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最新专利技术
  • 二维金属氧化物薄膜的制备方法
    二维金属氧化物薄膜的制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511026513.4
    本发明公开了一种二维金属氧化物薄膜的制备方法， 所述制备方法包括以下步骤：提供生长衬底；利用分子束外延工艺在生长衬底上生长初始薄膜， 所述初始薄膜中存在未完全氧化的金属离子；对初始薄膜进行加热氧化得到二维金属氧化物薄膜， 所述二维金属氧化物...
    2025-12-06
  • 版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品
    版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410513477.3
    一种版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品， 版图修正方法包括：获取已拆分的第一子掩膜版图， 所述第一子掩膜版图中有多个图形；对任意两个相邻的所述图形进行版图拆分限值规则检查， 获取不满足所述版图拆分限值规则的相邻图形， 并将不...
    2025-12-06
  • 减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法
    减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410514360.7
    本发明提供一种减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法， 在需要对具有图形密集区稀疏区的第一区域的底部抗反射层进行刻蚀时， 在对光阻层进行图形化以将第一区域的底部抗反射层暴露并将第二区域保护起来后， 先在第一区域及第二区域的整个表面形成一层含碳聚...
    2025-12-06
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202510962283.6
    本申请提供一种半导体结构及其制造方法， 半导体结构包括依次层叠设置的衬底、硅层、第一掩模层和第二掩模层。方法包括：在第二掩模层上形成图案化的光刻胶层， 以图案化的光刻胶层为掩蔽， 刻蚀第二掩模层和第一掩模层至硅层， 形成多个凸起和相邻凸起之...
    2025-12-06
  • 一种小尺寸硬掩模的制备方法
    一种小尺寸硬掩模的制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202510986001.6
    本发明公开了一种小尺寸硬掩模的制备方法， 涉及半导体技术领域， 该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底正面制备牺牲层， 并在牺牲层上制备得到预备凹槽， 所述预备凹槽贯穿所述牺牲层， 且所述预备凹槽的位置对应于所需制备的硬掩模的位置；利用所述预...
    2025-12-06
  • 用于改性表面的方法和组件
    用于改性表面的方法和组件_ASMIP私人控股有限公司_202510513634.5
    本发明涉及用于处理半导体衬底的方法及组件， 例如用于从半导体衬底去除(例如蚀刻)含钼材料的方法及组件。该方法可用于制造半导体器件， 例如存储器器件、晶体管和二极管。本文公开的从衬底表面去除含钼材料的方法包括在反应室中提供包括含钼材料的衬底，...
    2025-12-06
  • 针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻
    针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻_朗姆研究公司_202510639566.7
    本发明描述了使用集成式原子层沉积(ALD)和蚀刻处理来对衬底特征进行关键尺寸(CD)控制的方法和装置。方法包括：蚀刻以在衬底上形成特征掩模图案， 该宽度小于待随后通过该特征掩模图案形成的结构的期望宽度；通过ALD保形地沉积钝化层， 从而增加...
    2025-12-06
  • 半导体集成电路堆叠结构及其形成方法
    半导体集成电路堆叠结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410531410.2
    一种半导体集成电路堆叠结构及其形成方法， 包括：位于基底的芯片区和位于芯片区之间的切割道区；基底包括第一面以及与第一面相背的第二面；形成位于基底第一面邻近切割道区的第一沟槽；在第一沟槽内形成第一导电层；在基底第一面上形成与第一导电层相连的第...
    2025-12-06
  • 提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法
    提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法_宁波康强电子股份有限公司_202510769283.4
    本发明提供了提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法， 属于引线框架技术领域。本发明通过将经过表面初级处理的铜合金放入至活化混合溶液中进行表面活化， 在铜合金的表面形成轻微的凹凸结构并于凸起区域上形成一层金属转化膜， 再放入至粗化混合溶液中...
    2025-12-06
  • 封装件结构及形成封装件的方法
    封装件结构及形成封装件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510910641.9
    方法包括：形成封装衬底， 包括在玻璃衬底中形成贯穿开口；填充贯穿开口以在玻璃衬底中形成贯通孔；在玻璃衬底下面形成第一互连结构；以及在玻璃衬底上面形成第二互连结构， 该方法还包括在封装衬底上方形成中介层；以及通过中介层将封装组件接合在封装衬底...
    2025-12-06
  • 一种基于双硬度铜层调控的AMB陶瓷基板翘曲控制方法
    一种基于双硬度铜层调控的AMB陶瓷基板翘曲控制方法_四川富乐华半导体科技有限公司_202510931494.3
    本发明公开了一种基于双硬度铜层调控的AMB陶瓷基板翘曲控制方法， 包括以下步骤：铜片分级预处理：对无氧铜片进行退火处理， 获得两种具有不同晶粒尺寸与硬度的铜材， 将经过退火处理前的同类铜材分别标记为X铜与Z铜；硬度差异化覆铜钎焊：将X铜与Z...
