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最新专利技术
  • 一种背面分步分区掺杂的TBC晶硅电池及其制备方法
    一种背面分步分区掺杂的TBC晶硅电池及其制备方法_浙江大学_202511607587.7
    本发明公开了一种背面分步分区掺杂的TBC晶硅电池及其制备方法。制备方法包括：提供N型单晶硅基底，基底包括正面和背面，在背面分区分步进行退火处理，独立各区域的掺杂激活；在N型单晶硅基底正面制备具有金字塔形貌的绒面结构以增强陷光效果；对第一区域...
    2026-03-28
  • 基于VR技术的电池片贴合方法、装置、电子设备以及介质
    基于VR技术的电池片贴合方法、装置、电子设备以及介质_银河航天科技(南通)有限公司_202511587202.5
    本申请提供一种基于VR技术的电池片贴合方法、装置、电子设备以及介质，涉及卫星制造技术领域。本申请提供的基于VR技术的电池片贴合方法包括：获取当前批次的多个太阳翼的第一基础信息和多个太阳翼分别对应的多个电池片分别对应的第二基础信息；基于第一基...
    2026-03-28
  • 一种光伏组件的制备方法及制备装置
    一种光伏组件的制备方法及制备装置_一道新能源科技股份有限公司_202411279990.7
    本发明提供一种光伏组件的制备方法及制备装置，涉及光伏组件制造技术领域，该光伏组件的制备方法包括：将电池片按预设尺寸进行切割；对任一电池片的相对两侧分别印刷锡膏，使电池片的相对两侧均能够形成多个间隔设置的锡膏区域，多个锡膏区域呈阵列状排布，从...
    2026-03-28
  • 基于涡旋光优化光电导开关输出性能的装置及方法
    基于涡旋光优化光电导开关输出性能的装置及方法_西安理工大学_202511709671.X
    本发明公开的基于涡旋光优化光电导开关输出性能的装置及方法，包括激光器，沿激光器的光束传播方向依次设置有滤波片、聚焦透镜、螺旋相位板和光电导开关；激光器的输出端与螺旋相位板的入光面同轴对准，螺旋相位板的出光面与光电导开关的间隙区域同轴对准。方...
    2026-03-28
  • 双模式成像芯片
    双模式成像芯片_厦门大学_202511863588.8
    本公开提供了一种双模式成像芯片，包括：光电探测阵列层；短波转换层，短波转换层由钙钛矿量子点组成，根据设定的图案，对光电探测阵列层中的部分像素进行覆盖；以及信号处理层，信号处理层提供第一信号输出端和第二信号输出端，第一信号输出端用于输出第一像...
    2026-03-28
  • 光感测装置
    光感测装置_睿生光电股份有限公司_202411280171.4
    本揭示提供一种光感测装置，其包括晶体管、光感元件、平坦层、偏压线、闪烁体层以及走线层。晶体管设置于基板上。光感元件设置于基板上，且与晶体管电性连接。平坦层设置于光感元件上，且部分地复盖光感元件。偏压线在主动区中设置于平坦层上，且与光感元件电...
    2026-03-28
  • 一种双方形可见光探测器遮光罩
    一种双方形可见光探测器遮光罩_北京环境特性研究所_202511792745.0
    本发明涉及一种双方形可见光探测器遮光罩，涉及光电探测领域，包括第一光阑、第二光阑、第三光阑和外壳，第一光阑、第二光阑和第三光阑呈阶梯式分布在外壳内，其中沿光线传播方向依次为外径最大的第三光阑、外径居中的第二光阑和外径最小的第一光阑，外壳位于...
    2026-03-28
  • 一种抑制CIS暗电流的方法及CIS
    一种抑制CIS暗电流的方法及CIS_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610204137.1
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种抑制CIS暗电流的方法及CIS，方法包括：在微透镜进行等离子体刻蚀之后，执行如下步骤：在微透镜的表面形成SiO2层；在SiO2层的表面形成掺氘的α‑SiN层；利用梯度微波热耦合快速热退火技术，进行退火...
    2026-03-28
  • 背照式图像传感器及其制作方法
    背照式图像传感器及其制作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511833057.4
    本申请提供一种背照式图像传感器及其制作方法。该背照式图像传感器包括：第一基板，包括正面和背面；感光区，从第一基板正面形成于第一基板，感光区包括第一感光区、第二感光区和第三感光区；光吸收区，为第一基板背面与感光区之间的第一基板，光吸收区包括具...
    2026-03-28
  • 感光组件及其制备方法、摄像模组
    感光组件及其制备方法、摄像模组_江西晶浩光学有限公司_202511690618.X
    本申请公开了一种感光组件及其制备方法、摄像模组，包括复合电路板和感光芯片，复合电路板包括PCB和陶瓷覆铜板，PCB的基板为树脂基板，树脂基板具有第一表面，第一表面具有覆铜区和安装区，所述覆铜区位于所述安装区的外周，陶瓷覆铜板包括陶瓷基板和第...
