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最新专利技术
  • 锑化铟芯片铍离子注入与快速热退火损伤修复方法及系统
    锑化铟芯片铍离子注入与快速热退火损伤修复方法及系统_北京龙知远科技发展有限公司_202511962126.1
    本发明提供一种锑化铟芯片铍离子注入与快速热退火损伤修复方法及系统，涉及半导体材料技术领域，包括通过对铍离子注入后的芯片进行深度损伤检测，基于损伤分布数据确定深度层结构，生成缺陷分布图谱，计算湮灭激活能，建立温度阶段序列，结合能量间隔生成分段...
    2026-03-17
  • 一种增强型二次谐波产生的复合结构及其制备方法与应用
    一种增强型二次谐波产生的复合结构及其制备方法与应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610147631.9
    本发明提供了一种增强型二次谐波产生的复合结构及其制备方法与应用。所述复合结构包括衬底以及沿远离所述衬底的方向依次设置的GaN基结构、AlScN层；所述GaN基结构包括n型GaN层，所述AlScN层与所述n型GaN层异质结耦合；并且，所述Al...
    2026-03-17
  • 一种动态相变调控异质衬底、氮化镓外延制作方法
    一种动态相变调控异质衬底、氮化镓外延制作方法_南京邮电大学_202511852946.5
    本发明属于宽禁带半导体材料制备技术领域，涉及一种动态相变调控异质衬底、氮化镓外延制作方法。本发明通过调控异质衬底的晶格匹配和应力分布，提升GaN外延层的质量，降低缺陷密度，并增强其在高压、高功率应用中的可靠性。
    2026-03-17
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411331445.8
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一底电极层、一保护层、一绝缘层、一顶电极层、一第一接触结构以及一第二接触结构。底电极层包含一第一阶梯结构，其中第一阶梯结构包含一第一阶面以及一第二阶面低于第一阶面。保护层设置于第二阶...
    2026-03-17
  • 一种异质结基多模态光电突触器件及其制备方法
    一种异质结基多模态光电突触器件及其制备方法_杭州电子科技大学_202610162067.8
    本发明提供一种异质结基多模态光电突触器件及其制备方法，包括依次层叠的底电极、忆阻功能层、光敏层和顶电极；所述忆阻功能层包含富含氧空位的金属氧化物，且具有微纳结构表面；所述光敏层覆盖于忆阻功能层的微纳结构表面，与忆阻功能层形成异质结界面；所述...
    2026-03-17
  • 包含可变电阻式存储器和双电容的半导体结构及制作方法
    包含可变电阻式存储器和双电容的半导体结构及制作方法_联华电子股份有限公司_202411331354.4
    本发明提供一种包含有可变电阻式存储器和双电容的半导体结构以及其制作方法，其中包含有可变电阻式存储器(RRAM)和双电容的半导体结构包含一基底，基底上定义有一元件区以及一电容区位于元件区旁，一可变电阻式存储器位于元件区内，其中可变电阻式存储器...
    2026-03-17
  • 存储芯片、存储系统及电子设备
    存储芯片、存储系统及电子设备_华为技术有限公司_202411207711.6
    本申请公开的实施例属于存储技术领域，特别涉及一种存储芯片、存储系统及电子设备。其中，存储芯片的存储单元包括相叠置的存储层、第一金属层、第一电极层和第二电极层，其中，存储层和第一金属层位于第一电极层和第二电极层之间。在存储层处于高阻态的情况下...
    2026-03-17
  • 一种仿视网膜全色神经突触器件及其制备方法
    一种仿视网膜全色神经突触器件及其制备方法_北京邮电大学_202411196380.0
    本发明提供了一种仿视网膜全色神经突触器件及其制造方法，包括：衬底层，构成器件支撑部分；电极层，位于衬底层之上，包括左边栅电极、中间栅电极、右边栅电极、源电极及漏电极；沟道层，位于衬底层和源电极、漏电极上，远离左边栅电极、中间栅电极及右边栅电...
    2026-03-17
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411253317.6
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有第一金属层；在所述第一金属层及所述第一基底的表面形成介质阻挡层；在所述介质阻挡层中形成暴露所述第一金属层的开口，其中，所述开口包括一体连接的第一段和第二段，所述第二段的宽度...
    2026-03-17
  • 约瑟夫森结电阻调控方法、装置及电子设备
    约瑟夫森结电阻调控方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411166450.8
    本发明公开了一种约瑟夫森结电阻调控方法、装置及电子设备，属于量子芯片制备技术领域。该约瑟夫森结电阻调控方法中，根据待调控约瑟夫森结的第一位置信息，制备具有通孔的目标掩膜，利用目标掩膜的通孔仅暴露待调控约瑟夫森结，以对待调控约瑟夫森结进行定向...
