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最新专利技术
  • 一种基于复合栅与栅终端扩展的增强型GaN HEMT器件及其制备方法
    一种基于复合栅与栅终端扩展的增强型GaN HEMT器件及其制备方法_南京理工大学_202511796746.2
    本发明公开了一种基于复合栅与栅终端扩展的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，其中的增强型GaN HEMT器件的复合栅结构中的p‑InGaN与p‑GaN/p++GaN层异质结极化作用会在界面产生二维空穴气，并在高漏压关断时向沟道注入更多的...
    2026-01-26
  • GaN HEMT器件及其制造方法
    GaN HEMT器件及其制造方法_上海新微半导体有限公司_202511818227.1
    本发明提供一种GaN HEMT器件及其制造方法，包括：对应于GaN HEMT器件的场板区域设置至少一个导热孔，该导热孔从器件背面向上延伸，停止于器件表面钝化层的下表面，所述导热孔内形成有导热材料，可以将热量从器件的发热核心传导至外部。本发明...
    2026-01-26
  • 一种半导体器件和制备方法
    一种半导体器件和制备方法_华为技术有限公司_202410911632.7
    本申请提供了的半导体器件，在生长源极结构(150)和漏极结构(160)的时候，是对第一次外延生长的结构进行刻蚀，然后在刻蚀后的侧壁上继续进行第二次外延生长最终才获得源极结构(150)和漏极结构(160)。通过对第一次外延生长的第一外延层(1...
    2026-01-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411069458.2
    本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、设置在基底上的栅极结构以及设置在栅极结构的相对侧处的基底中的源极/漏极。栅极结构包括栅极介电层、栅极电极、第一栅极间隙壁以及第二栅极间隙壁。栅极介电层设置在基底上。栅极电极设置在栅极...
    2026-01-26
  • 沟槽式MOSFET及其制造方法
    沟槽式MOSFET及其制造方法_思创电子股份有限公司_202411430915.6
    本发明提供一种沟槽式MOSFET及其制造方法，所述沟槽式MOSFET包括衬底、栅极结构、源极区、氧化物间隔物、氮化物覆层、内层介电层、源极接触孔以及栅极接触孔。栅极结构设置在衬底的沟槽中，且栅极结构具有一凸出顶部自衬底的表面露出，且凸出顶部...
    2026-01-26
  • 基于β-Ga2O3衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备
    基于β-Ga2O3衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备_武汉大学_202511230479.2
    本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种基于β‑Ga22O33衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备。该横向MOSFET器件包括：衬底、轻掺杂区、第一重掺杂区和第二重掺杂区、第一金属层、第二金属层、栅介质层、栅极金属层。该横向...
    2026-01-26
  • 基于二维单层硒化钨和铝钪氮的CAA结构的可重构铁电晶体管
    基于二维单层硒化钨和铝钪氮的CAA结构的可重构铁电晶体管_华南理工大学_202511301217.0
    本发明公开了一种基于二维单层硒化钨和铝钪氮的可重构铁电晶体管，晶体管采用CAA结构，在栅电极施加编程脉冲电压，改变铁电层的极化方向，将极化电场耦合至沟道区域；在脉冲编程电压作用下铝钪氮AlScN铁电层发生极化翻转，在沟道界面诱导产生束缚电荷...
    2026-01-26
  • 基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片
    基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片_深圳大学_202511305032.7
    本发明公开了一种基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片。器件包括依次堆叠的栅电极、阻挡层、铁电层、隧穿层、二维半导体层及源漏电极；二维半导体层具有光电响应特性，隧穿层被配置为使...
    2026-01-26
  • 一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管及制备方法
    一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管及制备方法_上海大学_202511435877.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管，设置有底栅编程栅极和顶栅控制栅极，使用两个分立的栅极的形式，极大限度地减少晶体管编程与晶体管控制操作之间的串扰，提升晶体管的非易失特性与实用性，解决了传统晶体管在非...
