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最新专利技术
  • 双向TVS二极管及其制备方法
    双向TVS二极管及其制备方法_上海鑫维半导体有限公司_202511169566.1
    本发明公开了一种双向TVS二极管及其制备方法，所述双向TVS二极管包括第一N型层和第二N型层，及位于第一N型层和第二N型层之间的P型层，所述P型层和第一N型层的界面位置形成有第一耗尽区，所述P型层和第二N型层的界面位置形成有第二耗尽区，所述...
    2025-11-23
  • 一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法
    一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法_江苏新顺微电子股份有限公司_202511088046.8
    本发明公开了一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法。其包括作为基片的第一导电类型浓掺衬底；在浓掺衬底上设置有第一导电类型的轻掺杂外延层；在外延层上开出外分压环及内等边等角六边形沟槽；在沟槽内上形成栅氧，填充多晶硅；在多晶回蚀...
    2025-11-23
  • 一种阳极场板辅助场限环的SBD及其制备方法
    一种阳极场板辅助场限环的SBD及其制备方法_中北大学_202511482158.1
    本发明涉及功率半导体技术领域，公开了一种阳极场板辅助场限环的SBD及其制备方法，该阳极场板辅助场限环的SBD包括：自下而上依次层叠的衬底和低掺杂N型氧化镓外延层；低掺杂N型氧化镓外延层的顶部间隔嵌入设置有主结、场限环和高掺杂N型氧化镓阴极欧...
    2025-11-23
  • 具有非平面布置的端子的异质结双极型晶体管
    具有非平面布置的端子的异质结双极型晶体管_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510382348.X
    本发明涉及具有非平面布置的端子的异质结双极型晶体管，揭露用于异质结双极型晶体管的结构以及形成用于异质结双极型晶体管的结构的方法。该结构包括本征基极、集电极以及发射极，该本征基极包括第一半导体层，该集电极包括第二半导体层，以及该发射极包括第三...
    2025-11-23
  • 一种IGBT芯片及其制备方法
    一种IGBT芯片及其制备方法_江苏新顺微电子股份有限公司_202510992003.6
    本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法，所述方法包括：在外延层上淀积氧化层作为阻挡层；刻出终端结构；光刻形成沟槽结构、令位于芯片边沿位置的沟槽呈相邻沟槽的间距随沟槽距离芯片中心位置的距离增加呈等比例依序递增；淀积多晶硅、以多晶硅完全填充所...
    2025-11-23
  • 一种半导体结构、制备方法及电子设备
    一种半导体结构、制备方法及电子设备_中芯南方集成电路制造有限公司_202410586192.2
    本申请公开了一种半导体结构、制备方法及电子设备，提供形成有MOS管区域的衬底；所述MOS管区域包括鳍式结构；于所述鳍式结构上形成沟槽结构，且所述沟槽结构中形成有至少一个墙体；所述至少一个墙体将所述沟槽结构分隔为至少两个沟槽区域；于形成有至少...
    2025-11-23
  • 制造包括欧姆接触和栅极电介质的半导体器件的方法
    制造包括欧姆接触和栅极电介质的半导体器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510581061.X
    公开了制造包括欧姆接触和栅极电介质的半导体器件的方法。提出了一种制造半导体器件(100)的方法。所述方法包括在SiC半导体主体(106)中在SiC半导体主体(106)的第一表面(1061)处形成掺杂区(1011，1021，1031)。所述方...
    2025-11-23
  • 金属氧化膜半导体晶体管的制造方法
    金属氧化膜半导体晶体管的制造方法_株式会社电装_202510587789.3
    一种金属氧化膜半导体晶体管的制造方法，具有：在氢气中对SiC衬底进行加热从而将所述SiC衬底的表面进行蚀刻的工序；在所述蚀刻的实施之后，在包含氢气和硅原料气体的气体中将所述SiC衬底加热至比所述蚀刻中的所述SiC衬底的加热温度低的温度，从而...
    2025-11-23
  • 一种沟槽MOSFET及其制造方法
    一种沟槽MOSFET及其制造方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511065142.0
    本发明提供一种沟槽MOSFET及其制造方法，该方法在形成沟槽、屏蔽栅氧化层、控制栅氧化层、隔离氧化层、屏蔽栅、控制栅、体区、源区、介质层之后，形成贯穿介质层与源区并延伸进体区中的第一接触孔及贯穿介质层、控制栅及隔离氧化层并显露屏蔽栅的第二接...
    2025-11-23
  • 降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法
    降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法_重庆万国半导体科技有限公司_202511149300.0
    本发明公开了一种降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法，制备方法包括：在硅衬底上沉积外延层，并在外延层上刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的槽壁上形成栅氧化层；在栅极沟槽中淀积栅极多晶硅；通过离子注入形成体区与源区；在栅极多晶硅的一侧或两侧形成...
    2025-11-23
  • 一种3.3kV超结平面栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种3.3kV超结平面栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470380.X
    本发明提供了一种3.3kV超结平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区和屏蔽层；去除阻挡层，在漂移...
    2025-11-23
  • 一种3kV以上高可靠超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种3kV以上高可靠超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470384.8
    本发明提供了一种3kV以上高可靠超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成缓冲区；在缓冲区上外延生长，得到第一漂移区；离子注入形成P型区；去除阻挡层，第一漂...
    2025-11-23
  • 一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470386.7
    本发明提供了一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成缓冲区；外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入形成P型区；外延生长...
    2025-11-23
  • 一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470409.4
    本发明提供了一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区；去除阻挡层，在漂移层上外...
    2025-11-23
  • 一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470410.7
    本发明提供了一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成均流层；离子注入，形...
    2025-11-23
  • 一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法
    一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470418.3
    本发明提供了一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入形成P型区；去除阻挡层，在漂移层上延生长，形成外延...
    2025-11-23
  • 一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511484046.X
    本发明提供了一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：淀积金属，形成漏极金属层；外延生长，形成缓冲层及漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区；外延生长，形成外延层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202411902898.1
    提供了半导体器件及其制造方法。示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层上；栅电极层，所述栅电极层位于所述阻挡层上并且在平行于所述阻挡层的上表面的第一方向上延伸；栅极半导体层，所述栅极半导体层位于所述阻挡层和所述栅电极层之...
    2025-11-23
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510908109.3
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：沟道层、第一势垒层、P‑GaN层、钝化层、第二势垒层、源极、漏极和栅极；第一势垒层位于沟道层上，P‑GaN层、源极和漏极均位于第一势垒层上，且P‑GaN层位于源极和漏极之间，钝化层覆盖P‑Ga...
    2025-11-23
  • 半导体器件和芯片
    半导体器件和芯片_深圳平湖实验室_202511138188.0
    本公开提供一种半导体器件和芯片，涉及半导体技术领域，用于提升半导体器件的栅极可靠性；该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、帽层、栅极、源极、漏极和调制层；沟道层和势垒层沿远离衬底的方向层叠设于衬底上；帽层设于势垒层远离衬底的一侧；帽层中掺杂...
    2025-11-23
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