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最新专利技术
  • 一种基于微控制器单元的多路采集测量气体放电管参数的控制方法及系统
    一种基于微控制器单元的多路采集测量气体放电管参数的控制方法及系统_上海电力大学_202510719708.0
    本发明公开一种基于微控制器单元的多路采集测量气体放电管参数的控制方法及系统， 包括：微控制器单元接收测试指令；根据电压输出参数控制数字电位器调节电阻值；根据电压斜率参数控制继电器组切换电阻电容组合， 确定并施加测试电压至气体放电管；控制高压...
    2025-11-30
  • 一种中和器及包括该中和器的霍尔离子源装置
    一种中和器及包括该中和器的霍尔离子源装置_核工业西南物理研究院_202510978330.6
    本发明公开了一种中和器及包括该中和器的霍尔离子源装置， 具体涉及离子源技术领域， 技术要点为：内磁极和外屏蔽罩均放置在支撑法兰的上表面， 且外屏蔽罩的下边缘部合围于内磁极的外边缘部；外磁极设于内磁极的上方， 且外屏蔽罩的上边缘部合围于外磁极...
    2025-11-30
  • 带电粒子束装置和解析方法
    带电粒子束装置和解析方法_日本电子株式会社_202510371273.5
    提供能够使特征像的取得时间变短的带电粒子束装置。在本发明的带电粒子束装置中， 图像取得部反复进行以下处理来取得多个特征像：基于在已经取得的试样像中特征物的区域在视野中所占的比例， 从用于取得特征像的多个模式选择1个模式的处理；以及以所选择的...
    2025-11-30
  • 一种低温冷却型稳定离子源注入装置
    一种低温冷却型稳定离子源注入装置_无锡赛思一科技有限公司_202510909118.4
    本发明公开了一种低温冷却型稳定离子源注入装置， 包括离子源主体， 离子源主体的输入端安装有源气体管， 离子源主体的输出端连接有离子引出机构， 离子引出机构的输出端连接有质量分析器， 质量分析器的输出端连接有加速管， 离子源主体的内安装有冷却...
    2025-11-30
  • 用于操作粒子束显微镜的方法、粒子束显微镜和计算机程序产品
    用于操作粒子束显微镜的方法、粒子束显微镜和计算机程序产品_卡尔蔡司显微镜有限责任公司_202510424311.9
    本发明涉及一种用于操作粒子束显微镜的方法、一种粒子束显微镜以及一种计算机程序产品。一种用于操作粒子束显微镜的方法包括接收用户对多个检测器中的至少一个检测器的选择， 其中， 该选择指定应当显示从中记录的图像的检测器。该方法进一步包括：对物体进...
    2025-11-30
  • 经由研磨-激发的原位保护性聚合物
    经由研磨-激发的原位保护性聚合物_FEI公司_202510295660.5
    提供了促进经由研磨‑激发的原位保护性聚合物的系统或技术。在各种实施方案中， 一种设备可包括离子束发射器， 该离子束发射器可被配置为经由离子束执行对样本的切面的研磨。在各种方面， 该设备可包括气体喷射器， 该气体喷射器可被配置为将分解的前体递...
    2025-11-30
  • 下电极组件的功率控制方法及半导体工艺设备
    下电极组件的功率控制方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410404653.X
    本发明提供了下电极组件的功率控制方法及半导体工艺设备；其中， 该方法包括：根据检测参数计算得到下电极组件的硬件损耗功率， 并根据输出功率、预设目标功率和硬件损耗功率得到等离子体的补偿功率， 若补偿功率不小于对应的预设功率阈值， 则根据补偿功...
    2025-11-30
  • 上电极射频柱的连接结构、上电极结构和半导体工艺设备
    上电极射频柱的连接结构、上电极结构和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410404954.2
    本发明提供一种上电极射频柱的连接结构、上电极结构和半导体工艺设备， 上电极射频柱的连接结构用于半导体工艺设备， 射频柱包括第一柱段和第二柱段， 连接结构包括导电件， 导电件用于在第一柱段与第二柱段之间在射频柱的轴向上具有预设间隙的状态下， ...
    2025-11-30
  • 衬里型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备
    衬里型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备_圆益QNC股份有限公司_202510319584.7
    本发明涉及半导体干法蚀刻设备的衬里型组件用氟化清洗装置及包括其的形成氧化钇涂覆组件用氟氧化钇的氟化清洗设备性氟化清洗设备， 其通过含有CF4反应气体的工艺气体和特定处理条件的等离子体热处理， 可以在半导体蚀刻设备中的涂有氧化钇的衬里上容易形...
