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最新专利技术
  • 一种基于分子对接的糖基转移酶底物催化特异性多维度评估方法、系统、设备及介质
    一种基于分子对接的糖基转移酶底物催化特异性多维度评估方法、系统、设备及介质_江南大学_202511760185.0
    本发明公开了一种基于分子对接的糖基转移酶底物催化特异性多维度评估方法、系统、设备及介质，属于蛋白质结构模拟评估技术领域，包括确定糖基转移酶，预测对应蛋白三维结构；基于预测的蛋白三维结构进行分子对接模拟；根据受体底物通道与配体差异，评估不同底...
    2026-05-01
  • 一种调控纤维连接蛋白的三维细胞外基质及其设计方法和应用
    一种调控纤维连接蛋白的三维细胞外基质及其设计方法和应用_北京大学口腔医学院_202511996479.3
    本发明公开一种调控纤维连接蛋白的三维细胞外基质及其设计方法和应用。本发明的方法通过深度学习结构预测与分子动力学模拟，精确解析了纤维连接蛋白活性结构域与材料手性表面的空间互补关系，并将获得的最优几何参数转化为可控自组装的材料制备策略，从而实现...
    2026-05-01
  • 一种基于酶法糖苷键重构的小麦粉评估系统
    一种基于酶法糖苷键重构的小麦粉评估系统_安徽皖雪食品股份有限公司_202311831271.7
    本发明涉及糖苷键重构技术领域，具体公开了一种基于酶法糖苷键重构的小麦粉评估系统，包括重构建模模块、重构状态分析模块、重构动作分析模块、血糖稳态函数构造模块以及血糖稳态评估模块；本发明通过强化学习对糖苷键重建进行建模，分析糖苷键重建过程中的动...
    2026-05-01
  • 基于碳源利用和丰度-占有模型的根际合成菌群构建方法及用途
    基于碳源利用和丰度-占有模型的根际合成菌群构建方法及用途_西北农林科技大学_202511610586.8
    本发明涉及一种基于碳源利用和丰度‑占有模型的根际合成菌群构建方法包括：采集目标植物的根际土壤样本，进行非靶向代谢组学分析，鉴定样本代谢物；基于代谢物在至少50%的品种样本中一致检测到且其相对丰度排名前10%的标准，筛选关键代谢物；测序获得根...
    2026-05-01
  • 存储介质测试方法、装置及电子设备
    存储介质测试方法、装置及电子设备_曙光信息产业(北京)有限公司_202610036640.0
    本申请提供了一种存储介质测试方法、装置及电子设备，可以应用于存储与测试技术领域。该存储介质测试方法包括：响应于确定初始测试任务的初始访问数据长度大于预定访问数据长度，确定与初始测试任务相匹配的调整参数；根据与初始测试任务相匹配的调整参数对初...
    2026-05-01
  • 一种测试设备以及测试系统
    一种测试设备以及测试系统_深圳精智达半导体技术有限公司_202511732618.1
    本申请实施例涉及半导体测试技术领域，公开了一种测试设备，包括：主控模块，信号处理模块和信号补偿电路，信号处理模块分别与主控模块和信号补偿电路通信连接；主控模块被配置为向信号处理模块发送第一差分信号和第二差分信号，信号处理模块被配置为根据第一...
    2026-05-01
  • DIMM模块测试电路、设备及方法
    DIMM模块测试电路、设备及方法_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202610308899.6
    本发明公开了一种DIMM模块测试电路、设备及方法，涉及DIMM模块领域，该DIMM模块测试电路包括：噪声电压生成模块，用于生成PMIC输入噪声电压及PMIC输出噪声电压；第一噪声电压输出模块，其第二输入端与第一噪声电压输出端连接，用于根据P...
    2026-05-01
  • 数据纠错系统、处理器、芯片产品及设备
    数据纠错系统、处理器、芯片产品及设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202512041137.2
    一种数据纠错系统、处理器、芯片产品及设备，涉及芯片技术领域。系统包括：预处理模块和缓存核心模块，预处理模块与缓存核心模块相连；预处理模块，用于通过缓存核心模块获取第一数据；基于多条目标部分写入命令处理第一数据，得到更新后的第一数据；目标部分...
    2026-05-01
  • 一种脱机NAND FLASH颗粒测试分类装置
    一种脱机NAND FLASH颗粒测试分类装置_深圳市海优达电子有限公司_202310564101.0
    本发明属于芯片测试技术领域，具体是一种脱机NAND FLASH颗粒测试分类装置，包括测试机本体和测试管控平台，测试机本体包括显示器，显示器上设有背光灯，测试管控平台包括测试环偏检测模块、设备实时监测模块和设备异常监管模块；本发明是将多台测试...
    2026-05-01
  • 校准电路、存储器、系统和校准方法
    校准电路、存储器、系统和校准方法_长江存储科技有限责任公司_202411450853.5
    本公开提供了一种校准电路、存储器、系统和校准方法。校准电路包括：驱动器，连接至连接点；多路选择电路，被配置为响应于第一选择信号，通过多路选择电路的第一输出端输出连接点的连接点电压，通过多路选择电路的第二输出端输出参考电压，以及响应于第二选择...
