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最新专利技术
  • 一种硅通孔及应力消除层的加工方法及电子设备
    一种硅通孔及应力消除层的加工方法及电子设备_粤芯半导体技术股份有限公司_202511555193.1
    本申请提供了一种硅通孔及应力消除层的加工方法及电子设备，背照式图像传感器包括键合在一起的像素晶圆和逻辑晶圆，像素晶圆内和逻辑晶圆内形成有金属互连结构；以双大马士革工艺在逻辑晶圆内、除硅通孔加工位置和金属互连结构所在区域之外的目标区域加工形成...
    2026-01-02
  • 多芯片集成的扇出型封装的光电传感器及其制造方法
    多芯片集成的扇出型封装的光电传感器及其制造方法_苏州多感科技有限公司_202511574310.9
    本发明公开了一种多芯片集成的扇出型封装的光电传感器及其制造方法，属于集成电路技术领域，该多芯片集成的扇出型封装的光电传感器的制造方法，包括以下步骤：提供图像传感器芯片和光源芯片，将图像传感器芯片的感光区和光源芯片的发光区朝下放置在载板上；钢...
    2026-01-02
  • 一种多波段并联式量子点焦平面探测器及其制备方法
    一种多波段并联式量子点焦平面探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202511139773.2
    本发明公开了一种多波段并联式量子点焦平面探测器及其制备方法，所述多波段并联式量子点焦平面探测器包括有：ROIC晶圆基底，ROIC晶圆包括基板，基板上分布有阵列式的金属柱，相邻金属柱通过绝缘层分隔开；在各金属柱上设置有从下往上依次为第一电极层...
    2026-01-02
  • 一种宽光谱单像素InGaAs探测器及制作方法
    一种宽光谱单像素InGaAs探测器及制作方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511150174.0
    本发明涉及一种宽光谱单像素InGaAs探测器及制作方法，它包括基板、铟柱与单像素光敏芯片；铟柱用于连接基板与单像素光敏芯片；基板靠近铟柱的一侧有线状金属薄膜，用于引出光生电学信号，部分铟柱位于金属薄膜之上；铟柱上方为单像素光敏芯片，从下至上...
    2026-01-02
  • 背照式图像传感器及其制备方法、电子设备
    背照式图像传感器及其制备方法、电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511543420.9
    本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，该背照式图像传感器包括：衬底、衬底表面上依次设置的外延层、绝缘介质层、光阻挡层和厚度可控的透明导电层；其中，外延层上设有有源区和虚设区，光阻挡层与焊盘电连接；所述...
    2026-01-02
  • 图像传感器及其制作方法
    图像传感器及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511543576.7
    本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。该图像传感器包括：衬底；光电二极管结构，多个所述光电二极管结构设置于所述衬底；第一隔离结构，设置于所述光电二极管结构之间；第二隔离结构，包括开设于所述第一隔离结构的深沟槽，以及设置...
    2026-01-02
  • 一种提高图像传感器性能的方法以及图像传感器
    一种提高图像传感器性能的方法以及图像传感器_格科微电子(上海)有限公司_202410661170.8
    本发明公开了一种提高图像传感器性能的方法以及图像传感器，所述图像传感器包括若干像素单元构成的像素阵列，所述像素单元包括若干子像素单元，所述子像素单元包括子像素光电二极管以及与所述子像素单元对应的转移晶体管，本发明通过将所述若干子像素单元的子...
    2026-01-02
  • 半导体封装件及其生产方法
    半导体封装件及其生产方法_半导体元件工业有限责任公司_202410960096.X
    本申请涉及半导体封装件及其生产方法。在一般方面中，一种半导体封装件包括半导体管芯，该半导体管芯具有安置在第一表面上的图像传感器。封装件进一步包括信号重新分布层，该信号重新分布层安置在半导体管芯的与第一表面相对的第二表面上。封装件还包括至少一...
    2026-01-02
  • 一种基于超表面的二维多色可见光成像系统
    一种基于超表面的二维多色可见光成像系统_哈尔滨工业大学_202511190433.2
    一种基于超表面的二维多色可见光成像系统，它涉及一种二维多色可见光成像系统。本发明为了解决传统诊断技术受限于维度不足分辨率低下，难以捕捉微秒尺度的湍流输运过程，制约了对物理机制的深入理解和主动控制的问题。本发明通过硬件层面的光谱编码和软件层面...
    2026-01-02
  • 图像传感器及其制作方法
    图像传感器及其制作方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511517420.1
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法。该图形传感器中，衬底内具有多个光电转换区，第一介质层位于衬底上，沟槽贯穿第一介质层且底面位于衬底中，沟槽还位于相邻的光电转换区之间，第一绝缘层保形地覆盖沟槽的内表面，至少两个电极层位于第一绝缘层上且填充...
