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最新专利技术
  • 包含导电触点及支撑结构的存储器装置
    包含导电触点及支撑结构的存储器装置_美光科技公司_202510760157.2
    本申请案涉及包含导电触点及支撑结构的存储器装置。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含存储器装置，其包含：第一区，其包含与第一层阶的介电材料交错的第一层阶的导电材料，及第一存储器单元，所述第一存储器单元包含延伸穿过所述...
    2025-12-31
  • 一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统
    一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202511117343.0
    本申请公开了一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统，其中，页缓冲器包括沿第一方向交替排布的第一晶体管区域和第二晶体管区域；所述第一晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第一子区域，所述第二晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第二子区...
    2025-12-31
  • 一种三维存储器的叠层结构及其制备方法
    一种三维存储器的叠层结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511329564.4
    本申请公开了一种三维存储器的叠层结构及其制备方法，该结构包括：衬底、多个隔离层、多个金属层、沟槽以及存储层；在第一方向上，一个隔离层叠置于衬底的第一侧，隔离层与金属层交替叠置；沟槽沿第一方向贯穿多个金属层与多个隔离层；沟槽侧壁具有位于金属层...
    2025-12-31
  • 铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
    铁电场效应晶体管存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410722766.4
    本申请涉及微电子技术领域的一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法，所述铁电场效应晶体管存储器包括依次层叠设置的衬底、栅电极、氧化物介质层、铁电层、半导体层和源漏电极。本申请的铁电场效应晶体管存储器可以显著提升其存储窗口，存储窗口的增大有利于...
    2025-12-31
  • 一种基于电流调控与驱动磁性拓扑结构的存储器件及方法
    一种基于电流调控与驱动磁性拓扑结构的存储器件及方法_武汉大学_202511173824.3
    本发明公开了一种基于电流调控与驱动磁性拓扑结构的存储器件及方法，属于自旋电子器件技术领域，所属IPC分类号为H01L43。本发明的存储器件包括电极、外磁场层、脉冲电流源及经预退火处理的二维范德华铁磁材料Fe3GaTe2材料层。本发明基于拓扑...
    2025-12-31
  • 一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器
    一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器_电子科技大学_202511667855.4
    本发明公开了一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器，属于自旋电子学与纳米磁性器件技术领域。该器件包括重金属层、人工亚铁磁体层以及读写端；人工亚铁磁体层由多个并行的斯格明子条状赛道组成；斯格明子条状赛道包括下层铁磁薄膜、非磁中间层、上层铁磁...
    2025-12-31
  • 一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法
    一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511170398.8
    本发明提供一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法，包括如下步骤：在衬底上的堆叠结构中形成字线结构；在字线结构的电极层中形成对称的凹陷结构；在凹陷结构内形成选通层；填充绝缘介质，在字线结构两侧的绝缘介质中形成通孔结构；在选通层外侧依次形成插入...
    2025-12-31
  • 刻蚀方法
    刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511205644.9
    本申请公开了一种刻蚀方法，包括：将非生产性晶圆传送至刻蚀机台的反应腔室；对非生产性晶圆进行预刻蚀，在预刻蚀过程中通入的反应气体包含氟元素，通过预刻蚀后在反应腔室内生成含氟元素的生成物，非生产性晶圆是不用于形成半导体器件产品的晶圆；将非生产性...
    2025-12-31
  • 沟槽电容器及其制作方法
    沟槽电容器及其制作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511263077.2
    本发明提供一种沟槽电容器及其制作方法，所述方法包括：提供基底，在基底内形成沟槽；在沟槽内以及沟槽外的基底上形成电容堆叠层，电容堆叠层包括第一极板、第二极板以及用于隔开第一极板、第二极板的电容介质层，沟槽外的第一极板包括第一延伸部，其中，电容...
    2025-12-31
  • 深沟槽电容的制造方法
    深沟槽电容的制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511141534.0
    本发明提供一种深沟槽电容的制造方法，包括：在形成含气隙的深沟槽后，在多晶硅层上沉积一覆盖层，并对该覆盖层进行图形化处理，以形成仅覆盖气隙上方区域的保护帽结构，同时暴露出多晶硅层的其他区域；随后，在露出的多晶硅层以及衬底的预定区域上同时形成金...
