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最新专利技术
  • 一种语音交互方法及装置
    一种语音交互方法及装置_北京罗克维尔斯科技有限公司_202311756133.7
    本公开提出一种语音交互的方法、系统及装置，包括获取用户输入的语音指令，通过人工智能大模型对语音指令进行识别，得到用户意图；将用户意图与多个服务的注册意图进行匹配得到匹配结果，并根据匹配结果确定目标服务，目标服务用于执行与用户意图对应的至少一...
    2026-03-23
  • 语音获取方法、装置、服务器、客户端及存储介质
    语音获取方法、装置、服务器、客户端及存储介质_小米科技(武汉)有限公司_202311755625.4
    本公开涉及一种语音获取方法、装置、服务器、客户端及存储介质。响应于接收到客户端发送的语音交互请求消息，向所述客户端发送待合成的目标语音对应的地址信息，以使所述客户端根据所述地址信息获取所述目标语音，所述目标语音用于对所述语音交互请求消息进行...
    2026-03-23
  • 音频信号的处理方法和装置、存储介质及电子设备
    音频信号的处理方法和装置、存储介质及电子设备_腾讯科技(深圳)有限公司_202311758023.4
    本申请公开了一种音频信号的处理方法和装置、存储介质及电子设备。该方法包括：获取第一音频信号的第一频谱特征，第一音频信号中包括参考音频信号与待提取的第二音频信号；将第一频谱特征输入目标神经网络模型，得到与第一音频信号匹配参考相位估计，参考相位...
    2026-03-23
  • 存储器读取方法、存储器及电子设备
    存储器读取方法、存储器及电子设备_上海江波龙数字技术有限公司_202311762573.3
    本申请提供一种存储器读取方法、存储器及电子设备，所述方法包括：在检测到对存储器中目标存储块的读取指令后，确定所述目标存储块是否处于可写入数据状态；若所述目标存储块处于所述可写入数据状态，确定第一读取电压，并基于所述第一读取电压对所述目标存储...
    2026-03-23
  • 一种磁性随机存储器及其操作方法
    一种磁性随机存储器及其操作方法_浙江驰拓科技有限公司_202311757210.0
    本申请涉及存储器领域，公开了一种磁性随机存储器及其操作方法，包括：当外围控制逻辑电路得到擦除指令和擦除地址，外围控制逻辑电路生成标志信号，并将标志信号置为第一目标值；读写电路根据擦除指令将标志位阵列中与擦除地址对应的数据写成第一目标值；当外...
    2026-03-23
  • 控制方法及双倍速率同步动态随机存储器DDR
    控制方法及双倍速率同步动态随机存储器DDR_鼎道智芯(上海)半导体有限公司_202311762270.1
    本申请公开了一种控制方法及双倍速率同步动态随机存储器DDR，所述方法包括：在接收到双倍速率同步动态随机存储器DDR的调压调频指令的情况下，保持所述DDR的目标接口处于开启状态，所述目标接口处于所述开启状态下能够继续接收针对所述DDR的读写指...
    2026-03-23
  • 存储阵列、存储器、存储芯片和电子设备
    存储阵列、存储器、存储芯片和电子设备_华为技术有限公司_202311762394.X
    本申请提供了一种存储阵列、存储器、存储芯片和电子设备，不仅能够提高存储阵列的集成度和存储密度，而且可以降低存储阵列的集成难度和工艺难度。存储阵列可以包括第一存储模块和N1条第一位线。其中，第一存储模块可以包括N1条字线和N2条假字线。N1条...
    2026-03-23
  • 一种利用竞争性等位基因特异性PCR技术鉴定先导基因编辑效率的方法
    一种利用竞争性等位基因特异性PCR技术鉴定先导基因编辑效率的方法_湘湖实验室(农业浙江省实验室)_202311756750.7
    本发明提供了一种利用竞争性等位基因特异性PCR技术鉴定先导基因编辑效率的方法。本发明发现先导编辑样本DNA库的KASP荧光信号报告点与阴性对照的报告点连线后，该连线会与KASP分型实验结果的坐标轴(分别代表编辑前原始DNA的荧光报告轴和编辑...
    2026-03-23
  • 一种轧制产品的合金成本优化方法
    一种轧制产品的合金成本优化方法_宝山钢铁股份有限公司_202311755316.7
    本发明公开的一种轧制产品的合金成本优化方法，包括如下步骤：1：根据轧制产线上的历史轧制产品的合格率确定合金成本待优化的钢种；2：基于多元线性回归得到各力学性能预测模型和模型标准差；3：在工艺要求的约束下，将待优化的钢种中的各元素组分由连续数...
    2026-03-23
  • 问诊回复方法及装置、计算机存储介质、电子设备
    问诊回复方法及装置、计算机存储介质、电子设备_北京京东拓先科技有限公司_202311757156.X
    本公开涉及人工智能技术领域，提供了一种问诊回复方法、问诊回复装置、计算机存储介质、电子设备，其中，问诊回复方法包括：响应于检测到用户输入的问诊问题，获取包含所述问诊问题的上下文语句，并确定与所述问诊问题具备预设关联关系的医学知识；将所述问诊...
