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  • 本发明公开一种基于图像分析的集成电路倒装封装方法,包括:预设基板、焊球、噪声权重基准及核心计算标定系数,校准检测部件与执行机构时序;采集初始对准图像及初始物理量数据;焊球加热时采集温差、焊球应力、执行机构速度,计算动态对准偏差校正量并修正;...
  • 本发明公开了一种新型晶圆级封装结构及制作方法,本发明属于半导体技术领域,步骤一:准备待加工晶圆,所述晶圆上包括焊垫;步骤二:在所述晶圆上方涂布介电材料,通过曝光显影以形成介电层,对所述介电层进行固化,所述介电层暴露出所述焊垫;步骤三:在所述...
  • 实施方式提供具有可靠性高的端子构造的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:电路基板;电路基板,设置在电路基板的上方;半导体芯片,设置在电路基板与电路基板之间;第一柱,设置在电路基板与电路基板之间;以及主端子,设置在Y方向上的电路基板的一端,...
  • 本申请提供一种半导体封装件和其形成方法。所述方法包括:提供具有第一前表面和第一后表面的第一基底;经由第一多个焊料凸块将多个导电块安装在所述第一基底的所述第一前表面上;提供具有第二前表面和第二后表面的第二基底;经由第二多个焊料凸块将所述第二基...
  • 本发明公开了一种低杂散电感的功率半导体模块,涉及电子器件技术领域。其包括散热基板、壳体及功率模块主体,壳体与散热基板合围形成容纳空间,功率模块主体设于其中。功率模块主体含绝缘陶瓷基板、三个结构适配的功率端子、信号针、IGBT芯片及二极管芯片...
  • 本申请适用于芯片封装技术领域,提供了一种玻璃基板及玻璃基板制备方法,玻璃基板包括:层叠设置的多个预制布线单元,预制布线单元包括玻璃介质层及形成于玻璃介质层至少一侧的导电布线线路,玻璃介质层的至少一侧设置有导电线路槽,导电布线线路嵌设于导电线...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种半导体芯片及其安装方法,半导体芯片包括基板、芯片功能层、绝缘层、塑封体和若干个第一贴装位点,基板的布置面的两端开设有若干个第一槽,基板的相对两侧分别形成有与布置面的朝向一致的延伸部,第一贴装位点设置在芯片...
  • 本申请实施例提供的一种载板、载板的制备方法及电子设备,涉及芯片封装技术领域,该载板包括基板、导电柱、半导体层、第一绝缘层和第一导电走线,基板包括相对设置的第一表面和第二表面,基板上具有贯穿基板的第一通孔,半导体层上具有贯穿半导体层的第二通孔...
  • 本申请实施例提供的一种载板、载板的制备方法及电子设备,涉及芯片封装技术领域,该载板包括基板、导电柱、第一种子层、第一绝缘层和第一导电走线,基板包括相对设置的第一表面和第二表面,第一种子层在基板上的正投影与第一导电走线在基板上的正投影至少部分...
  • 本申请实施例公开了一种玻璃载板结构及其制备方法,该玻璃载板结构包括第一玻璃基底、两个第一种子层、金属走线层,两个第一种子层分别位于第一玻璃基底沿厚度方向上的两侧并通过第一连接孔连接,金属走线层与对应一侧的第一种子层连接,第一种子层的部分边缘...
  • 本申请提供了一种封装基板及其制备方法、芯片封装结构和电子设备,包括支撑基板、导电部、种子层和布线层,支撑基板设有通孔,导电部位于通孔内,种子层包括连续设置的第一种子部和第二种子部,第一种子部位于通孔内壁和导电部之间,第二种子部叠置在支撑基板...
  • 本申请提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括芯片单元、塑封层、第一再布线结构、第二再布线结构、绝缘层及焊料层。芯片单元包括至少一个芯片,芯片的芯片正面设有多个焊垫。塑封层至少包封芯片侧面。第一再布线结构位于芯片正面一侧,与焊垫电连接...
  • 一种封装基板,包括线路基板、覆盖层和柱体。线路基板包括介质层和线路层,线路层埋设于介质层中,介质层上开设有凹槽,凹槽由埋设线路层的介质层的表面凹陷形成,凹槽和线路层之间具有间距;覆盖层和柱体之间具有间距,覆盖层覆盖部分线路基板的表面;柱体包...
  • 晶体管封装包括晶体管芯片,晶体管芯片具有第一主侧和与第一主侧相对的第二主侧。晶体管芯片包括在第一主侧上的第一负载电极和第二负载电极。晶体管封装包括面向晶体管芯片的第二主侧的载体、横向布置在晶体管芯片旁边的第一端子柱和横向布置在晶体管芯片旁边...
  • 本发明提供一种能够抑制半导体芯片以倾斜的状态接合的半导体装置。一实施方式的半导体装置具有:半导体芯片,具有第一芯片面及第二芯片面;连接器部件,具有与第一芯片面对置的接合部及连接部;及引线框,与第二芯片面对置。连接部与接合部的第二方向的一侧的...
  • 本发明公开了一种aEASI功能优化的扇出型封装工艺与结构,涉及半导体封装技术领域,包括制备含垂直互连通道的ASIC控制模组;以玻璃为临时基板,通过热解胶固定3P2M构型扇出型导电结构A;倒置安装ASIC模组后用环氧模塑料包覆并研磨减薄;依次...
  • 一种集成TCV基板气密性封装器件的制备方法,属于电子元器件封装技术领域。所述制备方法为:利用激光打孔或机械打孔的方式在高强度LTCC生瓷片上进行不同孔径、孔距的垂直通孔制备;垂直通孔在生瓷带叠层和烧结前,使用高热导率的铜导体浆料对大深径比铜...
  • 本申请提供了一种封装基板的制备方法、封装基板及封装结构,封装基板的制备方法包括:在预置基板上制备介质层,预置基板包括衬底和位于衬底上的第一导电层,介质层具有第一开孔,第一开孔暴露部分第一导电层;在第一开孔中制备导电部,在垂直于衬底的方向上,...
  • 本申请提供了一种封装载板的制备方法,包括:在基板上制备多个通孔;对通孔进行检测,多个通孔包括孔径为第一孔径的合格孔以及孔径小于第一孔径范围的第二子通孔;环绕第二子通孔的周向制备第一改性部,第一改性部的直径和第一孔径范围之间的误差小于或者等于...
  • 本发明涉及一种多层载板的层间混合对位方法、系统和制造设备,属于载板制造技术领域。包括:S1、从基板上选择至少一个线路层作为固定基准层;其中线路层包括多个对位靶标;S2、根据当前待制作线路层与固定基准层上对位靶标的位置信息,建立坐标映射关系;...
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