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  • 本发明提供一种等离子体处理设备及其射频控制装置,通过向承载待处理基片的基座施加偏置射频功率,在基片表面形成偏置电压,对等离子体中离子到达基片的能量进行控制。射频控制装置中,由一个或多个射频信号发生器提供的射频信号,通过电阻传递到功率放大器进...
  • 本发明提供一种侧边辅助接地装置及等离子体处理装置,所述侧边辅助接地装置设置在等离子体反应腔内的基座周向,其包括:承载部,其与所述基座固定连接;支架,其固定在所述承载部上;平衡配重杆,其通过旋转支点设置在所述支架的顶端;所述平衡配重杆的第一端...
  • 本发明公开了一种高低能离子注入机的束流Glitch监测方法及装置,方法包括步骤:实时获取离子注入机的束流监测参数,包括终端束流和预设ESI阈值;在离子注入机处于高能模式时,终端束流为第一引出电源的电流值;在离子注入机处于低能模式时,终端束流...
  • 描述了用于保护带电粒子检测器免受损坏的系统、部件和方法。过滤器可包括框架和碳材料膜。所述膜可限定第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及从所述第一表面延伸穿过所述膜到所述第二表面的光阑。所述框架可被配置为与设置在带电粒子束柱中的带电粒子检...
  • 本申请公开了一种检测方法、检测装置及半导体设备,涉及半导体领域。一种检测方法,包括:控制升降组件带动激光组件由初始位置沿鞘层厚度的方向逐渐远离初始位置,并获取激光组件在不同位置时发射的激光的传输时间;其中,初始位置为等离子体工艺腔室内可确定...
  • 本发明公开了一种离子注入机的组合透镜系统及离子束流调整方法,系统包括工控机、ADIO控制器、第一高压电源、第二高压电源、聚焦电极透镜和偏转电极装置;所述工控机通过ADIO控制器分别与所述第一高压电源和第二高压电源相连;所述聚焦电极透镜与所述...
  • 提供了电子束显微镜,其包括电子束源(5)、物镜(25)和电子检测器(37)。电子检测器(37)包括闪烁体布置(76),该闪烁体布置被布置在电子束源(5)与物体位置(35)之间,以使得在物体(21)处生成的电子(81)入射到闪烁体本体(77)...
  • 本公开提供了一种电子束显微镜以及一种用于操作电子束显微镜的方法。所述电子束显微镜包括:电子束源(3),具有磁极端(35、37)的磁性物镜23),具有孔直径(D)的闪烁体61),第一电极(80),第二电极(97),以及用于这些元件的电位供应装...
  • 本公开提供了一种电子束显微镜(1),其包括电子束源(3)、物体固持器(21)、磁性物镜(23)和第一电子检测器(41),该电子束源用于产生电子束(9)。电子检测器(41)包括闪烁体布置(60),该闪烁体布置具有闪烁体本体(61),该闪烁体本...
  • 这里描述了带电粒子束装置的设备。所述带电粒子束装置包括:具有线圈载体的磁透镜;至少一个极靴;以及电绝缘体,所述电绝缘体旨在将线圈载体和至少一个极靴电气绝缘。
  • 本发明提供了一种x射线管阳极靶控制方法及系统,应用于x射线管阳极靶技术领域,该方法包括:系统启动后,进行自检与标定;依次用小电流电子束轰击每个单元中心,记录对应的偏转电流值,建立坐标到电流查找表;进行束斑形态基准校准,记录初始聚焦参数;电子...
  • 一种可变吸极结构冷阴极潘宁离子源,包括外壳、可变吸极、阴极、阳极放电腔、永磁铁、绝缘材料和若干输气管,所述绝缘材料内衬于外壳中,所述阳极放电腔和阴极均设置在外壳中,所述永磁铁装设在外壳中且以阳极放电腔为中心环绕设置,若干所述输气管设置在阳极...
  • 本发明公开了一种PVD磁控溅射高金属离子化的非平衡磁控管,包括磁轭和磁铁块。磁铁块安装于磁轭,磁铁块包括外环磁铁、内环磁铁和中心磁铁,中心磁铁的外侧与外环磁铁的内侧之间有间隙,内环磁铁夹设于外环磁铁和中心磁铁之间的间隙,外环磁铁具有沿第一方...
  • 本公开提供了一种用于实现速调管的电子光学系统小型化的方法、装置及设备,可以应用于真空电子器件技术领域。该用于实现速调管的电子光学系统小型化的方法包括:获取电子枪的第一目标参数和初始永磁聚焦系统;根据第一磁感应强度,调整初始永磁聚焦系统的磁感...
  • 本发明公开了一种方便调整的磁控管和磁控溅射薄膜沉积设备。本发明的磁控管包括磁铁块、磁轭和磁铁连接件。磁铁块包括磁体与磁体安装部,磁体具有磁体中心轴,磁体安装部具有磁体安装中心轴,磁体安装中心轴平行于磁体中心轴,且磁体安装中心轴位于磁体中心轴...
  • 本发明涉及行波管技术领域,具体是一种电子枪及行波管,电子枪包括绝缘陶瓷框架,连接在绝缘陶瓷框架上的第二阳极、第一阳极和框架连接件;绝缘陶瓷框架为圆筒状,绝缘陶瓷框架沿周向均匀设置有三个豁口组,每个豁口组都包括沿顺时针设置的开口向上的第一豁口...
  • 本发明提供一种小型化Ka波段行波管收集极,包括自左向右依次设置的磁屏封接环、收集极瓷筒,在收集极瓷筒内、沿收集极瓷筒的轴向自左向右依次设置有多个收集极芯,多个收集极芯与收集极瓷筒同轴设置,每个收集极芯的径向均连接一个引线柱,所述引线柱沿收集...
  • 本发明涉及半导体设备检修技术领域,尤其涉及一种真空烘烤平台、控制系统、控制方法和存储介质,真空烘烤平台包括镜筒,镜筒中设置有灯丝,且镜筒的下端开设有通孔,灯丝在镜筒中的位置能够调节以与通孔正对;真空阀,真空阀设置于镜筒,且位于通孔处;支撑筒...
  • 本发明公开了一种基于氢还原特种铅硅酸盐玻璃的体导电微通道板的制备方法,包括以下步骤:在特种铅硅酸盐玻璃基板上形成由初始微通道构成的微通道阵列,得到微通道板的基底;对基底进行重离子轰击处理,以在基底内部形成密集分布的次级微通道;对经重离子轰击...
  • 一种高压熔断器底座,属于熔断器技术领域,为了解决触头夹座与熔断器导电端之间容易产生间隙,形成高温热点,高温会加速触头夹座表面的氧化和烧蚀,进一步增大接触电阻,容易引发线路故障的问题,发明包括底座本体和两个固定在底座本体一侧的触头夹座,两个触...
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