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最新专利技术
  • 一种应用于三相电机的小型热保护器
    一种应用于三相电机的小型热保护器_浙江锦阳电子有限公司_202511254929.1
    本发明涉及热保护器的技术领域，尤其为一种应用于三相电机的小型热保护器，包括外壳以及设置在外壳中的底板，底板的一端依次设置有双金属片以及使用双金属片形变电路控制的弹簧片，所述双金属片包括与底板连接的弧形连接区，所述弧形连接区的一端设置为U型过...
    2025-12-07
  • 操作系统
    操作系统_上海正泰智能科技有限公司_202410591199.3
    本发明涉及低压电器领域，具体涉及一种操作系统，其动触头机构沿第一方向d1整体移动设置且包括动触头，动触头两端各设置一个动触点，两个动触点沿第三方向d3并排设置，第三方向d3与第一方向d1相互垂直；其操作装置包括电磁系统和传动结构，电磁系统包...
    2025-12-07
  • 一种智能电网能耗优先级分配的过载执行开关组
    一种智能电网能耗优先级分配的过载执行开关组_安徽苏开电气有限公司_202511462569.4
    本发明涉及开关装置技术领域，具体是一种智能电网能耗优先级分配的过载执行开关组，包括外壳体，外壳体内设置有多组成对存在的静触点和动触点，多个静触点固定在外壳体内且与主供电线路并联，多个动触点活动设置在外壳体内且分别与负载支线电路串联，每组静触...
    2025-12-07
  • 一种可切割电弧的小型熔断器
    一种可切割电弧的小型熔断器_南京萨特科技发展有限公司_202511248396.6
    本发明公开一种可切割电弧的小型熔断器，包括绝缘管、位于绝缘管两端的端帽电极、位于绝缘管内的熔体。其中绝缘管内壁设置凹槽或凸起而使绝缘管内壁形成若干个深浅不一的区域，形成绝缘管内壁的格栅式设计，利用多个格栅将高压分断时产生的高温长电弧迅速切割...
    2025-12-07
  • 单激励源的主被动一体保护智能熔断器
    单激励源的主被动一体保护智能熔断器_浙江中贝能源科技有限公司_202511478355.6
    本申请提供了一种单激励源的主被动一体保护智能熔断器，包括第一导电排、信号熔体、第二导电排、电路板和激励源；所述电路板上设置有所述继电器和所述激励源，所述继电器分别连接外部控制单元、所述激励源、所述第一导电排和第二导电排；所述第一导电排、所述...
    2025-12-07
  • 一种基于周向X射线管阴极模组的装配装置
    一种基于周向X射线管阴极模组的装配装置_成都迈克斯睿科技有限公司_202510945523.1
    本发明提供一种基于周向X射线管阴极模组的装配装置，其将阴极模组定位在第二定位模组中，并随第二定位模组定位在第一定位模组中，阴极模组中的支杆与第一定位杆接触定位：第二定位模组通过支座和压板夹持定位阴极的盘面，并通过螺钉定位至聚焦极上，在阴极至...
    2025-12-07
  • 一种抑制X射光管高压打火的自适应调控方法及装置
    一种抑制X射光管高压打火的自适应调控方法及装置_瑞茂光学(深圳)有限公司_202511110497.7
    本申请提供了一种抑制X射光管高压打火的自适应调控方法及装置，涉及抑制控制技术领域，所述方法包括：构建与X射光管输入端连接的双SEPIC电压调控模块；提取X射光管的高压打火特征数据，进行调控目标分解；基于双SEPIC电压调控模块将调控目标集合...
    2025-12-07
  • 一种校正方法、电子显微镜、介质和程序产品
    一种校正方法、电子显微镜、介质和程序产品_蔡司科技(苏州)有限公司_202511104939.7
    本申请涉及电子显微镜技术领域，公开了一种校正方法、电子显微镜、介质和程序产品。该方法包括：获取电子显微镜的目标工作参数和当前工作参数；向第一模型输入目标工作参数和当前工作参数，并获取第一模型输出的第一调整参数，其中，第一模型基于电子显微镜的...
    2025-12-07
  • 真空设备、方法及用途
    真空设备、方法及用途_冯·阿登纳资产股份有限公司_202510600949.3
    本发明各种实施方案涉及一种真空设备，包括：真空腔室壳体(812)；传送装置，用于沿真空腔室壳体(812)内的传送路径(111)传送基板；等离子体源(150)，其等离子体源壳体(102)中设置有空腔(102h)，该等离子体源(150)配置为通...
    2025-12-07
  • 一种防止气体回灌至远程等离子体系统的方法及系统
    一种防止气体回灌至远程等离子体系统的方法及系统_格科半导体(上海)有限公司_202410592868.9
    本发明公开了一种防止气体回灌至远程等离子体系统的方法及系统，所述方法包括：通过设置在所述第二管路和/或所述第一管路上的防止气体回灌控制单元，防止所述第一管路中流出的四乙氧基硅烷气体回灌至远程等离子体系统；或者通过所述远程等离子体系统增加一惰...
