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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_上海积塔半导体有限公司_202610055690.3
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备。制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底的表面设有间隔分布的栅极堆叠结构；形成掩膜层，以覆盖栅极堆叠结构的侧壁和顶部、半导体衬底的表面的至少部分结构；于未被掩膜层覆盖的半导体衬底上形成初始沟...
    2026-04-26
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511955972.0
    方法包括提供结构，结构包括底部器件和位于底部器件上方的顶部器件，形成延伸穿过顶部器件并且进入底部器件的沟槽，以及在沟槽中形成导电插塞。沟槽包括具有第一宽度的底部部分和具有第二宽度的顶部部分，第一宽度小于第二宽度。在沟槽中形成导电插塞包括在结...
    2026-04-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511955969.9
    方法包括形成第一半导体层和与第一半导体层重叠的第二半导体层。第二半导体层通过介电隔离层与第一半导体层间隔开。该方法还包括执行第一外延工艺以在第一半导体层旁边形成下部源极/漏极区域，在下部源极/漏极区域上方形成伪接触蚀刻停止层，在伪接触蚀刻停...
    2026-04-26
  • 堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备_北京大学_202511793290.4
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备。该方法包括：在衬底上形成叠层结构；叠层结构包括依次堆叠的第一有源结构、第一牺牲层和第二有源结构；基于第一有源结构，形成正面晶体管；在形成正面晶体管的过程中，将第一牺牲层替换为中间介...
    2026-04-26
  • 差分对信号雷电抑制芯片及制造方法
    差分对信号雷电抑制芯片及制造方法_西安爱邦电磁技术有限责任公司_202610051307.7
    本发明公开的差分对信号雷电抑制芯片及制造方法，包括封装基板，封装基板上设置有硅片，硅片与封装基板连接，硅片上集成有组成整流桥的第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管以及瞬态抑制二极管，各个二极管之间相互连接，并与封装基板的引脚连接。...
    2026-04-26
  • 一种半导体电路模块的封装体及电力电子变换装置
    一种半导体电路模块的封装体及电力电子变换装置_武汉羿变电气有限公司_202411384135.2
    本申请提供一种半导体电路模块的封装体，包括：基板、壳体、若干个半导体芯片、驱动电路板和接线端子。壳体的内部形成有容纳空间，基板设置于容纳空间内且与壳体连接；若干个半导体芯片设置于基板上，若干个半导体芯片相互电连接形成半导体电路模块；驱动电路...
    2026-04-26
  • 一种集成电路封装结构
    一种集成电路封装结构_智遨通(天津)信息技术有限公司_202511881766.X
    本申请的实施例公开了一种集成电路封装结构，涉及集成电路技术领域，为便于对集成电路封装结构中主芯片的电压降进行补偿而发明。所述封装结构，包括：基板；多个主芯片，所述多个主芯片堆叠在所述基板上；所述多个主芯片包括相邻设置的第一主芯片和第二主芯片...
    2026-04-26
  • 碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法
    碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411509433.X
    本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法，其中碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包含一碳化硅基底、一栅极氧化层位于该碳化硅基底上、一隔离氧化层位于该栅极氧化层上、两个栅极分别位于该隔离氧化层两侧的该栅极氧化层上，其中该两栅...
    2026-04-26
  • 一种金属场板的制造方法
    一种金属场板的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610324950.2
    本发明属于半导体技术领域，公开一种金属场板的制造方法，包括：提供一衬底；衬底上设置有层间阻绝物层；层间阻绝物层上设有金属间阻绝物层；金属间阻绝物层中设有第一金属层；提供一第一通孔光罩，将第一场板图形刻画在第一通孔光罩上，所述场板图形的区域与...
    2026-04-26
  • 基于低温氧化的SiC基沟槽型晶体管的栅氧层的制备方法及器件
    基于低温氧化的SiC基沟槽型晶体管的栅氧层的制备方法及器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511839395.9
    本发明公开了一种基于低温氧化的SiC基沟槽型晶体管的栅氧层的制备方法及器件。该制备方法包括S10、获取碳化硅基片，碳化硅基片包括平面区和具有沟槽的沟槽区；S20、形成覆盖沟槽的侧壁的第一二氧化硅掩模层；S30、进行钡离子注入，形成离子注入层...
