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最新专利技术
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511287877.8
    提出了一种制造半导体器件(100)的方法。该方法包括在半导体主体(102)的第一表面(1021)处处理半导体主体(102)。处理半导体主体(102)包括在第一表面(1021)之上形成布线区域(104)。此后，该方法进一步包括在半导体主体中形...
    2026-04-18
  • 一种磁电自旋晶体管及其制造方法、电子设备
    一种磁电自旋晶体管及其制造方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202511615054.3
    本发明公开一种磁电自旋晶体管及其制造方法、电子设备，涉及自旋晶体管技术领域，使沟道材料在保持长自旋扩散长度的同时，同时获得增强的自旋轨道耦合。磁电自旋晶体管包括叠层异质结构、源极、漏极、栅极和栅介质层。叠层异质结构包括依次设置的磁电衬底层和...
    2026-04-18
  • 具有氢控制层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置
    具有氢控制层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511173874.1
    本公开提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层；与所述有源层间隔开的栅极电极；和在所述有源层与所述栅极电极之间的栅极绝缘膜，其中所述栅极绝缘膜包括：绝缘层；在所述绝缘层上的氢控制层；和在所述氢控制层上的氢供应层，其中所述氢供应层具有比所述绝缘层高...
    2026-04-18
  • 碳化硅半导体器件及其制备方法
    碳化硅半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511982186.X
    本申请提供了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，该碳化硅半导体器件包括：基底，基底的一侧表面上具有第一沟槽；第一源区，位于第一沟槽底部的基底中；第二源区，位于第一沟槽两侧的基底中；沟槽栅结构，位于第一沟槽中，且与第一源区接触；平面栅结构，位于...
    2026-04-18
  • 沟槽栅碳化硅MOSFET及其制造方法
    沟槽栅碳化硅MOSFET及其制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511941261.8
    本发明公开了一种沟槽栅碳化硅MOSFET，形成于第一导电类型掺杂的碳化硅外延层中的第二导电类型掺杂的第一埋层的顶部表面低于栅极沟槽的底部表面；在沟道区的第一侧面外侧形成有填充于第二沟槽中的异质结多晶硅层。由位于第一埋层的顶部表面之上的碳化硅...
    2026-04-18
  • 一种半导体器件及电子设备
    一种半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202511929818.6
    本公开提供的一种半导体器件及电子设备，每一组电流扩散层、P型阱层、P+区和N+区构成器件的源极区，通过在两个源极区设置两个沟槽栅，并且两个沟槽栅的底部和二者之间均形成P+屏蔽层，这样可以保证P+屏蔽层在最短路径上与源电极相连，该P+屏蔽层可...
    2026-04-18
  • MOSFET功率器件及其制备方法
    MOSFET功率器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511911784.8
    本申请公开了一种MOSFET功率器件及其制备方法。MOSFET功率器件包括：位于沟槽中的屏蔽栅和第一隔离介质层，屏蔽栅包括第一部分和第二部分，第一部分位于沟槽的底部，第一隔离介质层位于沟槽中以及第一部分背离衬底的一侧；栅极，位于第一隔离介质...
    2026-04-18
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511911615.4
    本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧表面上；第一掺杂区，位于外延层中，第一掺杂区与外延层的掺杂类型不同；第二掺杂区，位于第一掺杂区中，第二掺杂区与第一掺杂区的掺杂类型不同；量子阱结构，位于第...
    2026-04-18
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511911612.0
    本申请涉及半导体领域，提供一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件包括：衬底；外延层位于衬底上且具有第一掺杂类型；多个基区在外延层内间隔设置且具有第二掺杂类型；源极位于基区背离衬底的一侧；JFET区位于外延层内相邻的基区之间；栅极位于J...
    2026-04-18
  • 开关元件
    开关元件_株式会社电装_202511352714.3
    一种开关元件，具有第一下部p层和第二下部p层中的至少一方作为下部p层，第一下部p层从下侧与栅极绝缘膜相接并且从上侧与漂移层相接，所述第二下部p层从下侧与体层相接并且从上侧与所述漂移层相接。所述下部p层具有：高浓度层，具有所述下部p层内的p型...