    2025-12-31
  • 电容器及其制备方法
    电容器及其制备方法_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202511181212.9
    本申请涉及一种电容器及其制备方法，该制备方法包括：半导体衬底，半导体衬底包括相背离的顶面和背面；在半导体衬底内形成沟槽，沟槽贯穿半导体衬底的顶面；在沟槽内形成支撑柱，支撑柱的尺寸小于沟槽的尺寸，且支撑柱的顶面至少与半导体衬底的顶面齐平；在沟...
    2025-12-31
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511262963.3
    本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，在半导体衬底中形成深沟槽电容之前，先形成金属硅化物层，并且金属硅化物层和深沟槽电容之间形成有第一间隔介质层，并通过第一连接结构电连接所述金属硅化物层和所述深沟槽电容的上极板，通过第二连接结构电连接所述...
    2025-12-31
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511262989.8
    本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供基底结构，所述基底结构包括衬底以及依次位于所述衬底第一表面的第一介质层和第二介质层，所述基底结构中形成有深沟槽电容以及与所述深沟槽电容连接的接触孔结构，所述接触孔结构...
    2025-12-31
  • 一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件
    一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518463.1
    本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。制备方法包括：在基层介电层上形成主体层；形成主体层的步骤包括：形成电容主体；电容主体的各导电层呈平直状；形成通槽，通槽在第一方向上及第二方向上分别贯穿电容主体，将电容主体分割为两个功能区；各功...
    2025-12-31
  • 半导体装置
    半导体装置_世界先进积体电路股份有限公司_202410737506.4
    一种半导体装置，包含第一导电类型的第一井区设置于基底内，第二导电类型的第一掺杂区设置于第一井区内，第一掺杂区包含侧向分离的第一部分和第二部分。第一导电类型的第二掺杂区设置于第一部分和第二部分之间，且不接触第一部分和第二部分。第一导电类型的第...
    2025-12-31
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511310808.4
    一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲层；形成第一开口，所述第一开口贯穿所述牺牲层和且位于部分厚度的所述衬底内；在所述第一开口内形成集电区；在所述集电区上的第一开口内形成基区；在基区上形成发射区；去除所述牺...
    2025-12-31
  • 晶体管装置
    晶体管装置_益力威芯股份有限公司_202510537876.8
    本发明提供一种晶体管装置，包括一汲极层、一主体层、一源极N区、至少一沟槽及一掺杂区。汲极层具有第一导电类型，主体层设置在汲极层上方，且具有与第一导电类型相反的第二导电类型；源极N区设置在主体层内，且具有第一导电类型；沟槽穿过源极N区、主体层...
    2025-12-31
  • 一种氧化镓IGBT器件及其制造方法
    一种氧化镓IGBT器件及其制造方法_深圳市新弘途科技有限公司_202511270414.0
    本发明提供了一种氧化镓IGBT器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括依次叠层设置的重掺杂P型衬底、N型氧化镓缓冲层、N型氧化镓漂移区、P型层、N型载流子存储层、P型阱区和掺杂接触区；掺杂接触区包括重掺杂N型区和重掺杂P型区；P型层、N型...
    2025-12-31
  • 沟槽栅半导体器件及其制造方法
    沟槽栅半导体器件及其制造方法_深圳宝泉智捷科技有限公司_202511357137.7
    本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，沟槽栅的栅极导电材料层分成叠加在一起的主体部分和上凸部分，上凸部分的顶部表面为CMP研磨面且位于栅极沟槽的顶部表面之上。在半导体衬底中还形成有体区和漂移区；栅极沟槽纵向穿过体区。形成于体区的表面区域中的源区...
    2025-12-31
  • 集成多设备芯片和封装
    集成多设备芯片和封装_力特半导体(无锡)有限公司_202511103186.8
    本发明题为“集成多设备芯片和封装”。公开了一种保护设备，该保护设备可包括半导体衬底和形成在该半导体衬底内的晶闸管型设备，其中晶闸管设备从半导体衬底的第一主表面延伸到半导体衬底的第二主表面。该保护设备可包括形成在半导体衬底内的第一PN二极管；...
    2025-12-31
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