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最新专利技术
  • 电池串替片返修方法及返修装置
    电池串替片返修方法及返修装置_浙江求是半导体设备有限公司_202511093502.8
    本申请公开了一种电池串替片返修方法及返修装置，该电池串包括多个电池片以及布设于多个电池片上的焊带组，焊带组将多个电池片相连，定义电池串中需要返修的电池片为第一电池片，定义第一电池片沿预设方向两侧的电池片为第二电池片，定义用于替换的电池片为替...
    2025-12-27
  • 电池串替片返修方法及返修装置
    电池串替片返修方法及返修装置_浙江求是半导体设备有限公司_202511095575.0
    本申请公开了一种电池串替片返修方法及返修装置，该电池串包括多个电池片以及布设于多个电池片上的焊带组，焊带组将多个电池片相连，定义电池串中需要返修的电池片为第一电池片，定义第一电池片沿预设方向两侧的电池片为第二电池片，定义用于替换的电池片为替...
    2025-12-27
  • 一种TOPCON电池的加工方法及其减薄加工装置
    一种TOPCON电池的加工方法及其减薄加工装置_江苏创赢光能科技有限公司_202511192923.6
    本发明提供了一种TOPCON电池的加工方法及其减薄加工装置，本发明通过制绒、硼扩散、激光掺杂、氧化等多种工序进行对硅片加工处理，其中利用第一激光束和第二激光束通过叠合组件叠合输出减薄激光束对电池背面poly减薄，其减薄均匀性高，效果好，生产...
    2025-12-27
  • 一种碲化镉薄膜电池的制备方法
    一种碲化镉薄膜电池的制备方法_龙焱能源科技(杭州)股份有限公司_202511199868.3
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碲化镉薄膜电池的制备方法，包括：在玻璃基板一侧形成透明导电层；在透明导电层背向玻璃基板一侧表面形成复合电池层；对复合电池层进行多步氯化镉热处理工艺；多步氯化镉热处理工艺依次包括第一热处理阶段、第二热处理阶...
    2025-12-27
  • 光伏组件的生产工艺及光伏组件
    光伏组件的生产工艺及光伏组件_三一硅能(朔州)有限公司_202511202857.6
    本发明提供了一种光伏组件的生产工艺及光伏组件，其中光伏组件的生产工艺包括原丝拉丝；原丝压延且拍扁，成形出第一部、第二部和第三部；对拍扁后的原丝进行退火；对退火后的原丝镀第一料层形成焊带；收卷焊带；放卷焊带，并拉直且裁切焊带以形成焊带单元；焊...
    2025-12-27
  • 单晶电池的简化RCA清洗工艺
    单晶电池的简化RCA清洗工艺_润马光能科技(金华)有限公司_202511206672.2
    本发明属于单晶电池技术领域，具体涉及一种单晶电池的简化RCA清洗工艺。所述单晶电池的简化RCA清洗工艺包括以下步骤：将单晶硅片置于NaOH、正刻添加剂和纯水组成的正刻液中正刻，正刻添加剂包括水、正刻助剂、润湿剂、分散剂、耦合剂；置于NaOH...
    2025-12-27
  • 一种适用于N型Topcon电池片退火提效的方法
    一种适用于N型Topcon电池片退火提效的方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511211073.X
    本发明公开一种适用于N型Topcon电池片退火提效的方法，涉及太阳能电池制造领域。该方法基于现有10步退火工艺，核心是在晶化升温和高温晶化同步通氮气与氧气，生成二氧化硅层。晶化升温参数为900‑910℃、800‑900mbar、400‑50...
    2025-12-27
  • 一种电池烧结过程中的氢离子控制方法
    一种电池烧结过程中的氢离子控制方法_扬州大学_202511223999.0
    本发明涉及光伏的技术领域，特别是涉及一种电池烧结过程中的氢离子控制方法，包括：根据硅基体的掺杂界面类型判断硅基体所需的目标态氢离子，并使含氢钝化膜层至少负载目标态氢离子；在硅基体的烧结过程中，向硅基体和含氢钝化膜层施加与硅基体平行的平行磁场...
    2025-12-27
  • 一种光学传感器芯片的双面板级封装方法
    一种光学传感器芯片的双面板级封装方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511227191.X
    本发明提供了一种光学传感器芯片的双面板级封装方法，其在满足感光芯片封装要求性能和封装结构的同时，还大幅提高了封装效率，降低了封装成本。其特征在于：其将感光区在封装过程中先保护起来，待封装基本结束后再打开，封装过程采用双面键合的方式。
    2025-12-27
  • 一种光伏电池组件用真空层压机及其使用方法
    一种光伏电池组件用真空层压机及其使用方法_秦皇岛硕谷智能科技有限公司_202511283547.1
    本发明涉及光伏组件生产技术领域，具体为一种光伏电池组件用真空层压机及其使用方法。光伏电池组件用真空层压机包括：层压机上盖和层压机底部，其中，层压机底部包括：设置于传送带下方的加热板，其上设置有真空接口，传送带输送光伏电池组件；层压机上盖包括...
