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最新专利技术
  • 基于模板匹配图像识别的非均匀离子注入工艺监控方法
    基于模板匹配图像识别的非均匀离子注入工艺监控方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511640220.5
    本申请提供一种基于模板匹配图像识别的非均匀离子注入工艺监控方法，包括：步骤一，对一晶圆实施待监控的非均匀离子注入，依据该晶圆的量测数据进行建模，得到用于监控该非均匀离子注入的剂量/电阻分布的模板；步骤二，对实施该非均匀离子注入后的批次晶圆进...
    2026-03-15
  • 检测半导体器件后段制程中通孔开路的方法
    检测半导体器件后段制程中通孔开路的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511714223.9
    本发明提供一种检测半导体器件后段制程中通孔开路的方法，该方法包括：提供经过第一化学机械抛光工艺的半导体晶圆，其上形成有包含通孔和上覆沟槽的互连结构；对该半导体晶圆进行第二化学机械抛光工艺，以去除沟槽中的导电材料，直至通孔的顶面被暴露；最后，...
    2026-03-15
  • 监控超扫描离子注入工艺的方法
    监控超扫描离子注入工艺的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511714267.1
    本发明提供一种监控超扫描离子注入工艺的方法。该方法包括：提供衬底；根据预设的超扫描离子注入工艺参数，对衬底执行离子注入，以形成具有预设区域分布的非均匀注入剂量；基于该预设区域分布，对退火设备的多个温区进行差异化温度设置，并对衬底执行退火工艺...
    2026-03-15
  • 一种晶体晶面斜切角测量方法、半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种晶体晶面斜切角测量方法、半导体器件的制备方法及半导体器件_苏州纳维科技有限公司_202511716641.1
    本发明提供了一种晶体晶面斜切角测量方法及半导体器件的制备方法，该晶体晶面斜切角测量方法包括：提供一待测晶体；于所述待测晶体的表面选择测试区域；基于测试区域的宽度、测试区域内待测晶体表面的原子台阶数量以及原子台阶的厚度得到待测晶体的晶面斜切角...
    2026-03-15
  • 基于3D Warpage测量eMMC基板剥离异常的检测方法及装置
    基于3D Warpage测量eMMC基板剥离异常的检测方法及装置_深圳市德明利技术股份有限公司_202511778497.4
    本发明公开了一种基于3D Warpage测量eMMC基板剥离异常的检测方法及装置，包括：确定eMMC基板的几何中心点位置，以所述几何中心点作为基准点；在eMMC基板上确定测量点位；确定参考平面，采集每个测量点位相对所述参考平面的垂直高度偏差...
    2026-03-15
  • 一种用于检查半导体芯片产品堆叠的方法及系统
    一种用于检查半导体芯片产品堆叠的方法及系统_弘润半导体(苏州)有限公司_202511795892.3
    本发明公开了一种用于检查半导体芯片产品堆叠的方法及系统，涉及半导体封装检测技术领域，包括，通过全息光栅发生器向托盘中的半导体芯片表面投影结构光条纹，结合环境光强度动态调整相位分布并生成新的结构光条纹；基于新条纹生成三组相位偏移条纹，通过捕获...
    2026-03-15
  • 一种半导体测试的方法、系统、智能设备和存储介质
    一种半导体测试的方法、系统、智能设备和存储介质_安测半导体技术(义乌)有限公司_202511813476.1
    本发明属于晶圆测试领域，为了解决半导体测试的方法往往关注晶圆本身，还不能很好满足降低成本等实际需求的问题，本申请提供了一种半导体测试的方法、系统、智能设备和存储介质，该方法包括：获取批次级晶圆测试数据并进行分析；当存在异常晶圆时，获取异常晶...
    2026-03-15
  • 一种用于集成电路裂纹检测的电路结构及方法
    一种用于集成电路裂纹检测的电路结构及方法_小华半导体有限公司_202511861424.1
    本发明提供一种用于集成电路裂纹检测的电路结构及方法。所述电路结构包括交叉对称结构检测环，所述交叉对称结构检测环包括两条对称的通路结构，每条通路结构由顶层金属和底层金属或前道工艺电阻交替对称组成；以及差分检测电路，其连接至所述交叉对称结构检测...
    2026-03-15
  • 使用碳掩模图案制造半导体器件的方法
    使用碳掩模图案制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510689215.7
    本公开涉及使用碳掩模图案制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：形成目标层；在目标层之上形成改性前碳层；通过执行改性工艺和图案化工艺对改性前碳层进行改性和图案化以形成改性后碳掩模图案；以及通过使用改性后碳掩模图案作为刻蚀掩模执行...
    2026-03-15
  • 一种基于剥离工艺的超薄磁性掩模版制作方法
    一种基于剥离工艺的超薄磁性掩模版制作方法_上海澜矽昌科技有限公司_202511817857.7
    本发明公开了一种基于剥离工艺的超薄磁性掩模版制作方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括硅基晶圆预处理后旋涂双层光刻胶，经光刻形成“倒梯形”图形；采用 PVD 倾斜沉积 NiFe 磁性层，NMP 超声去胶保留 NiFe 图形；CMP 研磨 ...
