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  • 本发明公开了一种用于低温超大靶面探测器的封装结构及探测器,解决了现有技术中探测器尺寸增大导致封装结构热变形量增大,其与封装结构之间的辐射漏热也越多,导致制冷效果差,以及封装结构越厚,内部零件之间安装接触面越大,热阻越小、寄生漏热越大的技术问...
  • 本申请公开了一种太阳能电池片及其制备方法及光伏组件,涉太阳能电池技术领域,太阳能电池片包括:电池片本体;栅线,栅线位于电池片本体的表面上;转光涂层,转光涂层覆盖栅线,且露出栅线之间的电池片本体;其中,转光涂层包括转光材料,所述转光材料包括长...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供一种太阳电池、电池组件及光伏系统,太阳电池包括:电池主体,电池主体包括相对设置的正面和背面,电池主体的背面具有沿第一方向交替间隔设置的第一副栅和第二副栅,第一副栅和第二副栅的极性相反;覆盖设置于第一副栅和/或第...
  • 本发明提供一种间隙反光膜及一种光伏组件,所述间隙反光膜包括依次叠置的胶膜层和反光膜层,所述反光膜层包括依次叠置的连接层、中间反光层和棱镜反光层,所述反光膜层通过连接层粘结于胶膜层,所述棱镜反光层由多个倾斜面向上形成凸起棱镜。安装于电池间隙、...
  • 本申请涉及一种探测器,包括衬底;波导层,位于衬底以上;吸收层,位于部分所述波导层上;以及布拉格反射结构,至少部分环绕所述吸收层。本申请还提供了相应的探测器的制备方法。本申请所公开的探测器,由于增加了围绕吸收层的布拉格反射结构,使得吸收层与波...
  • 本发明公开了一种具有咔唑基苯腈有机衍生物修饰层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其截面结构自下而上依次包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿活性层、咔唑基苯腈有机衍生物修饰层、空穴传输层、电子阻挡层和金属对电极;所述咔唑基苯腈有机衍生物为采...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池及其制作方法、电池组件及光伏系统,包括:电池本体;设于电池本体的保护层;保护层上设有识别图案,所述识别图案为圆形或者椭圆形。如此,可以在太阳能电池的电池本体表面形成具有识别图案的保护层,避...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:基底,所述基底具有沿第一方向上相对的第一面和第二面;介质层,位于所述第一面和所述第二面中的至少一者上,所述介质层中包括多个孔隙,至少部分数量的孔隙沿第一方向上贯穿介质层...
  • 本申请公开了一种栅线保护结构、电池片、光伏组件及光伏系统,设置在电池片上,所述电池片包括第一表面、第二表面和切割面,切割面分别与第一表面和第二表面相交,第一表面上设置有第一栅线,切割面覆盖有钝化层,第一表面设置有第一切割边缘,所述栅线保护结...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是一种太阳能电池及光伏组件。太阳能电池包括基底、掺杂多晶硅层、第一电极和第二电极,基底表面设置有P型掺杂区,且P型掺杂区具有第一凹陷部,第一电极通过第一凹陷部与P型掺杂区电性连接,掺杂多晶硅层具有第二凹陷部,第二...
  • 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。所述太阳能电池包括半导体基底,所述半导体基底的背面包括第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极的极性相反且间隔排布互不导通;所述第一电极包括第一接触区和第一跨越区;第一接触区与第一极性半导...
  • 本发明涉及光伏组件技术领域,尤其涉及一种电池片、电池串及光伏组件。该电池片包括基片,基片的背面上设置有第一、二汇流电极和第一、二集电栅线;第一汇流电极和第二汇流电极均沿X向延伸且二者沿Y向交替间隔排布,每相邻的两个汇流电极之间设置有沿X向交...
  • 本申请涉及光伏领域,提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件,至少可以提高背接触电池的性能和可靠性。背接触电池包括:基底、第一细栅、第二细栅、第一主栅、第二主栅、隔离结构。基底具有第一面和第二面;第一细栅和第二细栅沿第一方向交替分布在第二面上...
  • 本发明提供了一种太阳能电池接触结构、其制备方法及太阳能电池,所述的太阳能电池接触结构包括依次层叠设置的掺杂钝化层、钝化接触层与电极层,所述电极层包括若干个金属电极,所述金属电极贯穿所述钝化接触层后部分伸入所述掺杂钝化层的内部,并与所述掺杂钝...
  • 本申请涉及太阳电池领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。所述太阳电池包括电池基体以及设置于所述电池基体上的电极,所述电极内具有多个孔结构,所述电极具有垂直于所述电极的长度方向的电极截面,多个所述孔结构在所述电极截面上的总面积为S1,...
  • 本发明涉及柔性太阳能电池技术领域,特别涉及一种柔性太阳能电池的一体化前电极膜及制备方法。前电极膜包括柔性基底,金属导电层,界面修饰层,绝缘层,粘接层,本发明采用一体化铜网结构完全替代目前的银浆方案,并通过“四层协同设计”解决铜的氧化、界面接...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和电池组件,涉及太阳能电池技术领域。本发明改进了第一极性区域和第二极性区域之间的隔离区域结构,该隔离区域包括第一子隔离区、沟槽区域和第二子隔离区,利用第一子隔离区和第二子隔离区避免了钝化膜层与基底未完全...
  • 本申请涉及探测器的技术领域,具体涉及一种分级型硅纳米线超表面及其制作方法、硅基光电探测器,硅基光电探测器包括分级型硅纳米线超表面;分级型硅纳米线超表面包括硅基底,所述硅基底一侧包括侧顶面、沿所述侧顶面刻蚀生成的至少一级凹槽面,任意一级所述凹...
  • 本发明公开一种n型掺杂氮化物半导体材料及其制备方法,其中,n型掺杂氮化物半导体材料包括n型掺杂氮化物综合层;n型掺杂氮化物综合层包括n型掺杂氮化物层和嵌入在n型掺杂氮化物层中的窄禁带氮化物纳米岛;n型掺杂氮化物层的材料为宽禁带氮化物。由于本...
  • 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,涉及光伏电池技术领域。所述太阳能电池包括半导体基底,所述半导体基底的第一表面包括第一极性区域和第二极性区域,以及设置于所述第一极性区域和第二极性区域之间的间隔区域;所述第一极性区域的半导体基...
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