部；在所述安装部加工安装孔，去除所述加热部边缘的所有凸台及所述安装部的部分凸台，所述安...
    2026-03-11
  • 加热器、单晶硅拉制方法及单晶硅
    加热器、单晶硅拉制方法及单晶硅_宇泽新能源(昆明)有限公司_202511712208.0
    本发明涉及单晶硅制备技术领域，公开了加热器、单晶硅拉制方法及单晶硅。加热器包括环形加热部，环形加热部相对两端为高位端和低位端，加热器的高度为H，厚度为D；加热器由高电阻区和低电阻区构成；高电阻区在经过加热器轴线的截面上的形状为楔形，楔形的小...
    2026-03-11
  • 一种连续直拉单晶炉及多根单晶硅棒同步连续直拉方法
    一种连续直拉单晶炉及多根单晶硅棒同步连续直拉方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610055583.0
    本发明涉及光伏太阳能电池领域，具体公开了一种连续直拉单晶炉，包括炉体、底加热器、环加热器、坩埚、分流盘、隔板和提拉总成，所述底加热器设于所述炉体的底部，所述坩埚设于所述底加热器上方，所述环加热器环绕所述坩埚设置；若干所述分流盘设于所述坩埚中...
    2026-03-11
  • 一种基于智能匹配的连续直拉单晶用多规格掺杂装置及方法
    一种基于智能匹配的连续直拉单晶用多规格掺杂装置及方法_包头美科硅能源有限公司_202511528562.8
    本发明涉及光伏硅片制造技术领域，具体是涉及一种基于智能匹配的连续直拉单晶用多规格掺杂装置及方法，包括多通道切换组件，多通道切换组件包括阀体、阀芯和驱动机构，阀体上开设有单料进气道、双料进气道和三个冲刷通道，阀芯上开设有单料连接道和双料连接道...
    2026-03-11
  • 一种去除锗熔体表面浮渣的方法
    一种去除锗熔体表面浮渣的方法_南京伟创电子有限公司_202511959071.9
    本发明公开了一种去除锗熔体表面浮渣的方法，属于晶体生长技术领域，包括如下步骤：1)将一定量的区熔锗锭投入洗料釜，然后向洗料釜注入去离子水覆盖住锗锭；2)加热直至70℃～100℃，向洗料釜加入氨水或胺类化合物中的任意一种或多种，浓度5%～25...
    2026-03-11
  • 一种降低红外锗单晶原生坑洞的方法
    一种降低红外锗单晶原生坑洞的方法_南京伟创电子有限公司_202511959069.1
    本发明公开了一种降低红外锗单晶原生坑洞的方法，属于红外人工晶体技术领域，包括如下步骤：1)将一定量的清洗干净的区熔锗锭和质量为M的锑投入单晶炉并封炉，锑的掺杂量比计划掺杂量M多1%～20%；2)第一次抽真空，真空度10mtorr～50mto...
    2026-03-11
  • 一种用于单晶炉自动挂料取料的对接装置与对接系统
    一种用于单晶炉自动挂料取料的对接装置与对接系统_南京晶能半导体科技有限公司_202511748507.X
    本发明公开了一种用于单晶炉自动挂料取料的对接装置与对接系统，包括锁紧套、导向套、弹性装置、驱动装置和限位球，限位球定位于锁紧套的通孔内且自由移动和转动；初始时，驱动装置驱动导向套靠近锁紧套，弹性装置压缩变形，直至限位球部分位于导向套槽内，在...
    2026-03-11
  • 一种长晶温度场改善方法及装置
    一种长晶温度场改善方法及装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511730550.3
    本发明涉及长晶温度场技术领域，且公开了一种长晶温度场改善方法及装置包括制晶炉装置，所述制晶炉装置包括：制晶炉外壳和液压杆，所述制晶炉外壳的侧面与液压杆的侧面固定连接，所述制晶炉外壳的顶部固定连接有红外测温仪，所述制晶炉装置的顶部活动套接有制...
    2026-03-11
  • 一种单晶炉
    一种单晶炉_青海晶科能源有限公司_202511725704.X
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种单晶炉，单晶炉中主加热器与坩埚的埚邦固定连接，通过第一脚板和第二脚板与第一导轨和第二导轨滑动连接，实现坩埚转动时主加热器同步转动，同时通过第一电极柱和第二电极柱供电。在使用过程中，主加热器紧贴埚邦外壁，由埚...