    2026-04-18
  • 开关元件
    开关元件_株式会社电装_202511335108.0
    一种开关元件，具有由碳化硅构成的半导体基板(12)和隔着栅极绝缘膜与所述半导体基板对置的栅极电极(22)。所述半导体基板具有n型源极层(32)、p型体层(36)、n型第一漂移层(41)、n型第二漂移层(42)和n型漏极层(48)，n型第一漂...
    2026-04-18
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511304037.8
    本公开的目的在于，提供一种能够在降低栅极电荷量的同时抑制饱和电流的降低的技术。半导体装置具备：半导体基板，设置有漂移层、载流子积蓄层以及基极层；和两级有源沟槽构造体，设置于半导体基板。与下级电极的侧部接触的下级绝缘膜的厚度比与上级电极的侧部...
    2026-04-18
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511280953.2
    本发明提供能够抑制接通损失的增加并且提高可靠性的半导体装置。本公开的半导体装置具有第一沟槽电极以及第二沟槽电极，第一沟槽电极形成两层构造，具有：下层电极，其设置于成为第二主电极侧的下侧；上层电极，其设置于成为第一主电极侧的上侧；第一沟槽绝缘...
    2026-04-18
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511274312.6
    本发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。在具备在沟槽内上下断开的栅极电极的半导体装置中，防止耐破坏性的降低，且实现Cgc/Cge比的增大以及Qg的减少。半导体装置具备：沟槽(7)，贯通源极层(5)以及基极层(3)而到达漂移层(2)；第...
    2026-04-18
  • 平面型分裂栅VDMOSFET及其制造方法
    平面型分裂栅VDMOSFET及其制造方法_东南大学_202411341958.7
    本发明涉及一种平面型分裂栅VDMOSFET及其制造方法，所述平面型分裂栅VDMOSFET包括：漏极区；漂移区位于漏极区上；漏电极，位于漏极区背离漂移区的一面；JFET区，位于漂移区上；体区位于漂移区上、JFET区的两侧；源极区，位于体区上、...
    2026-04-18
  • 包括高压器件的半导体器件
    包括高压器件的半导体器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511317921.5
    一种半导体器件(500)，包括高压器件(510)。高压器件包括具有第一内部区(210)的中心区(200)。终端区域(300)横向地围绕中心区(200)并且包括第一延伸区(310)。第一延伸区(310)形成在第一内部区(210)与第一外部区(...
    2026-04-18
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411319962.3
    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：底部半导体层；掩埋介质层，位于底部半导体层上；晶体管结构，位于掩埋介质层上；第一绝缘隔离结构，位于晶体管结构的侧面，第一绝缘隔离结构向下延伸至掩埋介质层；导电结构，侧面被第一绝缘隔离...
    2026-04-18
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件
    横向扩散金属氧化物半导体器件_无锡华润上华科技有限公司_202411300433.9
    本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，衬底内设有漂移区、体区、源区和漏区；体区和漏区沿第一方向间隔地排布于漂移区内，源区设于体区内；第一方向垂直于衬底的厚度方向；栅极，设于衬底上，栅极在衬底上...
    2026-04-18
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件
    横向扩散金属氧化物半导体器件_无锡华润上华科技有限公司_202411297360.2
    本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，所述衬底内设有漂移区、体区、源区和漏区；所述体区和所述漏区间隔地排布于所述漂移区内，所述源区设于所述体区内；栅极，设于所述衬底上，所述栅极在所述衬底上的正投...
    2026-04-18
  • MOSFET器件和MOSFET器件的制备方法
    MOSFET器件和MOSFET器件的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511922370.5
    本申请提供了一种MOSFET器件和MOSFET器件的制备方法。MOSFET器件包括衬底、外延层、沟槽栅极结构、源极结构以及漏极结构，外延层位于衬底的一侧；沟槽栅极结构位于外延层中，在衬底指向外延层的方向上，沟槽栅极结构的宽度逐渐增大，沟槽栅...
    2026-04-18
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