    2026-03-23
  • 一种防腐蚀复合型缆绳
    一种防腐蚀复合型缆绳_扬州市新天河绳业有限公司_202311747222.5
    本发明提供了一种防腐蚀复合型缆绳，包括：副缆芯和内保护层，所述副缆芯外侧面固定连接内保护层，而内保护层的外侧面固定连接外保护层，且副缆芯由内芯和耐腐蚀层组成，而内芯的表面固定连接耐腐蚀层，所述内保护层由绝缘层、防水层和抗菌层组成，而绝缘层固...
    2026-03-23
  • 导电双极板生产线及导电双极板的生产方法
    导电双极板生产线及导电双极板的生产方法_苏州金纬机械制造有限公司_202311751257.6
    本申请公开一种导电双极板生产线及导电双极板的生产方法，包括自上游向下游依次设置的进料机构、挤出机构、成型机构以及成品收集机构；进料机构包括密炼机、提升机和双螺杆喂料机；挤出机构包括挤出机和挤出模具；成型机构包括辊压成型机、辊温控制器、冷却托...
    2026-03-23
  • 一种高电阻率热压钐钴永磁体及其制备方法
    一种高电阻率热压钐钴永磁体及其制备方法_河北工程大学_202311744262.4
    本发明涉及一种高电阻率热压钐钴永磁体及其制备方法，该磁体由钐钴基合金和包覆该磁体主相晶粒的无机纳米绝缘材料组成。该钐钴基合金为SmCo5、Sm2Co17、Sm2
    2026-03-23
  • 一种超级电容器及其制备方法
    一种超级电容器及其制备方法_中国科学院大连化学物理研究所_202311753059.3
    本申请公开了一种超级电容器及其制备方法，所述超级电容器包括：离子液体基电解液、隔膜、电极；所述离子液体基电解液包括离子液体；所述离子液体的电化学窗口大于3V，熔点低于60℃，沸点高于300℃；所述电极包括正极和负极。本申请提供的超级电容器是...
    2026-03-23
  • 用于磁保持继电器的驱动电路
    用于磁保持继电器的驱动电路_伊顿智能动力有限公司_202311748288.6
    提供一种用于磁保持继电器的驱动电路，包括基准电压电路，用于提供基准电压；电容器，包括用于接收控制信号的第一端以及用于接收所述基准电压的第二端；第一比较电路，用于接收所述电容器第二端的电压，并将其与第一阈值电压进行比较，当所述电容器第二端的电...
    2026-03-23
  • 继电器的控制电路、继电器系统及用电设备
    继电器的控制电路、继电器系统及用电设备_广东美的白色家电技术创新中心有限公司_202311759582.7
    本申请公开了一种继电器的控制电路、继电器系统及用电设备。该继电器的控制电路包括电源、第一分压支路、第二分压支路，第一分压支路的两端分别与电源及继电器的线圈连接，第二分压支路的两端分别与电源及继电器的线圈连接，第一分压支路的阻值大于第二分压支...
    2026-03-23
  • 一种断路器
    一种断路器_天津首瑞智能电气有限公司_202311756690.9
    本发明提供一种断路器，包括外壳及内部元件，所述内部元件至少包括上灭弧室、下灭弧室、双断点触头系统、第一接线端子、第二接线端子、过载脱扣器、机构、转轴，所述双断点触头系统包括单断点动触头、双断点动触头和静触头，所述机构驱动至少一个转轴所述双断...
    2026-03-23
  • 电子收集装置及散热方法、X射线管
    电子收集装置及散热方法、X射线管_武汉联影医疗科技有限公司_202311768871.3
    本申请请求保护的电子收集装置及散热方法、X射线管，电子收集装置包括电子收集极，电子收集极具有壳壁，壳壁包括内壳壁和外壳壁，内壳壁的至少一部分用于收集背散射电子；壳壁合围形成有密闭腔室，密闭腔室内设置有非气态的相变介质，非气态的相变介质与内壳...
    2026-03-23
  • 一种通过刻蚀工艺实现半导体器件表面平坦化的方法及半导体器件
    一种通过刻蚀工艺实现半导体器件表面平坦化的方法及半导体器件_格科半导体(上海)有限公司_202311756629.4
    本发明公开了一种通过刻蚀工艺实现半导体器件表面平坦化的方法及半导体器件，该方法至少包括：提供表面为非平坦化的衬底；在所述衬底上形成表面平坦化的牺牲层；通过刻蚀，去除所述牺牲层以及部分所述衬底材料，以实现所述衬底的表面平坦化；其中，所述衬底的...
    2026-03-23
  • 晶圆表面刻蚀方法及刻蚀机
    晶圆表面刻蚀方法及刻蚀机_江苏卓胜微电子股份有限公司_202311758251.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆表面刻蚀方法及刻蚀机，该方法包括：向气体混合室内注入调节气体；向气体混合室内通入初始刻蚀气体，利用调节气体对初始刻蚀气体进行调节，获得中性刻蚀气体；将中性刻蚀气体输入至刻蚀腔，对刻蚀腔内的晶圆表面进行...
    2026-03-23
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