Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 基板处理装置及方法
    基板处理装置及方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410606210.9
    本申请公开了一种基板处理装置及方法，该基板处理装置包括：基座、基板承载机构、检测机构、曝光镜头和控制部。其中，控制部与检测机构通信连接，控制部被配置为根据检测机构检测得的基板的表面图像信息判断基板的表面是否存在表面缺陷。若控制部判断基板存在...
    2026-02-16
  • 玻璃基板纳米压印工艺及设备
    玻璃基板纳米压印工艺及设备_广东中图半导体科技股份有限公司_202511455349.9
    本发明属于纳米压印技术领域，公开了玻璃基板纳米压印工艺及设备。玻璃基板纳米压印工艺包括封闭母版并将玻璃基板移动至第一位置处遮挡母版；解除母版的封闭并在玻璃基板的遮挡下对母版点胶；移动热压组件至玻璃基板上方并控制玻璃基板和热压组件同步下压至固...
    2026-02-16
  • 负型感光性树脂组成物、图案形成方法、硬化被膜形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件
    负型感光性树脂组成物、图案形成方法、硬化被膜形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件_信越化学工业株式会社_202510617669.3
    本发明涉及负型感光性树脂组成物、图案形成方法、硬化被膜形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件。本发明的目的是提供一种感光性树脂组成物，其是能够在低温下进行酰亚胺闭环反应，组成物的稳定性优良，并且能够形成微细图案的使用了聚酰亚胺前驱物的...
    2026-02-16
  • 掺镨钇铁石榴石感光溶胶、薄膜微细图形及其制备方法
    掺镨钇铁石榴石感光溶胶、薄膜微细图形及其制备方法_西安外事学院_202510973545.9
    本发明提供了一种掺镨钇铁石榴石感光溶胶、薄膜微细图形及其制备方法，以Y(C2H3O2)3、Pr(NO3)3·6H2O、Fe(NO3)3·9H2O为原料，丙酸为催化剂，苯甲酰丙酮为感光螯合剂，甲醇为溶剂，混合，加入甲醇定容，陈化后得到Y2.8...
    2026-02-16
  • 一种负性抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法
    一种负性抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法_湖北鼎龙芯盛科技有限公司_202511325141.5
    本发明公开了一种负性抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法。该负性抗蚀剂组合物包括：(A)树脂基体、(B)大分子光引发剂、(C)活性增感剂、(D)酸扩散抑制剂、(E)自由基引发剂、(F)活性稀释剂以及(G)有机溶剂；所述(A)树脂基体包含式(I...
    2026-02-16
  • 抗蚀剂组成物及图案形成方法
    抗蚀剂组成物及图案形成方法_信越化学工业株式会社_202511385328.4
    本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明为一种抗蚀剂组成物，含有：(A)基础聚合物，含有具有含有含氟原子的芳香环的酸不稳定基团的重复单元、及具有酚性羟基的重复单元，(B)通式(1)表示的高分子化合物，(RB为氢原子等，Ra为三氟甲基等，...
    2026-02-16
  • 可形成倒梯形剖面的负性光刻胶及其制备方法和使用方法
    可形成倒梯形剖面的负性光刻胶及其制备方法和使用方法_江苏艾森半导体材料股份有限公司_202511392757.4
    本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及可形成倒梯形剖面的负性光刻胶及其制备方法和使用方法，旨在解决负性光刻胶所形成的倒梯形剖面仍难以实现高精度控制的问题。其技术方案要点是：包括如下重量比的原料：50‑80份溶剂、10‑30份丙烯酸树脂、1‑5份...
    2026-02-16
  • 一种基于POSS超支化结构丙烯酸酯类树脂的负性光刻胶
    一种基于POSS超支化结构丙烯酸酯类树脂的负性光刻胶_烟台希尔德材料科技有限公司_202410607367.3
    本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及一种基于POSS超支化结构丙烯酸酯类树脂的负性光刻胶，包括基于POSS超支化结构丙烯酸酯类树脂、自由基聚合引发剂、含烯键的不饱和化合物、表面活性剂和助粘剂；所述POSS超支化结构丙烯酸酯类树脂具有以下通式I...
    2026-02-16
  • 化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510625120.9
    本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明课题是提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法，该化学增幅正型抗蚀剂组成物可提供能形成具有极高的孤立间距分辨率，LER小，矩形性、蚀...
    2026-02-16
  • 一种超支化结构POSS基正性光刻胶组合物及其应用
    一种超支化结构POSS基正性光刻胶组合物及其应用_烟台希尔德材料科技有限公司_202410607400.2
    本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及一种超支化结构POSS基正性光刻胶组合物及其应用，所述超支化结构POSS基正性光刻胶组合物包括感光剂、酸生成剂或碱生成剂、表面活性剂、助粘剂和如下通式Ⅱ所示的具有超支化结构的POSS基聚(甲基)丙烯酸酯树脂...