    2025-12-06
  • 一种载板结构与封装载板的表面处理方法
    一种载板结构与封装载板的表面处理方法_福莱盈电子股份有限公司_202510963260.7
    本申请提供了一种载板结构， 包括：CCL层， CCL层具有相反的第一侧与第二侧；连接于CCL层第一侧的功能层， 功能层与CCL层平行设置且相互抵触；连接于功能层远离CCL层的外壁上的保护膜层， 保护膜层与功能层平行设置且相互抵触， 本发明通...
    2025-12-06
  • 功率半导体器件、形成方法、封装方法以及封装结构
    功率半导体器件、形成方法、封装方法以及封装结构_浙江正泰电器股份有限公司_202510987705.5
    本申请涉及一种功率半导体器件、形成方法、封装方法以及封装结构， 其中形成方法包括：提供第一基板， 第一基板内具有多个导电结构， 导电结构沿第一基板的厚度方向贯穿第一基板；提供功率芯片， 将功率芯片与第一基板键合， 功率芯片与导电结构耦接；在...
    2025-12-06
  • 一种集成无源器件及其封装方法
    一种集成无源器件及其封装方法_苏州苏纳光电有限公司_202510995720.4
    本公开提供了一种集成无源器件及其封装方法， 封装方法中分别制备无源器件模块和信号引出模块， 信号引出模块中的钝化层均采用热界面塑封材料制备而成， 再将信号引出模块贴合到无源器件模块上， 采用热界面塑封材料将无源器件模块与信号引出模块塑封到一...
    2025-12-06
  • 一种高深径比玻璃通孔的填充方法及应用
    一种高深径比玻璃通孔的填充方法及应用_广东省科学院中乌焊接研究所_202511018619.X
    本发明公开了一种高深径比玻璃通孔的填充方法及应用， 涉及电子封装技术领域。填充方法包括将具有高深径比玻璃通孔的玻璃基板浸没于纳米级金属颗粒墨水中进行超声处理， 然后经过干燥处理和烧结处理后完成高深径比玻璃通孔的填充。基于超声激励墨水的填充方...
    2025-12-06
  • 一种多尺寸电子载运片以及通孔加工方法
    一种多尺寸电子载运片以及通孔加工方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511020671.9
    本发明提供的一种多尺寸电子载运片通孔加工方法， 包括以下步骤：提供第一载运片Core层， 于该小尺寸刚性基材上同步加工形成若干第一通孔及至少两个第一靶点， 所述第一靶点分布于基材两端；将所述第一载运片Core层嵌入中空框架状的第二载运片Co...
    2025-12-06
  • 便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法
    便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法_江苏华创微系统有限公司_202511070437.7
    本发明公开了一种便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法， 包括如下步骤：S1、将每个芯片固定在基板上；基板的多个引脚包括每个加固引脚和2n个第一类引脚， 2n个第一类引脚采用等间距排列；S2、将每个芯片均分别通过对应的焊线在经由装...
    2025-12-06
  • 半导体器件的形成方法及半导体器件
    半导体器件的形成方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510978058.1
    本发明涉及一种半导体器件的形成方法及半导体器件。所述半导体器件的形成方法中， 先形成堆叠芯片单元， 再通过芯片‑晶圆键合将至少一个所述堆叠芯片单元键合到封装晶圆表面， 并在所述封装晶圆及其上的所述堆叠芯片单元表面形成第一填充覆盖层以进行晶圆...
    2025-12-06
  • 一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉
    一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉_北京中科同志科技股份有限公司_202510978535.4
    本发明涉及芯片封装技术领域， 提供一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉。TEC芯片封装压接方法包括：包括：TEC工件及治具进入等离子清洗区， 执行等离子清洗步骤；TEC工件及治具进入甲酸清洗区， 执行甲酸清洗步骤；TEC工件及治具...
    2025-12-06
  • 一种垂直芯片封装方法及芯片封装件
    一种垂直芯片封装方法及芯片封装件_深圳瑞沃微半导体科技有限公司_202511028762.7
    本申请提供了一种垂直芯片封装方法及芯片封装件， 包括步骤：转动所述垂直芯片使所述第二电极朝向放置所述封装电路的水平面， 并将所述垂直芯片放置在所述芯片放置区域；其中， 所述垂直芯片与所述第一连接点和所述第二连接点的间距不同；通过增材制造方式...
    2025-12-06
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