    2026-03-15
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_原集微(上海)电子有限公司_202610129683.3
    本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供第一基底，第一基底包括第一衬底和依次层叠于第一衬底上的第一二维半导体层、第一绝缘层，提供第二基底，第二基底包括第二衬底和依次层叠于第二衬底上的第二二维半导体层、第二绝缘层，将第二基底...
    2026-03-15
  • 一种晶圆片加工工艺及加工工装
    一种晶圆片加工工艺及加工工装_浙江启真量子科技有限公司_202511758714.3
    本发明涉及半导体加工技术领域，公开一种晶圆片加工工艺及加工工装。其中晶圆片加工工艺包括以下步骤：S1、获取两个预处理后的预处理晶圆片，预处理晶圆片包括接触面和非接触面，将两个预处理晶圆片的接触面贴合后形成晶圆片组；S2、将晶圆片组放置于加工...
    2026-03-15
  • 一种晶圆的热处理装置及方法、晶圆
    一种晶圆的热处理装置及方法、晶圆_浙江启真量子科技有限公司_202511759875.4
    本发明公开了一种晶圆的热处理装置及方法、晶圆，涉及半导体制造技术领域。该晶圆的热处理装置用于对减薄后的晶圆进行应力优化。晶圆包括中部区域和环设于中部区域周向的边缘区域。热处理装置包括热处理炉和工装治具；工装治具设于热处理炉内，用于承载晶圆。...
    2026-03-15
  • 一种具有垂直互连结构的半导体器件及其制备方法
    一种具有垂直互连结构的半导体器件及其制备方法_润新微电子(大连)有限公司_202511614183.0
    本发明公开了一种具有垂直互连结构的半导体器件及其制备方法，所述半导体器件形成在衬底上，所述衬底上具有一个或多个器件单元，所述器件单元的四周或相邻的器件单元之间具有隔离槽，每个所述器件单元包括设置在所述衬底上的外延层，每个所述器件单元内开设有...
    2026-03-15
  • 优化接触孔轮廓的方法及半导体结构
    优化接触孔轮廓的方法及半导体结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511714241.7
    本发明公开了一种优化接触孔轮廓的方法及一种半导体结构，属于半导体制造技术领域。该方法包括：在基底上，通过通入含硅前驱体气体和含碳前驱体气体，沉积形成作为刻蚀减速层的第一无定形硅层；在该第一无定形硅层上，通过停止通入含碳前驱体气体并继续通入含...
    2026-03-15
  • 基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法
    基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610129824.1
    本发明公开了一种基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法，所述方法包括：采用第一掩膜版，在N片具有相同结构的基础芯片上制作相同孔结构，获得N片有相同孔结构的基础芯片，所述基础芯片包括第一基础芯片、第二基础芯片，……，第N基...
    2026-03-15
  • 基于光刻设备的多层堆叠芯片及多层堆叠方法
    基于光刻设备的多层堆叠芯片及多层堆叠方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130675.0
    本发明公开了一种基于光刻设备的多层堆叠芯片及多层堆叠方法，包括：采用第一掩膜版对N片相同结构的基础芯片制作相同基础连接垫。更换为第二掩膜版；采用第一基础芯片，设置第一掩膜版偏移距离，和/或第一基础芯片光刻机载台的第一偏移距离，曝光后制作第一...
    2026-03-15
  • 基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法
    基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130801.2
    本发明公开了一种基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法，所述方法包括：采用第一掩膜版在第一基础芯片上光刻制作第一连接结构，以获得第一芯片；采用第二掩膜版在第二基础芯片上光刻制作第二连接结构，以获得第二芯片；重复上述步骤多...
    2026-03-15
  • 一种封装结构和相应的制备方法
    一种封装结构和相应的制备方法_长电科技管理有限公司_202511637377.2
    本发明涉及半导体封装技术领域，本发明公开了一种封装结构和相应的制备方法，包括：基板；位于所述基板上方的芯片；位于所述芯片上方的中介层；其中，所述芯片的内部具有导电通孔，所述导电通孔连接所述芯片的正面且暴露于所述芯片的背面，所述芯片的背面具有...
    2026-03-15
  • M0A层金属互连线线端开路OPC方法及器件
    M0A层金属互连线线端开路OPC方法及器件_上海华力集成电路制造有限公司_202511767498.9
    本发明公开了一种M0A层金属互连线线端开路OPC方法，包括以下步骤：S1，识别修整对象，在M0A层版图中识别被两根金属互连线长线夹持的孤立金属互连线的线端图形；S2，对识别出的线端图形执行OPC re‑target操作，通过改变线端图形的几...
    2026-03-15
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