    2026-05-01
  • 反熔丝存储单元、反熔丝存储阵列和存储器
    反熔丝存储单元、反熔丝存储阵列和存储器_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411452074.9
    一种反熔丝存储单元、反熔丝存储阵列和存储器，反熔丝存储单元包括：反熔丝结构，反熔丝结构具有第一端以及第二端；选择晶体管，包括漏极和源极，漏极和源极中的一者与反熔丝结构的第一端耦接；稳压二极管，稳压二极管的阳极与所述漏极和源极中的另一者耦接。...
    2026-05-01
  • 反熔丝结构、存储器、反熔丝结构的编程操作和读取操作
    反熔丝结构、存储器、反熔丝结构的编程操作和读取操作_浙江驰拓科技有限公司_202411447554.6
    本申请公开了反熔丝结构、存储器、反熔丝结构的编程操作和读取操作，该反熔丝结构包括：第一单元，第一单元包括串联连接的第一MOS晶体管和数据单元；第二单元，第二单元包括串联连接的第二MOS晶体管和参考单元；灵敏放大器，灵敏放大器分别与数据单元和...
    2026-05-01
  • 存储器装置及存储器装置的操作方法
    存储器装置及存储器装置的操作方法_三星电子株式会社_202511396519.0
    公开了存储器装置及存储器装置的操作方法。所述存储器装置的示例性操作方法包括：基于第0偏置条件控制第一存储器块，第0偏置条件对应于与第一存储器块连接的多条地选择线的第0 GSL编码模式；基于第一存储器块的编程和擦除循环是第一参考值，将第一存储...
    2026-05-01
  • 闪存装置的读取方法及其读取命令格式
    闪存装置的读取方法及其读取命令格式_旺宏电子股份有限公司_202411457756.9
    本公开提供一种闪存装置的读取方法及读取命令格式。读取方法包括：基于读取命令中的特别码，判断要读取的区块是否为开放区块。开放区块具有已写入区域与未写入区域。在判断该区块不是开放区块时，且读取该区块的选择字线时，对区块中的非选择字线施加第一读取...
    2026-05-01
  • 用于非挥发性存储器的偏置电压电路、偏置电压快速建立方法和非挥发性存储器
    用于非挥发性存储器的偏置电压电路、偏置电压快速建立方法和非挥发性存储器_紫光同芯微电子有限公司_202512029447.2
    本申请涉及存储芯片技术领域，公开一种用于非挥发性存储器的偏置电压电路，包括电流镜像模块、镜像电流输入模块、偏置电压产生模块、负载电容，在第一使能信号为低电平时，电流镜像模块内PBIAS点的电压和偏置电压产生模块内VOUT点的电压均为电源电压...
    2026-05-01
  • NorFlash存储器的Word Line驱动电路及NorFlash存储器
    NorFlash存储器的Word Line驱动电路及NorFlash存储器_北京中电华大电子设计有限责任公司_202511742197.0
    本发明涉及存储技术领域，公开了一种NorFlash存储器的Word Line驱动电路及NorFlash存储器，包括：第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一PMOS管的源极接第一信号、栅极接第二信号、漏极连接目标字线；所述第...
    2026-05-01
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202510182634.1
    本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置例如为三维与非门闪存，且提供高性能以及高容量的储存介质。存储器装置包括多个页缓冲器以及多个第一开关。页缓冲器相互串联耦接。第一开关分别对应页缓冲器，其中各第一开关耦接至对应的页缓冲器的感测端。...
    2026-05-01
  • 存储系统的操作方法、存储系统、存储器装置及存储介质
    存储系统的操作方法、存储系统、存储器装置及存储介质_长江存储科技有限责任公司_202411455711.8
    本申请提供了一种存储系统的操作方法、存储系统、存储器装置及存储介质，涉及存储技术领域。该读电压确定包括：采用候选读电压以及多对偏移读电压分别执行读取操作，获得所述候选读电压对应的原始数据，以及多对所述偏移读电压中的每个所述偏移读电压分别对应...
    2026-05-01
  • 数据写入方法、电子设备以及存储介质
    数据写入方法、电子设备以及存储介质_珠海妙存科技有限公司_202512039965.2
    本申请实施例提供了一种数据写入方法、电子设备以及存储介质，方法包括根据闪存的待写入字线的地址生成随机序列种子，并根据所述随机序列种子生成随机取状态序列；根据所述随机取状态序列从随机状态序列中抽取得到随机化序列，其中，随机状态序列根据所述待写...
    2026-05-01
  • 一种忆阻器精确编程方法及装置
    一种忆阻器精确编程方法及装置_华中科技大学_202511977631.3
    本申请属于半导体非易失性存储器技术领域，具体公开了一种忆阻器精确编程方法及装置，该方法包括：获取编程任务，编程任务用于指示将目标忆阻器的电导值配置为目标电导值；获取目标忆阻器的当前电导值、相邻忆阻器当前电导状态数据和个性化补偿参数；基于电导...
    2026-05-01
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