    2026-03-11
  • 晶体生长方法及其装置
    晶体生长方法及其装置_厦门钨业股份有限公司_202511996097.0
    本发明属于晶体制备技术领域，公开了一种晶体生长方法及其装置，晶体生长在控温内胆的腔体中进行。腔体内自上而下分别设有独立控温的上温区、梯度区和下温区，上温区的温度可设定为第一预设温度，且第一预设温度高于梯度区的温度，梯度区自上而下按照预设降温...
    2026-03-11
  • 一种氧化镓单晶的生长装置及方法
    一种氧化镓单晶的生长装置及方法_杭州镓仁半导体有限公司_202511833750.1
    本发明公开了一种氧化镓单晶的生长装置及方法，涉及晶体生长技术领域，装置包括生长炉、支撑台、坩埚和热电偶，生长炉的炉膛包括沿第一水平方向依次分布的第一加热区、第二加热区和第三加热区，支撑台的底部设置有滚轮，滚轮与生长炉的底板滚动配合；坩埚用于...
    2026-03-11
  • 电化学抛光液及其制备方法与应用
    电化学抛光液及其制备方法与应用_武汉联影医疗科技有限公司_202411111258.9
    本申请涉及一种电化学抛光液及其制备方法、应用。按体积百分数计，所述抛光液的原料包括：浓磷酸、浓硫酸、水及乙二醇；其中，以所述浓磷酸、所述浓硫酸、所述水和所述乙二醇的总体积为基准，所述浓磷酸的体积占比为45%~57%、所述浓硫酸的体积占比为2...
    2026-03-11
  • 一种电镀夹具高度调节装置
    一种电镀夹具高度调节装置_保德汇智科技(深圳)有限公司_202512026451.3
    本发明涉及一种电镀夹具高度调节装置，包括安装板用于装载上夹具；锁定机构可活动地设置于安装板，锁定机构具有锁定状态和解锁状态；齿轮与锁定机构连接，处于锁定状态下的锁定机构能够限制齿轮转动，处于解锁状态下的锁定机构能够释放齿轮，以使齿轮获得转动...
    2026-03-11
  • 一种电镀挂架及电镀设备
    一种电镀挂架及电镀设备_深圳市大族数控科技股份有限公司_202411072885.6
    本发明属于电镀技术领域，特别是涉及一种电镀挂架及电镀设备。电镀挂架包括导向板和至少两个导向机构，每个导向机构包括第一滑轮机构、第二滑轮机构、导绳以及配重件；第一滑轮机构包括第一支撑架和安装在第一支撑架上的第一轮组，第二滑轮机构包括第二支撑架...
    2026-03-11
  • 一种无氰镀银设备及工艺
    一种无氰镀银设备及工艺_余姚市爱迪升电镀科技有限公司_202511900216.8
    本发明公开了一种无氰镀银设备及工艺，涉及无氰镀银技术领域，旨在解决编织铜丝表面几何结构差异导致无氰镀银均匀性难以控制的技术问题，包括机架，以及设于其上的镀槽、进线槽、传线机构、清洗槽和调线机构。镀槽内壁设有倾角偏摆机构，其移动端对称设有变锥...
    2026-03-11
  • 一种隧道式电镀系统
    一种隧道式电镀系统_昆山嘉德君电子科技有限公司_202512052106.7
    本发明公开了一种隧道式电镀系统包括：电镀隧道模块，包括两个电解液喷射单元，两个电解液喷射单元之间形成供待电镀工件穿过的电镀隧道，每个电解液喷射单元均包括若干能够沿第二方向喷射电解液的电镀装置；阴极挂具，至少包括框架主体、设于框架主体上部横梁...
    2026-03-11
  • 一种梯度纳米低电阻银镀层制备装置
    一种梯度纳米低电阻银镀层制备装置_镇江金仕通精密科技有限公司_202511703985.9
    本发明涉及金属镀层制备装置技术领域，具体的说是一种梯度纳米低电阻银镀层制备装置，包括固定架，所述固定架顶部活动连接有横杆；本发明通过电机驱动第一外齿轮和第二外齿轮带动旋转套旋转，第一分散盘跟随旋转套位于反应釜内旋转，同时电机驱动第一内齿轮和...
    2026-03-11
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