    2026-02-16
  • 光刻工艺监控方法及装置、计算机可读存储介质
    光刻工艺监控方法及装置、计算机可读存储介质_上海光通信有限公司_202410586535.5
    一种光刻工艺监控方法及装置、计算机可读存储介质，所述方法包括：对采用待测光刻工艺制备得到的待测光刻层进行光学关键尺寸测量，得到光谱信息；将光谱信息输入预设数据库，预设数据库包括至少一个预设子数据库，各预设子数据库均具有一个样本光刻层的光谱信...
    2026-02-16
  • 一种掩模版形变补偿方法及静电吸盘
    一种掩模版形变补偿方法及静电吸盘_中国科学院微电子研究所_202410602466.2
    本申请提供一种掩模版形变补偿方法及静电吸盘，通过掩模版工件台的静电吸盘可以基于预设补偿区域进行掩模版的吸附，以便静电吸盘对掩模版在预设补偿区域施加补偿吸附力，在预设补偿区域之外的其他区域施加常规吸附力，补偿吸附力大于常规吸附力，预设补偿区域...
    2026-02-16
  • 一种静电吸盘及光刻设备
    一种静电吸盘及光刻设备_中国科学院微电子研究所_202410603059.3
    本申请提供一种静电吸盘及光刻设备，在静电吸盘的上表面具有多个凸起结构，静电吸盘的上表面用于吸附掩模版，多个凸起结构包括位于静电吸盘的中心的第一凸起结构，以及位于静电吸盘的四周的多个第二凸起结构，多个第二凸起结构围成至少一圈轨迹，每圈轨迹的中...
    2026-02-16
  • 光掩膜版传输轨道及设计方法、自动化搬运系统
    光掩膜版传输轨道及设计方法、自动化搬运系统_中芯京城集成电路制造(北京)有限公司_202410606500.3
    本发明提供一种光掩膜版传输轨道及设计方法、自动化搬运系统，其中光掩膜传输轨道包括：多个纵向轨道，所述纵向轨道横跨多个光刻设备单元，多个所述光刻设备单元沿着纵向排列设置，所述光刻设备单元内具有多个所述光刻设备，所述光刻设备具有承载模块，所述承...
    2026-02-16
  • 基板处理装置及方法
    基板处理装置及方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410607206.4
    本申请公开了一种基板处理装置，包括：基座；基板承载机构，装设于基座，用于承载基板；位置检测机构，用于检测基板承载机构所承载的基板的位置信息；曝光镜头，可移动地装设于基座，用于对基板的预设区域进行曝光；第一驱动机构，用于驱动曝光镜头移动；控制...
    2026-02-16
  • 版图拆分方法及系统、设备和存储介质、计算机程序产品
    版图拆分方法及系统、设备和存储介质、计算机程序产品_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410621045.4
    一种版图拆分方法及系统、设备和存储介质、计算机程序产品，方法包括：获取待拆分的掩膜版图，掩膜版图包括多个原始图形；基于第一参考图形的衍生图层沿第二方向对多个原始图形进行区分；对第一原始图形进行第一拆分处理，且每张子掩膜版图中的第一原始图形在...
    2026-02-16
  • 一种曝光设备及生产方法、计算机可读存储介质
    一种曝光设备及生产方法、计算机可读存储介质_上海芯上微装科技股份有限公司_202510372493.X
    本发明提供了一种曝光设备及生产方法、计算机可读存储介质，曝光设备包括基底承载模块、预对准模块、工件台、下片台、以及传输模块；预对准模块、下片台、述工件台沿水平的第一方向依次间隔设置；基底承载模块位于预对准模块远离工件台的一侧；传输模块位于基...
    2026-02-16
  • 一种将图片转换为GDS文件的方法
    一种将图片转换为GDS文件的方法_北京金竟科技有限责任公司_202510878552.0
    一种将图片转换为GDS文件的方法，主要步骤包括：原始彩色图片灰度化；基于自适应阈值法，对灰度图进行二值化处理；在python环境下，使用numpy、gdspy库将二值化图转换为GDS格式文件。该方法便捷实用，可实现任意格式图片转换为曝光系统...
    2026-02-16
  • 降低浸没式光刻机曝光缺陷的方法
    降低浸没式光刻机曝光缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511432239.0
    本发明涉及一种降低浸没式光刻机曝光缺陷的方法，包括：通过悍马法制备氧化石墨烯，并利用阳离子‑π相互作用制备阳离子控制的氧化石墨烯膜；将所述氧化石墨烯膜装配在浸没式光刻机的浸没系统的液体通道中，以使浸没液流经所述氧化石墨烯膜进行纯化后再流向晶...
    2026-02-16
  • 一种晶圆量测方法及系统
    一种晶圆量测方法及系统_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511492162.6
    本发明提供了一种晶圆量测方法及系统，属于半导体制造技术领域，方法包括：设置基准片；获取半导体当层的理论套刻误差，并设置校准参数，且校准参数为半导体当层的实际套刻误差与理论套刻误差的比值；根据多批待测晶圆的平均套刻误差，获得待测晶圆的基准误差...
    2026-02-16
首页 上一页 18 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证