    2026-03-17
  • 一种超导量子芯片及其制备方法和电子设备
    一种超导量子芯片及其制备方法和电子设备_深圳量旋科技有限公司_202511873003.0
    本申请提供了一种超导量子芯片及其制备方法和电子设备，涉及超导量子技术领域。超导量子芯片由第一量子裸片和第二量子裸片倒装键合形成，从而能够避免出现现有技术中所有超导量子比特和底层电路均制备在同一二维平面上所导致的问题，提高了超导量子芯片的性能...
    2026-03-17
  • 一种约瑟夫森结、版图结构及其制造方法
    一种约瑟夫森结、版图结构及其制造方法_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411166451.2
    本申请公开了一种约瑟夫森结、版图结构及其制造方法，属于量子芯片制造技术领域。制造版图结构的方法包括：获得与预设的标准参数对应的实际参数；根据实际参数，获得用于修正所述图形理论线宽的修正量；以及根据所述修正量，将蒸镀图形的宽度由所述图形理论宽...
    2026-03-17
  • 磁性隧道结器件及自旋轨道矩磁阻式随机存储器
    磁性隧道结器件及自旋轨道矩磁阻式随机存储器_浙江驰拓科技有限公司_202411210697.5
    本申请提供了一种磁性隧道结器件，包括：依次层叠设置的势垒层、第二铁磁层、耦合层、第一铁磁层和自旋轨道层；所述自旋轨道层的材料为Bi1‑xSbx，0.1≤x≤0.3。本申请在Bi1‑xSbx构成的自旋轨道层和CoFeB、FeB、含CoFeB多...
    2026-03-17
  • 一种自旋阀器件及其制备方法与检测方法
    一种自旋阀器件及其制备方法与检测方法_中国科学院化学研究所_202411226524.2
    本发明公开了一种自旋阀器件及其制备方法与检测方法。本发明提供了环化靛蓝类材料作为非磁性中间层在自旋阀器件中的应用。本发明还提供了利用环化靛蓝类材料作为非磁性中间层的自旋阀器件及其制备方法，以及针对所述自旋阀器件中非磁性中间层自旋扩散长度的检...
    2026-03-17
  • 一种电操控垂直磁矩翻转方法、器件、磁随机存储器及电子设备
    一种电操控垂直磁矩翻转方法、器件、磁随机存储器及电子设备_上海交通大学_202511808308.3
    本发明公开了一种电操控垂直磁矩翻转方法，该方法利用自旋源层的高指数晶面的低对称性，实现自旋电子器件面外自旋极化电流的产生，并且在自旋源层/垂直铁磁层结构中翻转铁磁层的垂直磁矩。所述的低对称性是指仅存在一个一重旋转对称轴+一个镜面对称性，或者...
    2026-03-17
  • 柔性器件及其制备方法和柔性自旋电子器件
    柔性器件及其制备方法和柔性自旋电子器件_武汉大学_202411269154.0
    本申请公开了一种柔性器件及其制备方法和自旋电子器件，所述柔性器件包括柔性衬底，以及设置于所述柔性衬底表面的二维范德华铁磁材料层，所述二维范德华铁磁材料层具有斯格明子晶格。由此，本申请通过在柔性衬底上集成具有斯格明子晶格的二维范德华铁磁材料层...
    2026-03-17
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411348917.0
    本发明公开一种制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件及其制作方法，其中该制作磁阻式随机存取存储器元件主要先形成一金属间介电层于一基底上，然后形成第一金属内连线以...
    2026-03-17
  • 一种电子器件及车辆
    一种电子器件及车辆_博泰车联网科技(上海)股份有限公司_202411688980.9
    本申请公开了一种电子器件及车辆，涉及电子器件技术领域。该电子器件包括基体和压电件。其中，基体包括至少两个承载部，相邻的两个承载部通过减振结构连接，减振结构用于减少相邻的两个承载部之间振动的传递；每一个承载部上均设置有压电件，任意两个压电件的...
    2026-03-17
  • 一种剪切型压电敏感结构
    一种剪切型压电敏感结构_中北大学_202511851453.X
    本发明公开一种剪切型压电敏感结构，涉及压电传感器技术领域，包括：基座、基柱、压电基片以及质量块，基柱设置在基座上，基柱的外周设置有至少一个质量块，质量块与基柱之间夹持设置压电基片，压电基片以及质量块均与基座间隔设置，压电基片靠近质量块的端面...
    2026-03-17
  • 半导体材料和半导体薄膜片
    半导体材料和半导体薄膜片_华为技术有限公司_202411198090.X
    本申请提供了一种半导体材料和半导体薄膜片，该半导体材料可以包括钪元素、铝元素和氮元素，并可以通过ScAlMgO4衬底制备。半导体材料中钪元素的含量能够使得其具有较大的压电系数。衬底ScAlMgO4晶体的晶格常数与包含钪元素的半导体材料的晶格...
    2026-03-17
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