    2026-01-26
  • MOSFET器件及其形成方法
    MOSFET器件及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202511534908.5
    本发明涉及一种MOSFET器件及其形成方法。所述MOSFET器件包括：衬底，包括沿第一方向相对分布的正面和背面；阱区，位于衬底内，阱区中包括第一掺杂元素；隔离结构，位于衬底内且分布于阱区的侧面；阻挡层，位于阱区与隔离结构之间，阻挡层用于阻挡...
    2026-01-26
  • 一种半导体器件和掩膜版
    一种半导体器件和掩膜版_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511601617.3
    一种半导体器件和掩膜版，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有由隔离结构界定的有源区，所述有源区沿第一方向延伸；栅极结构，形成在所述半导体衬底上且横跨所述有源区，所述栅极结构沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；其中，所述有源区...
    2026-01-26
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410940398.0
    本申请实施例提供了一种芯片、制备方法及电子设备，该芯片包括：衬底和长沟道晶体管，长沟道晶体管设置在衬底上，长沟道晶体管包括鳍结构Fin、源极、漏极、第一间隔层、环栅、第二间隔层；其中，源极和漏极分别设置在鳍结构的同侧或不同侧，且，源极在衬底...
    2026-01-26
  • 一种氧化镓功率器件及其制造方法
    一种氧化镓功率器件及其制造方法_深圳市朗帅科技有限公司_202511442649.3
    本发明提供了一种氧化镓功率器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括：漏极、n掺杂氧化镓衬底和n型氧化镓漂移区；漂移区包括第一n型氧化镓漂移区、第二n型氧化镓漂移区和鳍状沟道；鳍状沟道两侧依次布置有高k栅介质层、栅极、绝缘层和源极；绝缘层中...
    2026-01-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411197172.2
    本发明的实施方式涉及半导体装置。本实施方式所涉及的半导体装置具有：第1电极及第2电极，分别设置于半导体层的第1主面及第2主面；第1导电型的第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，从第1半导体区域朝向第2电极延伸，具有上侧区域和下侧区域，...
    2026-01-26
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427920.6
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和沟槽，第一区域设置为第一导电类型，阱区设置为第二导电类型；第二区域设置...
    2026-01-26
  • 具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法
    具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法_德州仪器公司_202511682614.7
    本申请案涉及具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成所述MOS晶体管的方法。半导体装置(100)包含折叠漏极扩展金属氧化物半导体DEMOS晶体管(106)。所述半导体装置(100)具有包含带有波纹顶表面(116)的半导体材料(104)的...
    2026-01-26
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510068894.6
    一种半导体装置包括第一电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、栅电极和第二电极。该栅电极具有与第二半导体区域相对的第一区域和与第三半导体区域相对的第二区域。该栅电极具有从第二区域的下表面到上表面的第一长度和从第一区域的下表面到...
    2026-01-26
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510126355.3
    一种半导体装置包括衬底、第一电极和第二电极。该半导体装置包括MOSFET，其具有作为漏极的第一电极和作为源极的第二电极。第一电极具有设置在第一主面上的层区域，以及在从第一电极到第二电极的第一方向上从第一主面延伸到衬底中的第一区域。第一电极的...
    2026-01-26
  • 超结半导体装置及其制造方法
    超结半导体装置及其制造方法_美格纳半导体有限公司_202510937128.9
    本申请涉及超结半导体装置及其制造方法。该超结半导体装置，包括：基板；有源单元，所述有源单元设置在所述基板上；边缘终止区域，所述边缘终止区域被配置成围绕所述有源单元；外围区域，所述外围区域被配置成围绕所述有源单元并且设置在所述有源区域与所述边...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511574234.1
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件，包括：衬底、外延层、有源区结构、正面结构、终端结构、正面金属层以及背面金属层。外延层设置于衬底的正面。外延层内设置有深槽。有源区结构填充于深槽内。正面结构设置于有源区...
    2026-01-26
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