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背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法
本发明提供了一种背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法, 该背封结构中设置有掺杂抑制层, 即在衬底的侧面和底面设置掺杂抑制层, 并且, 该掺杂抑制层用于抑制衬底中的掺杂离子从衬底的底面和侧面析出, 使得在衬底的正面生长外延层时能够精确控制...
一种芯片扇出封装器件及其制备方法
本申请提供一种芯片扇出封装器件及其制备方法, 涉及半导体技术领域, 利用金属散热基板、贴合材料和芯片构建更短、散热效率更高的热传导路径, 由于该热传导路径的加入, 使得芯片所累积的热量能够经由所构建的热传导路径, 快速向外界传递, 以维持芯...
管芯堆叠对准结构、管芯堆叠结构及其制备方法
本申请涉及半导体制造技术领域, 具体涉及一种管芯堆叠对准结构、管芯堆叠结构及其制备方法, 管芯堆叠对准结构包括第一子标记以及第二子标记;所述第二子标记有多个且设于底层基板表面的不同位置;所述第一子标记有多个且分别对应设于多个需要堆叠设置的管...
散热器装置
一个例子公开了一种散热器装置, 包括:引线框架, 所述引线框架具有管芯焊盘、第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘;其中所述引线框架还包括一组散热器, 所述一组散热器包括:第一散热器, 所述第一散热器位于所述引线框架的所述第一边缘和所述第四...
具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法
本发明提供一种具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法。其中, 半导体电路结构, 包括半导体基材、位于半导体基材内部的第一组有源区以及围绕第一组有源区的第一浅沟渠隔离区。其中, 第一浅沟渠隔离区包括设置在位于第一组有源区之间的间隙...
一种具备热插拔功能的芯片冷却模块的连接结构
本发明公开了一种具备热插拔功能的芯片冷却模块的连接结构, 涉及电子散热技术领域, 该结构由芯片冷却组件、主系统冷却槽道及弹簧组成, 采用模块化设计实现芯片冷却模块独立插拔;冷却组件通过液冷槽与主系统流道对接, 内置弹簧驱动冷却触点块压紧芯片...
半导体器件的金属层、叠层结构及半导体器件
本发明公开了一种半导体器件的金属层、叠层结构及半导体器件。半导体器件的金属层具有相对设置的第一边缘和第二边缘, 所述第一边缘上形成有背离所述第二边缘方向设置的第一凸部;所述第二边缘上形成有背离所述第一边缘方向设置的第二凸部。本发明的半导体器...
基于鳍片式散热框架的TO封装结构及其制备方法
本发明涉及电子封装技术领域, 公开了基于鳍片式散热框架的TO封装结构及其制备方法, 包括:封装主体, 其内部为封装芯片的主要容纳空间, 所述封装主体底端安装有引脚, 且引脚用于实现封装结构与外部电路的电气连接。该基于鳍片式散热框架的TO封装...
一种芯片散热方法、芯片、电子设备及存储介质
本申请的实施例公开了一种芯片散热方法、芯片、电子设备及存储介质, 涉及半导体技术领域, 能够有效提高对芯片散热的调控效果。所述方法包括:根据芯片的待散热区域, 在预设位置设置流体通道, 以利用所述流体通道对所述待散热区域进行散热;设置调控开...
一种封装结构及电子设备
本申请公开了一种封装结构及电子设备, 封装结构包括:基板、芯片和导热盖板;芯片设置于基板上;导热盖板包括支撑部、导热部和环形连接部, 其中, 支撑部围绕芯片, 且与基板固定连接, 导热部位于芯片背离基板的一侧, 且导热部与支撑部相互固定形成...
一种电力电子器件浸没式相变换热结构
一种电力电子器件浸没式相变换热结构, 包括:散热基板, 用于与电力电子器件热源接触;散热结构主体, 竖直浸没于相变工质中, 包括板状结构及间隔分布于其上的鳍状结构, 所述鳍状结构沿高度方向逐渐倾斜偏离所述板状结构, 所述鳍状结构的尾部设有内...
基于负泊松比和负热膨胀系数的多材料微流道螺旋散热器
本发明涉及一种基于负泊松比和负热膨胀系数的多材料微流道螺旋散热器, 其特征在于由基板、相变材料填充层螺旋微流道、等离子水螺旋微流道、纳米粒子、等离子水注水处、等离子水出水处、盖板和外涂层组成。采用负泊松比和负热膨胀系数集成的多材料超材料微结...
一种用于储能高压箱的防逆流二极管
本申请涉及二极管的技术领域, 公开了一种用于储能高压箱的防逆流二极管, 其包括导热底座以及设置于底座上方的壳体, 所述壳体上开设有散热孔, 所述导热底座的下方设置有冷却板, 所述冷却板内开设有呈蛇形的第一流道, 所述第一流道沿长度方向的一端...
一种高功率车载芯片模块化液冷散热系统及散热方法
本发明涉及车载域控制器散热技术领域, 尤其涉及一种高功率车载芯片模块化液冷散热系统及散热方法, 包括芯片, 所述芯片上方设置有消散其热量的散热机构。本发明通过设置散热机构, 采用模块化设计, 将高功率单芯片独立为散热模块, 从而避免了多芯片...
半导体装置与其形成方法
本揭露的一个态样为关于一种半导体装置。半导体装置包括源极/漏极(S/D)触点, 在S/D特征上方;栅极结构, 在通道区上方, 其中通道区邻近S/D特征;第一层间介电(ILD)层, 在栅极结构上方并围绕S/D触点;蚀刻终止层, 在第一ILD层...
封装件、半导体结构及其形成方法
结构包括:第一芯衬底;粘合层, 位于第一芯衬底上;第二芯衬底, 位于粘合层上, 其中, 第二芯衬底包括第一腔;第一半导体器件, 位于第一腔内;第一绝缘膜, 在第二芯衬底上方、第一半导体器件的顶面上方和第一腔内延伸;通孔, 延伸穿过第一绝缘膜...
芯片组件、电路板、电路板组件及电子设备
本申请提供了一种芯片组件、电路板、电路板组件及电子设备, 芯片组件包括第一芯片、第一焊盘组及至少一个第一导热焊盘。所述第一芯片的表面具有相邻设置的第一电路焊盘区及第一导热区;所述第一焊盘组位于所述第一电路焊盘区, 所述第一焊盘组用于形成导电...
半导体模块及电子设备
本申请公开了一种半导体模块及电子设备, 该半导体模块包括:壳体, 壳体包括四周的侧墙和与侧墙连接的封盖, 封盖和侧墙围合成容纳空间;基板, 基板设置于壳体的容纳空间内, 基板上设置有电子元器件;多个端子, 间隔设置于壳体的四周边缘区域, 每...
半导体模块及电子设备
本申请公开了一种半导体模块及电子设备, 该半导体模块包括:壳体, 壳体包括四周的侧墙和与侧墙连接的封盖, 封盖和侧墙围合成容纳空间;基板, 基板设置于壳体的容纳空间内, 基板上设置有电子元器件, 在基板的四周边缘区域设置有多个键合区;多个端...
半导体模块
本申请公开了一种半导体模块及电子设备, 该半导体模块包括:壳体, 壳体包括四周的侧墙和与侧墙连接的封盖, 封盖和侧墙围合成容纳空间;基板, 基板设置于壳体的容纳空间内, 基板上设置有电子元器件;多个端子, 间隔设置于壳体的四周边缘区域, 每...
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