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最新专利技术
  • 一种汇流条续接工艺
    一种汇流条续接工艺_无锡奥特维科技股份有限公司_202511957655.2
    本申请涉及光伏组件技术领域，尤其是涉及一种汇流条续接工艺。在汇流条续接工艺中，将前一个汇流条的尾部区域和后一个汇流条的头部区域上下叠放，使两个汇流条在长度方向上形成预设长度的重合区域；之后在两个汇流条的重合区域制作舌片，再将舌片翻折压紧的方...
    2026-04-22
  • 层压机
    层压机_中国乐凯集团有限公司_202511911077.9
    本申请公开了一种层压机，层压机包括上腔室、下腔室、分隔层和控温装置，下腔室适于供层压件置于其中，分隔层设于上腔室和下腔室之间，分隔层适于朝向下腔室形变以接触层压件并对层压件施压，控温装置适于在分隔层对层压件施压时加热层压件，且适于在分隔层对...
    2026-04-22
  • CMOS兼容的方位角敏感的红外探测器及其制作方法
    CMOS兼容的方位角敏感的红外探测器及其制作方法_湖北九峰山实验室_202511814316.9
    本申请涉及红外探测器制备的技术领域，具体涉及一种CMOS兼容的方位角敏感的红外探测器及其制作方法，包括S1、在硅基底表面刻蚀生成硅纳米线阵列；S2、将硅纳米线阵列置于4.75‑5.25% HF溶液浸泡4.5‑5.5 min，得浸泡后硅纳米线...
    2026-04-22
  • 一种背接触电池的制造方法
    一种背接触电池的制造方法_隆基绿能科技股份有限公司_202511759245.7
    本发明公开一种背接触电池的制造方法，涉及光伏技术领域，以提高背接触电池的工作性能。背接触电池的制造方法包括：提供一半导体基底。沿半导体基底的厚度方向，在半导体基底的第一面上依次形成层叠的第一界面钝化层和第一掺杂硅层。在第一掺杂硅层背离半导体...
    2026-04-22
  • 光伏组件制备方法及设备
    光伏组件制备方法及设备_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511700917.7
    本发明公开了一种光伏组件制备方法及设备，光伏组件制备方法包括：排布电池片；通过夹持装置夹持互联件，并将互联件铺设在电池片的背面；通过压具压住互联件和电池片；通过激光对导热板背离电池片的一侧进行加热，以对互联件和电池片进行焊接。本发明实施例中...
    2026-04-22
  • 一种双曲光伏组件的制备方法及双曲光伏组件
    一种双曲光伏组件的制备方法及双曲光伏组件_龙焱能源科技(杭州)股份有限公司_202511653117.4
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种双曲光伏组件的制备方法及双曲光伏组件，包括：提供模具和第一组件；第一组件和模具中的一者为双曲面，另一者为平面；将第一组件临时粘结在模具上；第一组件的形状跟随模具的形状变化并保持；对第一组件进行膜层处理和/...
    2026-04-22
  • 一种光伏电池制作方法及加工设备
    一种光伏电池制作方法及加工设备_广东明阳薄膜科技有限公司_202511456332.5
    本发明公开了一种光伏电池制作方法及加工设备，加工设备包括基壳、输液模组以及氧化生成模组，光伏电池制作方法包括：将光伏电池片放置于承载架模组，控制输液模组导通并且将保护液传输至反应腔，直至保护液的液面达到保护位置后控制输液模组关闭，保护液的液...
    2026-04-22
  • 铜浆固化装置及铜浆固化方法
    铜浆固化装置及铜浆固化方法_天合光能股份有限公司_202511379785.2
    本发明涉及一种铜浆固化装置及铜浆固化方法。该铜浆固化装置包括加热模块，包括加热组件及设置在加热组件底部的柔性加热载体；支撑平台，包括水冷组件和设置在水冷组件顶部周围的氮气喷射组件，水冷组件的顶部用于承载电池片，支撑平台具有升降功能，以使电池...
    2026-04-22
  • 一种太阳电池栅线制作方法
    一种太阳电池栅线制作方法_陕西众森电能科技有限公司_202411379515.7
    本发明涉及太阳电池的制备方法，具体涉及一种太阳电池栅线制作方法，用于解决现有使用镀层金属丝代替银浆来形成栅线的方案，在生产过程中需要在同一工位进行两次栅线的铺设，增加了生产的复杂性，降低了自动化程度，进而限制了双面太阳能电池的高效生产和市场...
    2026-04-22
  • 一种电池片的焊接方法、光伏组件和光伏发电系统
    一种电池片的焊接方法、光伏组件和光伏发电系统_一道新能源科技股份有限公司_202411373238.9
    本申请提供一种电池片的焊接方法、光伏组件和光伏发电系统，涉及电池片焊接技术领域。该电池片的焊接方法，包括：在电池片的表面使用网板进行第一涂覆、烘干得到涂覆后电池片；在裸铜带上进行第二涂覆，得到涂覆后铜带；将涂覆后铜带放置在涂覆后电池片上进行...
