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  • 本发明可应用于与显示装置相关的技术领域,并且涉及例如微型发光二极管(LED)、使用其的显示装置及其制造方法。本发明可以包括:第一导电类型半导体层;第二导电类型半导体层;有源层,所述有源层位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层...
  • 本发明涉及光生成结构,该光生成结构包括至少第一导电类型的第一层、第二导电类型的第二层以及第一层与第二层之间的有源区的半导体层堆叠。半导体层堆叠包括发光表面、与发光表面相对的底表面以及从底表面向发光表面的方向延伸的第一侧壁部分。第一侧壁部分包...
  • 本发明涉及光电器件特别是包括基于磷化物材料系统的层堆叠的µLED,所述层堆叠分别包括p掺杂侧和n掺杂侧,其间具有有源层。层堆叠包括暴露至少p掺杂侧和有源层的侧壁的台面结构。n掺杂侧的层在横向方向上延伸超过层堆叠的台面结构的侧壁。介电层覆盖p...
  • 描述了一种系统,该系统包括:太阳能制品(110),该太阳能制品包括第一主表面(在日间使用期间面向太阳)和相对的第二主表面。保护膜(150),该保护膜包括第一主表面(在日间使用期间面向太阳)和相对的第二主表面。太阳能制品(110)的第一主表面...
  • 实施方式的透明电极以包含Zn、O及M0所表示的元素的化合物作为主体,M0所表示的元素在包含Zn、O及M0所表示的元素的化合物中在厚度方向上具有疏密的分布地分散。
  • 提供一种导线对齐装置。根据本发明一个方面的导线对齐装置,可包括:对齐单元,能够将与第一电池片电连接的第一导线的第一部分及与第二电池片电连接的第二导线的第二部分,在所述第二电池片的一表面上进行并排对齐(align);移动单元,能够将所述对齐单...
  • 一种光检测装置,包括第一层和第二层,第一层包括多个具有第一折射率的第一结构和配置在第一层内并具有第二折射率的第一介质,其中第一折射率不同于第二折射率,第二层包括多个具有第三折射率的第二结构和配置在第二层内并具有第四折射率第二介质,其中第三折...
  • 根据本公开实施例的光检测装置包括第一半导体层、浮动扩散层、第一晶体管和第一配线。第一半导体层具有彼此相对的第一表面和第二表面,且包括埋入在每个像素中的光电转换器。浮动扩散层埋入在第一半导体层的第一表面中,具有与第一表面齐平或突出于第一表面的...
  • 本发明涉及一种层压式嵌装玻璃(1),该层压式嵌装玻璃包括第一片材(11)和第二片材(12)以及作为粘合层的至少一个夹层(13);电气装置(14),该电气装置具有在该嵌装玻璃(1)内部层压在两个夹层(13)之间的多于一个端部连接器(141)。
  • 一种光电电源,包括一个或更多个光子捕获和存储结构,该一个或更多个光子捕获和存储结构被配置用于在基本上与重力场的方向重合的方向上来回反弹被捕获在其真空腔内的光子;以及至少部分地包裹该一个或更多个光子捕获和存储结构的光换能器材料/层,用于从光子...
  • 一种芯片包括合并单元,该合并单元包括:第一p型扩散长度(LOD)区,该第一p型扩散长度(LOD)区在第一方向上延伸;第一n阱,该第一n阱位于第一p型LOD区下方;第一供电轨,该第一供电轨被配置为接收第一供电电压;和第一n抽头,该第一n抽头将...
  • 电力转换装置具备:半导体封装件,其具有半导体元件,分别构成上下臂电路;以及布线基板,其具有布线层,将所述布线层和所述半导体封装件的一个表面电连接,所述半导体封装件具有第一导体和第二导体,所述第一导体与形成在所述半导体元件的一个表面上的主电极...
  • 本发明提供一种半导体装置的制造方法,其能够实现终端区域的宽度的缩小和终端区域中的电场的缓和。该半导体装置在有源区域的周边且在具有第一导电型的第一半导体区域的表面具有终端区域,该终端区域形成有作为降低表面电场区域发挥功能的具有第二导电型的多个...
  • 本发明关于一种垂直场效应晶体管(FET)。根据本发明的垂直FET包括基板及配置为晶体管的源极或漏极的第一电极。所述装置包括配置为晶体管的源极及漏极中的另一个的第二电极,第二电极至少部分地在重叠区域与所述第一电极重叠。此外,所述装置包括夹在第...
  • 公开了一种用于将两个电路端子耦合在一起的混合开关电路。所述混合开关电路包含耦合在第一电路端子与第二电路端子之间的一组双向开关装置。所述混合开关电路还包含也耦合在所述第一电路端子与所述第二电路端子之间的一组单向开关装置。在一些情况下,所述一组...
  • 提供了半导体装置的系统、装置和制造方法。在一个方面,半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括存储器阵列。存储器阵列包括沿第一方向堆叠的第一存储器子阵列和第二存储器子阵列。第一存储器子阵列的第一行存储器单元和第二存储器...
  • 一种存储器装置可以包括位于半导体基板上的存储器单元的阵列。每个存储器单元可以包括:第一阱,位于半导体基板中,具有第一导电类型;第二阱,与第一阱相邻并具有第二导电类型,并且与第一阱限定耗尽层;以及纳米晶体,位于耗尽区中,每个纳米晶体包括半导体...
  • 本公开内容涉及用于管理半导体装置中的连接结构的方法、装置、系统和技术。示例半导体装置包括沿着第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体和沿着第一方向彼此交替的电介质层和隔离层的第二堆叠体。半导体装置还包括沿着垂直于第一方向的第二方向在第一...
  • 公开了各种3D单元、阵列结构和工艺。在实施例中,提供了一种存储单元阵列结构,该存储单元阵列结构包括被组织成多行和多列的存储单元、输入线(其中每个输入线连接到选定行中的存储单元,并且这些输入线形成输入线组)和输出线(其中每个输出线连接到选定列...
  • 一种拣取和放置系统,包括:承载带径向进料器和被配置来在所述组件切割和/或放置位置处拣取所述承载带的所述多个组件中的一个组件的拣取头。所述承载带径向进料器包括:驱动链轮,其具有多个链轮齿;组件切割和/或放置位置,其包含模具基准面;以及下拉机构...
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