    2026-04-26
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_三星电子株式会社_202510822377.3
    一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供包括元件区和划线区的衬底；在衬底的元件区上形成第一掩模图案，并且在第一掩模图案的侧面上形成间隔物；形成掩模膜，掩模膜沿着第一掩模图案、间隔物和衬底延伸，其中掩模膜包括在衬底的划线区上的阶梯部；形成填充...
    2026-04-26
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411404840.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成沿第一方向排列的多个分立的轴心，多个轴心至少包括多个第一轴心；形成覆盖轴心的侧墙材料层，相邻两个第一轴心相互朝向的表面之间...
    2026-04-26
  • 半导体晶圆及其制备方法
    半导体晶圆及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511779796.X
    本申请实施例提供了半导体晶圆及其制备方法，该半导体晶圆包括：衬底、多晶硅层、以及设置在所述衬底与所述多晶硅层之间的复合缓冲层，其中，所述复合缓冲层包括：第一子层，用于提供预设的应力，以至少部分抵消所述多晶硅层的平均拉伸应力；以及设置在所述第...
    2026-04-26
  • 一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法
    一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法_浙江丽隽功率半导体有限公司_202610323139.2
    本发明涉及半导体器件领域，具体是一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法。该结构设置于有源区外围，包括一个掺杂浓度梯度经过优化的JTE区，以及多个设置于其外围、形状为曲线多边形且占用面积逐级递减的场环。其制备方法关键在于采用多次离子注入来...
    2026-04-26
  • 宽禁带功率半导体器件及其制备方法
    宽禁带功率半导体器件及其制备方法_苏州惟清半导体有限公司_202512044698.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，公开了宽禁带功率半导体器件及其制备方法。方法包括：提供第一导电类型的基底层；形成深入基底层部分深度且包括由外向内依次嵌套的多个掺杂层的第一掺杂区，多个掺杂层的掺杂浓度由外向内依次递增；在第一掺杂区最内侧的掺杂层...
    2026-04-26
  • 薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法
    薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511912959.7
    本发明提供了一种薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法。薄膜晶体管沟道层包括：下界面层，位于IGZO沟道层的最下层，具有第一镓铟比；体层，位于下界面层和上界面层之间，具有第二镓铟比；以及上界面层，位于IGZO沟道层的最上层，具有第三镓铟比，...
    2026-04-26
  • 晶体管和包括晶体管的显示装置
    晶体管和包括晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511130226.8
    提供了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该显示装置包括：基板，基板包括有源区域和非有源区域。第一晶体管设置在有源区域中并且包括第一栅电极、第一a源‑漏电极、第一b源‑漏电极和第一有源层。第一栅极绝缘层设置在第一栅电极与第一有源层之间。第一栅极...
    2026-04-26
  • 一种超结MOSFET器件及其加工方法
    一种超结MOSFET器件及其加工方法_成都森未科技有限公司_202610320639.0
    本发明提出一种超结MOSFET器件及其加工方法，包括：衬底结构、漏极导体、耐压区、槽型栅极结构、栅极导体、第二基区、截止区、第一基区、源区和贯穿截止区，并嵌入第二耐压区的高k介质层，以及覆盖于源区顶部、第一基区顶部、截止区顶部以及高k介质层...
    2026-04-26
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411414826.2
    一种半导体元件包括基材、磊晶层、阱、介电层、栅极电极层以及源极接垫。基材包括邻接的阵列区与周边区。磊晶层位于基材上方。阱位于磊晶层中。介电层位于磊晶层上方且位于阵列区与周边区上方。栅极电极层位于介电层上方且位于阵列区与周边区上方。栅极电极层...
    2026-04-26
  • 半导体装置与其形成方法
    半导体装置与其形成方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411414753.7
    半导体装置包含基板、第一栅极结构与磊晶层。第一栅极结构在基板上，第一栅极结构的长度方向沿着第一方向。磊晶层在基板上，其中第一栅极结构在磊晶层中，且磊晶层包含多个第一源极区、多个第一体接触区与阱。第一源极区相邻第一栅极结构，第一源极区具有第一...
    2026-04-26
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