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  • 本发明公开了携带CpG序列的PD‑L1mRNA靶向性脱氧寡核苷酸的制备方法及其应用,以人和小鼠PD‑L1mRNA编码区保守序列为靶区,设计并筛选出两个PD‑L1mRNA靶向性ASO(命名为P4和P9),在P4和P9的3’端添加CpG序列,通...
  • 本发明涉及一种基于KAN的二氧化硫在深共熔溶剂中溶解度预测方法及系统,该方法包括:获取二氧化硫溶解在深共熔溶剂后的数据集,进行预处理,并输入基于KAN的溶解度预测模型中,输出溶解度预测结果,其中基于KAN的溶解度预测模型的执行过程包括:将预...
  • 本发明公开了基于体积二次矩的夹杂体全应力应变本构方程构建方法,本发明制作包括夹杂体和基质材料的空间变异性人工试样,将空间变异性人工试样养护预设天数;针对空间变异性人工试样进行压缩试验,记录全过程应力曲线、特征应力及应变数据;基于空间变异性人...
  • 本申请提供了一种多源医学图像的分析处理方法及系统,应用于医学图像处理技术领域,通过获取医学影像数据为后续处理提供基础;将所有图像重采样到统一的空间分辨率,对同一患者不同时间点的图像进行配准,将它们对齐到同一个空间坐标系下,在经过空间统一和配...
  • 本发明涉及医疗诊断加工技术领域,公开了一种基于知识图谱的疾病智能诊断与鉴别诊断系统,所述系统包括:数据输入模块,用于接收并标准化患者的临床症状、体征、实验室检查数据和历史病历数据;知识图谱构建与更新模块,用于根据医学文献和临床数据构建并更新...
  • 本申请的实施例揭示了一种运动损伤预警方法及存储介质。该方法包括:获取在运动过程中预设设备采集到的生理参数,预设设备可以为多个可穿戴式设备;基于生理参数确定用户对应的实时生理状态,并结合用户从事的运动类型以及实时生理状态确定用户的运动特征;确...
  • 本发明公开了一种水下拖曳用电缆,电缆包括第一缆体、设于所述第一缆体下方的第二缆体和环状第三缆体,所述第一缆体和所述第二缆体设于所述第三缆体内,所述第一缆体包括若干包裹有保护层的线芯和若干填充部,相邻的所述保护层熔融连接,所述保护层和相邻的所...
  • 本发明提供一种小型化核磁共振陀螺的自适应参数优化消磁系统及方法,属于核磁共振陀螺充、消磁技术领域,包括:磁强计、一对线圈、电脑、信号发生器、功率放大器、变压器、电路开关、接触式电流传感器以及AD模块,通过消磁作业与充磁作业的两个工作模式设定...
  • 本发明涉及电化学储能器件领域,公开一种多级缓冲电容封装结构、电容器及其制备工艺。该多级缓冲电容封装结构包括电容器本体和外壳,电容器本体包括芯子和铝壳,芯子的正电极片和负电极片均复合有纳米多孔硅胶垫;铝壳的内壁涂覆STF涂层;外壳为负泊松比框...
  • 本发明公开了一种高能量密度咪唑啉聚合物电极材料的制备方法,包括如下步骤:S1:选择二醛单体和无机铵盐和溶剂配比形成均一的混合溶液;S2:将S1中制得的混合溶液转移至高压反应釜进行溶剂热反应得到咪唑啉聚合物的悬浊液;S3:对S2中得到的悬浊液...
  • 本申请涉及一种便于安装的柱上断路器,涉及柱上断路器的技术领域,其包括本体,所述本体底侧相对的两边沿上转动连接有支撑板,两所述支撑板能够相向转动至与本体底侧抵接的水平状态、相背转动至与本体竖直侧面抵接的竖直状态并固定;所述本体外部设有对支撑板...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种金属硅化物层的制备方法和半导体结构。本方法包括以下步骤:在硅衬底上,采用原子层沉积工艺通入金属源,基于金属的成核机理,动态调节原子层沉积的工艺参数,以控制金属在微观反应路径上的生成方式,在硅...
  • 本申请提供一种基于亚临界流体的半导体基片干燥方法,应用于晶圆基片干燥技术领域,包括:S1、向放置待处理基片的腔室中注入亚临界流体;S2、控制所述亚临界流体的停留时间,所述亚临界流体对基片表面的微结构进行清洗;S3、通过腔室快速泄压使所述亚临...
  • 本申请涉及一种SMIF POD盒定位固定装置,包括:定位块,与底座固定连接,且与POD盒侧壁能够抵触;定位销,与底座固定连接,并与POD盒盒底插接配合;压紧块,设置有多个,并与底座转动连接,且所述压紧块均能够与POD盒的边沿背离底座的一侧抵...
  • 本发明属于半导体器件制备技术领域,公开了一种高温高功率密度SiC功率半导体器件制备方法,本发明设备要求低:由于烧结时间短、烧结次数少,且均为平面烧结,因此可使用普通热压机与加热台在空气中进行烧结制备,无需使用昂贵氮气烧有压银烧结炉。工艺简单...
  • 本发明属于半导体器件封装技术领域,公开了一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构,包括:上基板、下基板、去耦电容、陶瓷气密框、键合线/金属箔、功率半导体芯片、垫块、高温灌封材料;本发明利用了双面冷却模块具有上下两块基板的结构特点,采...
  • 本发明公开了一种复合正极极片及其制备方法与电化学装置,属于电池材料技术领域。该复合正极极片包括正极集流体以及由正极集流体的至少一侧表面向外依次设置的第一涂层、第二涂层、第三涂层以及正极材料层;所述第一涂层为导电底涂,包括单壁碳管和第一粘接剂...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体而言,涉及一种正极材料及其制备方法和应用。一种正极材料,包括正极材料基体、第一包覆层和第二包覆层,所述第一包覆层位于所述正极材料基体的表面,第二包覆层位于所述第一包覆层的表面;所述第一包覆层包括离子导体层,离子导...
  • 本发明公开了一种补锂剂及其制备方法与电池,属于电池材料技术领域。该补锂剂包括多孔海绵状基底,以及填充于多孔海绵状基底的表面和孔隙中的锂盐;其中,多孔海绵状基底含有增稠剂、导电炭黑以及改性催化剂。所述改性催化剂来自硝酸钴、硝酸镍、硝酸钙和二氧...
  • 本发明属于固体氧化物电池技术领域,涉及一种固体氧化物电池用高熵氧电极,化学式为PraBabSrcLadNdeM1x
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