    2025-11-30
  • 花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备
    花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备_圆益QNC股份有限公司_202510319915.7
    本发明涉及半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的形成氧化钇涂覆组件用氟氧化钇的氟化清洗设备性氟化清洗设备， 其通过含有CF4反应气体的工艺气体和特定处理条件的等离子体热处理， 可以在半导体蚀刻设备中的涂有氧化钇的组件上容易...
    2025-11-30
  • 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510866722.3
    本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备， 该半导体工艺腔室包括腔室本体、盖板、上电极和下电极， 上电极设于腔室本体的顶部， 腔室本体的侧面具有开口， 盖板可拆卸地设置于开口， 用于封堵开口， 下电极与盖板相连。在工艺过程中， 可利用...
    2025-11-30
  • 混合电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)及方法
    混合电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)及方法_吉米亚分析公司_202510400847.7
    公开了一种混合电感耦合等离子体质谱仪(ICP‑MS)系统， 其能够在单个仪器内进行正极性和负极性的元素分析和分子分析。该系统包括ICP炬， 其用缓冲气体生成等离子体以从样本中产生带正负电荷的离子。该系统有位于ICP‑MS接口的取样器和撇渣器...
    2025-11-30
  • 一种电感耦合等离子体质谱仪的进样装置
    一种电感耦合等离子体质谱仪的进样装置_四川长青松科技有限公司_202510959810.8
    本申请涉及质谱仪进样技术领域， 尤其是涉及一种电感耦合等离子体质谱仪的进样装置， 其包括底板， 所述底板的顶部固定安装有电感耦合等离子体质谱仪本体。本申请应用期间， 其进样机构在使用期间采用第一电机在驱动转盘搬运样本的同时， 通过大小带轮传...
    2025-11-30
  • 制造沉积掩模的方法、制造显示装置的方法以及电子装置
    制造沉积掩模的方法、制造显示装置的方法以及电子装置_三星显示有限公司_202510402996.7
    提供一种制造沉积掩模的方法、使用沉积掩模制造显示装置的方法以及电子装置。制造沉积掩模的方法包括：沉积第一无机层， 使得第一无机层围绕基底的表面；将第二无机层沉积在第一无机层上；将光致抗蚀剂图案形成在第二无机层的设置在基底的前表面上的一部分上...
    2025-11-30
  • 一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法
    一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法_宁波威远光电研究院有限公司_202510869512.X
    本发明公开了一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法， 包括：利用刻蚀气体扩散的原理及气体保护原理， 通过光刻制备出所需形貌， 再控制刻蚀条件实现角度继承， 通过光刻与刻蚀联用得到所需形貌；以简单的条件制备出复杂的形貌， 根据所用设备...
    2025-11-30
  • 高密度金属氧化物-碳混合掩模及其制备方法
    高密度金属氧化物-碳混合掩模及其制备方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202510940727.6
    本发明属于半导体领域， 具体地涉及一种高密度金属氧化物‑碳混合掩模及其制备方法。所述方法包括步骤：(1)提供碳掩膜；(2)使NO2改性所述碳掩膜， 得到吸附位点增多的碳掩膜；(3)使金属前驱体在所述吸附位点增多的碳掩膜内沉积得到金属氧化物掺...
    2025-11-30
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510344913.3
    本公开提供一种成膜方法和成膜装置， 能够提高硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；以及向所述非晶硅膜同时供给镍原料气体和氢气， 来使镍向所述非晶硅膜中扩散。
    2025-11-30
  • 成膜方法
    成膜方法_东京毅力科创株式会社_202510345126.0
    本公开提供一种成膜方法， 能够控制硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；变更所述非晶硅膜的表面状态；以及在进行所述变更的工序后， 向所述非晶硅膜供给镍原料气体来使镍向所述非晶硅膜中扩散。
    2025-11-30
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202410934298.7
    本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法。本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法通过在具有设置有半导体元件的第1面和与第1面相反侧的第2面的晶片的第2面形成凹部， 由此在第2面形成薄板部及将薄板部包围的环状凸部。本制造方法具有在第2面上形成...
    2025-11-30
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_中芯南方集成电路制造有限公司_202410407138.7
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法， 所述半导体结构包括：基底， 所述基底表面包括目标刻蚀层， 所述目标刻蚀层中形成有图案化的若干改性区， 所述图案化的若干改性区和所述目标刻蚀层的刻蚀选择比大于5， 相邻改性区之间的距离为第一距离， 单个...
    2025-11-30
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