    2025-12-27
  • 一种TOPCon电池的制备方法及利用其制备的TOPCon电池
    一种TOPCon电池的制备方法及利用其制备的TOPCon电池_天合光能(淮安)光电有限公司_202511391659.9
    本申请涉及TOPCon电池技术领域，主要提供一种TOPCon电池的制备方法及利用其制备的TOPCon电池，该TOPCon电池的制备方法中，在沉积掺磷非晶硅层后，通过设置多段梯度恒温处理阶段，可以有效提高掺磷非晶硅层退火后的晶化率，同时还能够...
    2025-12-27
  • 一种光伏硅片水膜喷淋装置及附膜方法
    一种光伏硅片水膜喷淋装置及附膜方法_江苏亚电科技股份有限公司_202511427936.7
    本申请涉及一种光伏硅片水膜喷淋装置，属于半导体基板制造设备技术领域。本申请的光伏硅片水膜喷淋装置，将泵和喷淋头分开安装，泵和喷淋头分别单独安装在第一安装板和第二安装板上，由于第一安装板和第二安装板不直接连接，且泵和喷淋头通过软管连接，使泵工...
    2025-12-27
  • 一种太阳能电池片同步实现无损切割和钝化的方法
    一种太阳能电池片同步实现无损切割和钝化的方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511561497.9
    本发明提供一种太阳能电池片同步实现无损切割和钝化的方法。该方法包括以下步骤：预设太阳能电池片的切割路径；在反应气氛中，沿着切割路径对太阳能电池片进行激光消融，以气化切割面产生无损切割面，同时反应气氛中的气体与局部激光消融熔硅反应形成钝化层。...
    2025-12-27
  • 一种钝化接触晶硅电池退火温度控制方法及系统
    一种钝化接触晶硅电池退火温度控制方法及系统_河北科技工程职业技术大学_202511605110.5
    本发明涉及钝化接触晶硅电池制造技术领域，尤其是一种钝化接触晶硅电池退火温度控制方法及系统，所述方法包括以下步骤：获取退火炉的运行参数以及硅片的热负荷信息；评估温度控制回路的响应延迟特性；基于所述运行参数、所述热负荷信息以及所述响应延迟特性，...
    2025-12-27
  • 光伏电池的制备方法、光伏电池及光伏组件
    光伏电池的制备方法、光伏电池及光伏组件_苏州阿特斯阳光电力科技有限公司_202410709656.4
    本发明公开了一种光伏电池的制备方法、光伏电池及光伏组件，所述制备方法包括以下步骤：制备光伏电池，所述光伏电池为HJT电池或HBC电池；对光伏电池的表面进行氧等离子体处理，使光伏电池的表面能大于预设阈值。本发明通过氧等离子体处理可快速处理电池...
    2025-12-27
  • 背接触电池及其制造方法、背接触叠层电池、光伏组件
    背接触电池及其制造方法、背接触叠层电池、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511194678.2
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种背接触电池及其制造方法、背接触叠层电池、光伏组件，制造方法包括：提供具有相对的第一、二面的基底，第二面包括沿第二方向交替排布的第一、二区；在第一区上形成包括堆叠设置的隧穿层、掺杂多晶硅层和第一保护层的叠层结...
    2025-12-27
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511416149.2
    本发明公开一种光伏组件。光伏组件可包括：多个电池串以及设置于电池串端部的汇流带，电池串端部的边缘电池片正面排列有多个正面连接件，边缘电池片背面排列有多个背面连接件，在边缘电池片的边缘延伸方向上间隔设置有多个第一开口结构，第一开口结构贯通边缘...
    2025-12-27
  • 一种基于钙钛矿型的光电导LaNiO3/ZnO薄膜异质结材料的制备方法
    一种基于钙钛矿型的光电导LaNiO3/ZnO薄膜异质结材料的制备方法_西南科技大学_202511266680.6
    一种基于钙钛矿型的光电导LaNiO3/ZnO薄膜异质结材料的制备方法，包括：先后制备LaNiO3多晶膜和ZnO前驱液；然后在LaNiO3薄膜上旋涂ZnO前驱液，将所得的湿膜高温煅烧，得到LaNiO3/ZnO薄膜异质结材料；本发明具有以下有益...
    2025-12-27
  • 一种待切割太阳能电池片及光伏组件
    一种待切割太阳能电池片及光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511229607.1
    本发明涉及一种待切割太阳能电池片及光伏组件，电池片包括：电池片本体，电池片本体的表面设置有激光加热增强区；激光加热增强区设有陷光部和热量吸收部，电池片本体的待切割线位于激光加热增强区中；陷光部设于激光加热增强区的表面；热量吸收部与陷光部的至...
    2025-12-27
  • 一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构
    一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511220793.2
    本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构，该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；交替设置在各个凹槽中的第一导电区和第二导电区，第一导电区包括依次设置于凹槽上的第一电介质层和第一掺杂区域...
    2025-12-27
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