    2026-01-02
  • 一种用于提升图像传感器量子效率的像素结构及制作方法
    一种用于提升图像传感器量子效率的像素结构及制作方法_创视半导体(杭州)有限公司_202511562913.7
    本发明公开了一种用于提升图像传感器量子效率的像素结构及制作方法，涉及图像传感器领域，解决了目前图像传感器因片上微透镜之间的间隙光子的进入造成的图像传感器量子效率降低的问题，包括：滤光层，所述滤光层由多个颜色滤光阵列形成；以及像素结构层，所述...
    2026-01-02
  • 一种背接触光伏组件及其制作方法
    一种背接触光伏组件及其制作方法_正泰新能科技股份有限公司_202410646646.0
    本申请涉及光伏领域，公开了一种背接触光伏组件及其制作方法，包括在敷设有第一胶膜层的第一基板上排布背接触太阳能电池；在背接触太阳能电池上放置低温焊带和载体膜，并利用载体膜将低温焊带固定在背接触太阳能电池上；载体膜从低温焊带上侧固定低温焊带；在...
    2026-01-02
  • 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件
    一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202410712387.7
    本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该制备方法包括以下步骤：在硅片上制备掺杂层；其中，硅片上具有用于设置电极的电极设置区域；对对应至电极设置区域的掺杂层进行激光推进处理；其中，掺杂层经过激光推进处...
    2026-01-02
  • 太阳电池处理方法、太阳电池及光伏组件
    太阳电池处理方法、太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410768130.3
    本申请提供了一种太阳电池处理方法、太阳电池及光伏组件，其中处理方法包括：对具有电极栅线的太阳电池的细栅区域涂布绝缘胶；在绝缘胶固化后，利用等离子体对绝缘胶进行等离子体处理，以使绝缘胶与封装胶膜之间的剥离强度提升。本申请能够提高绝缘胶的界面粘...
    2026-01-02
  • 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件
    一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202410797467.7
    本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括以下步骤：使用激光对电极设置区域上的掺杂层进行推进；激光推进处理使得第一掺杂子层的掺杂深度增大进而大于第二掺杂子层的掺杂深度，并使得第...
    2026-01-02
  • 绒面结构及其制备方法、太阳电池以及光伏组件
    绒面结构及其制备方法、太阳电池以及光伏组件_通威太阳能(金堂)有限公司_202410979990.1
    本发明公开了一种绒面结构及其制备方法、太阳电池以及光伏组件。绒面结构的制备方法包括如下步骤：对硅片进行预清洗；采用第一制绒溶液对预清洗后的硅片表面进行第一步制绒，第一步制绒时，控制反应温度由85℃~88℃连续降低至75℃~72℃；采用第二制...
    2026-01-02
  • 背接触太阳电池的制备方法
    背接触太阳电池的制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411016905.8
    本申请提供了一种背接触太阳电池的制备方法，包括：提供太阳电池基片，太阳电池基片包括硅片，硅片背面具有第一区域和第二区域，第一区域内依次设有第一隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层、硼硅玻璃层、第二隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层和磷硅玻璃层，第二区域内依次...
    2026-01-02
  • 异质结太阳能电池的返工方法
    异质结太阳能电池的返工方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411095224.5
    本申请涉及一种异质结太阳能电池的返工方法。返工方法包括如下步骤：对不良品进行预处理，去除所述不良品表面的脏污；在所述预处理后的所述不良品具有N型掺杂层的表面形成P型掺杂层，得到中间产品；对所述中间产品进行去膜处理，去除所述中间产品表面的膜层...
    2026-01-02
  • 光伏组件加工方法、焊带涂胶装置以及光伏组件加工设备
    光伏组件加工方法、焊带涂胶装置以及光伏组件加工设备_通威太阳能(成都)有限公司_202411174187.7
    本申请涉及一种光伏组件加工方法、焊带涂胶装置以及光伏组件加工设备。所述光伏组件加工方法通过胶水的粘结作用实现焊带与电池片之间的连接，可以避免锡膏的使用，进而降低光伏组件的加工成本；同时，由于在加工过程中不需要使用锡膏，进而可以降低银栅线被损...
    2026-01-02
  • 太阳电池的制备方法及太阳电池、光伏组件
    太阳电池的制备方法及太阳电池、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202411189425.1
    本发明公开了一种太阳电池的制备方法及太阳电池、光伏组件，该太阳电池的制备方法包括以下步骤：提供受光面具有扩散层的硅片；钝化：在硅片的背光面制备第一钝化层，在扩散层背离硅片的一侧制备第二钝化层；双面激光：从具有第二钝化层的一侧，对硅片受光面的...
    2026-01-02
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