    2026-04-22
  • 图像传感器及其形成方法
    图像传感器及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610268737.4
    本申请技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括衬底，包括若干感光区以及位于感光区之间的隔离区；位于所述隔离区上的栅格结构；位于所述栅格结构顶部的复合结构，所述复合结构包括至少两层吸光层以及位于相邻吸光层之间的间隔层，所述...
    2026-04-22
  • 极弱光全彩单光子探测器结构及其制备方法
    极弱光全彩单光子探测器结构及其制备方法_西安电子科技大学_202511890122.7
    本发明公开了一种极弱光全彩单光子探测器结构及其制备方法，结构包括阵列排布的多个微光全彩像素结构，每个包括由下至上设置的P型外延层、N型埋层、P型硅衬底、减反层、两侧的埋金属全槽隔离结构；埋金属全槽隔离结构上端引出N埋层电极板接触N型埋层上表...
    2026-04-22
  • 用于SPAD应用的嵌入式触点
    用于SPAD应用的嵌入式触点_半导体元件工业有限责任公司_202411885342.6
    本公开涉及用于SPAD应用的嵌入式触点。本发明描述了用于在基于SPAD的成像器的隔离沟槽结构中定位用于单光子雪崩二极管(SPAD)的触点的系统、设备和方法。系统、设备和方法可包括设置在相邻SPAD像素之间的正面隔离沟槽结构，其中沟槽衬有具有...
    2026-04-22
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_武汉楚兴技术有限公司_202411384034.5
    本申请公开了一种图像传感器及其制备方法，涉及图像传感器技术领域，该图像传感器的像素区包括多个像素结构，以及在多个像素结构上方层叠的第一有机层和防反射层；非像素区包括多个焊盘结构；第一有机层和防反射层组成的第一叠层由像素区延伸至非像素区并暴露...
    2026-04-22
  • 一种提升光谱响应一致性的多光谱TDICCD制备方法
    一种提升光谱响应一致性的多光谱TDICCD制备方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511836450.9
    本发明涉及一种提升光谱响应一致性的多光谱TDICCD制备方法，属于多光谱TDICCD领域。其包括：在硅外延衬底上依次形成势阱和栅氧化层；在栅氧化层表面淀积第一层多晶硅并进行大剂量离子注入，然后执行氮气处理退火；在第一层多晶硅上形成电极图案，...
    2026-04-22
  • 一种晶圆及光电转换单元
    一种晶圆及光电转换单元_杭州海康微影传感科技有限公司_202411328471.5
    本申请提供一种晶圆及光电转换单元。所述晶圆包括多个第一光电转换单元和多个第二光电转换单元；各光电转换单元错开设置，所述晶圆具有第一表面，所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元一一对应，且各所述第一光电转换单元和所对应的第二光电转换单元在...
    2026-04-22
  • 一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器
    一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器_格科半导体(上海)有限公司_202512041291.X
    本发明公开了一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器，所述制造方法包含：提供衬底，所述衬底具有相对的正面及背面；所述衬底的正面形成有金属互连层，所述金属互连层上形成有接触孔；从所述衬底的背面刻蚀形成贯穿所述衬底的第一通孔及第二通孔；...
    2026-04-22
  • 探测器的制备方法、探测器
    探测器的制备方法、探测器_杭州海康微影传感科技有限公司_202512004897.6
    本公开实施例提供了一种探测器的制备方法、探测器，涉及光学技术领域，用于实现探测器小型化的同时维持良好的光学成像效果。该探测器的制备方法包括在第一晶片的一侧形成第一透镜面；将支撑层与第一晶片靠近第一透镜面的一侧连接；支撑层包括过孔，至少一个第...
    2026-04-22
  • 用于X光探测器的电路结构及其制造方法及X光探测器
    用于X光探测器的电路结构及其制造方法及X光探测器_奕瑞电子科技集团股份有限公司_202511883857.7
    本申请的一种用于X光探测器的电路结构，采用油墨通过印刷工艺在基板上形成电路结构。电路结构包括行驱动电路和列采集电路，行驱动电路和列采集电路均包括栅极线、栅极绝缘层、半导体层、源极线及漏极线和保护层。栅极绝缘层覆盖栅极线。半导体层覆盖栅极绝缘...
    2026-04-22
  • 一种芯片模组、X射线探测器及芯片模组的拆除方法
    一种芯片模组、X射线探测器及芯片模组的拆除方法_成都善思微科技有限公司_202411374867.3
    本发明属于芯片模组技术领域，尤其涉及一种芯片模组、X射线探测器及芯片模组的拆除方法。本发明通过可破坏或可拆除的第一粘接部和第二粘接部实现芯片和基板的粘接和拆除，实现了芯片模组中芯片的可拆除以及大尺寸探测器拼接生产过程中每个芯片的独立拆卸或更...
    2026-04-22
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