    2026-03-28
  • 用于基于光三角测量的三维成像的具有非对称光漫射层的图像传感器、相机和成像系统
    用于基于光三角测量的三维成像的具有非对称光漫射层的图像传感器、相机和成像系统_西克IVP股份公司_202511316308.1
    本申请涉及用于基于光三角测量的三维成像的具有非对称光漫射层的图像传感器、相机和成像系统。图像传感器(331；431；531')、相机(330；530)和成像系统(305)，图像传感器用于基于光三角测量对物体(320)进行三维成像的成像系统的...
    2026-03-28
  • 电路板、图像传感器的封装结构、摄像模组及电子设备
    电路板、图像传感器的封装结构、摄像模组及电子设备_华为技术有限公司_202411296468.X
    本申请提供一种电路板、图像传感器的封装结构、摄像模组及电子设备，该电路板包括：玻璃基板、布线层和滤光层，玻璃基板用于承载布线层和滤光层。电路板具有透光区域，电路板用于在透光区域的位置处安装图像传感器。在垂直于玻璃基板的方向上，滤光层的投影与...
    2026-03-28
  • 图像传感器
    图像传感器_长鑫科技集团股份有限公司_202411289238.0
    本申请涉及图像传感器领域，提供一种图像传感器，包括第一芯片和第二芯片；第一芯片上形成有多个像素区域群，每一像素区域群包括多个像素区域，每一像素区域包括光电二极管、转移栅极和浮置扩散区域；第二芯片上形成有多个像素电路，第一芯片上的多个像素区域...
    2026-03-28
  • 芯片及其结构、晶圆及其结构和阵列芯片、阵列晶圆
    芯片及其结构、晶圆及其结构和阵列芯片、阵列晶圆_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202411188041.8
    一种芯片及其结构、晶圆及其结构和阵列芯片、阵列晶圆，芯片包括：衬底、顶层金属、键合垫和键合插塞；PID测试结构，PID测试结构包括：与顶层金属经同一工艺过程形成的测试顶层金属；包括：测试金属和测试插塞的测试天线，其中测试金属与键合垫经同一工...
    2026-03-28
  • 一种基于氧化锌纳米线网络结构的柔性紫外光探测器及其制备方法和应用
    一种基于氧化锌纳米线网络结构的柔性紫外光探测器及其制备方法和应用_达州产业技术研究院_202511943151.5
    本发明公开了一种基于氧化锌纳米线网络结构的柔性紫外光探测器及其制备方法和应用，属于柔性光电子器件技术领域。基于氧化锌纳米线网络结构的柔性紫外光探测器包括柔性衬底、氧化锌纳米线网络薄膜层、金属电极对；氧化锌纳米线网络薄膜层为单晶氧化锌纳米线，...
    2026-03-28
  • 一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
    一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法_西南技术物理研究所_202511685050.2
    本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列，采用多层垂直堆叠结构，自下而上依次设置有：背面公共电极、背面钝化层、背面单元电极、N+型衬底、N‑型外延层、N型电荷区、P+型接触层、隔离环、APD阵列抗反射层、正面...
    2026-03-28
  • 一种CIS器件及其生产方法
    一种CIS器件及其生产方法_上海微阱电子科技有限公司_202511958725.6
    本发明涉及半导体生产领域，特别是涉及一种CIS器件及其生产方法，通过在晶圆衬底上同层设置N型阱区与P型阱区；在所述N型阱区与所述P型阱区的表面设置二氧化硅栅氧层；在所述二氧化硅栅氧层的表面设置多晶硅栅极层；向设置过所述多晶硅栅极层的晶圆衬底...
    2026-03-28
  • 一种摄像头模组封装工艺
    一种摄像头模组封装工艺_盛泰光电科技股份有限公司_202511889567.3
    本发明涉及摄像头模组封装技术领域，公开了一种摄像头模组封装工艺，包括以下步骤：组装模组，将芯片安装在电路板上，再将使用金线将芯片与电路板电连接；组装模具，将模组放入第二型腔内，再将上模与下模相扣合；模具固定，使用螺栓固定上模和下模，使密封胶...
    2026-03-28
  • 一种手机摄像头模组的注塑封装方法
    一种手机摄像头模组的注塑封装方法_嘉兴乐威电子科技有限公司_202511776106.5
    本发明涉及封装技术领域。本发明公开了一种手机摄像头模组的注塑封装方法，其包括：S1：备好含线路板、图像传感器及镜头的摄像头模组组件，定位于承载面，通过承载面连通的负压气孔施负压，吸附固定组件；S2：闭合注塑模具，向型腔注电磁屏蔽复合塑料包覆...
    2026-03-28
  • 双面三维探测器及其制备方法和应用
    双面三维探测器及其制备方法和应用_中国科学院微电子研究所_202511482339.4
    本申请提出一种双面三维探测器及其制备方法和应用，双面三维探测器包括：基底层、第一电极、第二电极和欧姆连接层；第一电极设置在基底层中，且沿第一方向延伸，第一电极的深宽比为80~110：1；沿第一方向，第一电极的上表面和第二电极的下表面分别位于...
    2026-03-28
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