    2025-12-07
  • 等离子体处理装置及其下电极组件
    等离子体处理装置及其下电极组件_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410599139.6
    本发明提供一种等离子体处理装置及其下电极组件；所述等离子体处理装置包括反应腔；设于所述反应腔内的基座，用于承载基片；约束环围绕所述基座的外围设置，并位于所述基座与反应腔的腔体之间，用于约束反应腔内产生的等离子体；电容器设于所述约束环与反应腔...
    2025-12-07
  • 等离子体刻蚀设备及其供气组件和方法
    等离子体刻蚀设备及其供气组件和方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410599358.4
    本发明提供一种等离子体刻蚀设备及其供气组件和方法。所述供气组件包括：气体控制箱，具有多种反应气体，用于配置形成所述第一工艺气体和第二工艺气体；第一气体缓存器，安装于反应腔的顶盖上方或顶盖附近，与所述气体控制箱连接，用于缓存所述气体控制箱配置...
    2025-12-07
  • 等离子体处理装置和基板处理方法
    等离子体处理装置和基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202510551193.8
    提供一种抑制反应生成物向整流壁附着的等离子体处理装置和基板处理方法。一种等离子体处理装置，其利用等离子体对基板进行处理，其中，该等离子体处理装置具备：等离子体生成部，其被供给有用于生成所述等离子体的第1高频电力；载置台，其在上表面具有用于载...
    2025-12-07
  • 上电极组件
    上电极组件_哈纳材料公司_202510612197.2
    本公开涉及一种上电极组件。所述上电极组件包括衬套组件和提升杆，所述衬套组件紧固到等离子体电极板的插入孔，所述提升杆被接纳在电极支撑板的接纳空间中，并且所述提升杆被配置成将所述等离子体电极板以能够拆卸的方式联接到所述电极支撑板。所述衬套组件包...
    2025-12-07
  • 一种适配不同工艺的干法刻蚀设备及刻蚀方法
    一种适配不同工艺的干法刻蚀设备及刻蚀方法_海创智能装备(烟台)有限公司_202511354679.9
    本发明公开了一种适配不同工艺的干法刻蚀设备及刻蚀方法，属于干法刻蚀技术领域，包括：通过真空系统对工艺腔体进行抽真空，使其达到预定真空度；通过预清扫气体对所述工艺腔体进行预清扫；通入工艺气体，并通过质量流量控制器控制气体流量；启动射频电源和射...
    2025-12-07
  • 一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统
    一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统_上海谙邦半导体设备有限公司_202511488372.8
    本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统，属于半导体制造装备技术领域。该系统包括反应腔体、进气管路、光学观察窗口和匀气结构，通过创新性地采用匀气结构兼具匀流和射频抑制功能，在保证气流量功能下有效阻断等离子体进入管路内，以及通过将光...
    2025-12-07
  • 一种紧凑型低能量碳-14专用正离子质谱系统及检测方法
    一种紧凑型低能量碳-14专用正离子质谱系统及检测方法_中国辐射防护研究院_202510904354.7
    本发明公开一种紧凑型低能量碳‑14专用正离子质谱系统及检测方法，包括：气体进样单元，用于注入CO2气体样品；正离子单元，用于将CO2气体样品直接电离生成C2+离子束；快交替注入单元，用于对C2+离子束进行初步质量分析以及实现不同碳同位素的交...
    2025-12-07
  • 一种用于二次离子质谱仪的真空换样系统及方法
    一种用于二次离子质谱仪的真空换样系统及方法_中国地质科学院地质研究所_202511467503.4
    本申请公开了一种用于二次离子质谱仪的真空换样系统及方法，真空换样系统包括：主箱体，形成有分析腔；换样箱体，形成有换样腔；样品箱体，形成有样品腔；第一驱动单元，输出端伸入至样品腔内且设置有转运靶托，第一驱动单元用于驱动转运靶托在样品腔与换样腔...
    2025-12-07
  • 一种质谱成像装置和方法
    一种质谱成像装置和方法_中国地质科学院地质研究所_202511484119.5
    本申请提供一种质谱成像装置和方法。本申请提供的装置包括：调整通道，用于对发射单元射出的离子束的飞行方向和竖直方向偏移量进行调整，使离子束以不同角度飞行经过离子透镜聚焦后束斑形状与沿光轴飞行相同，轰击至样品靶的目标区域；调整通道中设有多偏转板...
    2025-12-07
  • 一种晶圆的清洗干燥方法及装置
    一种晶圆的清洗干燥方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511106481.9
    本发明提供了一种晶圆的清洗干燥方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：将晶圆浸没于清洗液中保持预设时间；以第一速度向上提拉晶圆；以第二速度继续向上提拉晶圆，第二速度为根据对所述晶圆表面液膜的实时测量结果动态确定的提拉速度；以第一速度...
    2025-12-07
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