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最新专利技术
  • 一种刀片装炉方法
    一种刀片装炉方法_阳江盛达工贸有限公司_202511937059.8
    本发明公开了一种刀片装炉方法，包括：步骤S1，根据不同的炉子涂层区域高度以及刀片的尺寸，确定装炉层数、小盘的直径以及轴数；步骤S2，将整扎或单支刀片需要涂层的面朝外，并竖向装夹到炉子单根小轴的每层小托盘上，最下层小托盘通过大托盘进行支撑。本...
    2026-04-06
  • 一种基座及半导体器件的加工设备
    一种基座及半导体器件的加工设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511938004.9
    本发明提供了一种基座及一种半导体器件的加工设备。所述基座包括：背板，其上设有进气口；以及匀气板，其上设有至少一个连接部及多个出气孔，其中，所述匀气板经由所述至少一个连接部与所述背板固定连接，并与所述背板的边缘保持第一出气间隙，用于提升气体在...
    2026-04-06
  • 棱镜形滤光片镀膜夹具及其装配方法与二向色镜薄膜膜系
    棱镜形滤光片镀膜夹具及其装配方法与二向色镜薄膜膜系_沈阳仪表科学研究院有限公司_202511938876.5
    本发明提供一种棱镜形滤光片镀膜夹具、装配方法及二向色镜薄膜设计。夹具包括载片盘、卡块挡槽和棱镜基片；载片盘设45°斜坡支撑孔和定位孔，通过卡块挡槽限定棱镜位置；载片盘外圆设方向识别豁口、限位棱边及三角形排列的环形支撑孔。膜系设计采用38层N...
    2026-04-06
  • 一种PCBN刀具的涂层镀膜装置及其使用方法
    一种PCBN刀具的涂层镀膜装置及其使用方法_江苏扬碟钻石工具有限公司_202511968546.0
    本发明涉及刀具涂层镀膜技术领域，尤其为一种PCBN刀具的涂层镀膜装置及其使用方法，包括底座，底座包括圆盘，圆盘中间内侧安装有主动齿轮，主动齿轮四周均啮合有从动齿圈；从动齿圈上端焊接固定连接有中心组件，中心组件四周内侧均安装有组装件，组装件内...
    2026-04-06
  • 真空镀膜机的自重构模块化腔室系统及快速换线方法
    真空镀膜机的自重构模块化腔室系统及快速换线方法_上海哈呐技术装备有限公司_202610197428.2
    本发明涉及真空镀膜机技术领域，具体涉及真空镀膜机的自重构模块化腔室系统及快速换线方法，包括机架和基板，还包括洁净腔，开设在机架中；镀膜腔室组，设置在机架顶部，包括多个腔室，且相邻腔室之间设有插板阀，镀膜腔室组一侧设有放料口，且放料口处设有消...
    2026-04-06
  • 一种双工艺镀膜系统
    一种双工艺镀膜系统_广东越好电子装备有限公司_202512008958.6
    本申请公开一种双工艺镀膜系统。所述双工艺镀膜系统包括第一工艺腔、第二工艺腔以及用于工件转运的转运腔，所述转运腔包括彼此独立的第一对接区和第二对接区，所述第一工艺腔包括第一配接区，所述第二工艺腔包括第二配接区；所述转运腔具有接合第一工艺腔的第...
    2026-04-06
  • 用于翻转待镀膜基片的真空翻转室
    用于翻转待镀膜基片的真空翻转室_广东越好电子装备有限公司_202512008960.3
    本申请公开一种用于翻转待镀膜基片的真空翻转室，包括两相对布置的第一腔壁、夹持组件和驱动机构，夹持组件包括：一枢转轴、至少一支撑件、至少一夹紧件，枢转轴可受驱动地绕自身轴线转动，并可受驱动地沿其自身轴线方向在第一位置与第二位置之间移动，支撑件...
    2026-04-06
  • 连续式真空镀膜设备
    连续式真空镀膜设备_安徽越好电子装备有限公司_202610208479.0
    本申请公开一种连续式真空镀膜设备，包括真空腔室以及依次进入所述真空腔室的多个工件架，相邻前工件架和后工件架具有相对设置的第一磁性件和第二磁性件，所述第一磁性件和所述第二磁性件的极性相同，用于产生防止前工件架和后工件架在追逐过程中相撞的斥力。...
    2026-04-06
  • 设有加热装置的半导体工艺设备
    设有加热装置的半导体工艺设备_楚赟精工科技(上海)有限公司_202610178945.5
    本申请提供了一种设有加热装置的半导体工艺设备，其中，边部加热机构包括若干边部支撑结构和第一边部加热本体，边部支撑结构上开设有第一卡槽，第一边部加热本体活动卡设于各第一卡槽内，并通过固定结构被固定在第一卡槽内，通过固定结构遮蔽第一卡槽以形成限...
    2026-04-06
  • 一种CVD涂层刀具的涂层结构及其制备方法
    一种CVD涂层刀具的涂层结构及其制备方法_成都长城切削刀具有限责任公司_202610172080.1
    一种CVD涂层刀具的涂层结构及其制备方法，涉及涂层刀具加工技术领域，该涂层结构包括由内到外依次设置的耐磨层、复合过渡层和热障层，耐磨层为MT‑TiCN涂层，热障层为α‑Al2O3涂层；复合过渡层包括由内到外依次设置的过渡层A1、过渡层A2和...
    2026-04-06
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411288555.0
    本申请公开了一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、分流管路和供流管路；工艺腔室的底部设有开口，分流管路设于工艺腔室内，且至少与工艺腔室的顶面贴合，分流管路设有多个喷气孔；供流管路伸入工艺腔室内，且与分流管路连通，供流管路用...
    2026-04-06
  • 反应腔室及薄膜沉积设备
    反应腔室及薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511923368.X
    本申请提供了一种反应腔室及薄膜沉积设备，该反应腔室包括：盖板；底板，底板与盖板之间形成有沿第一方向延伸的第一气道，第一气道在第二方向上具有宽度，第一气道的宽度范围为4mm～7mm；其中，第一方向与第二方向相交。通过第一气道的宽度设计优化了反...
    2026-04-06
  • 缓冲罐及其控制方法、薄膜沉积设备
    缓冲罐及其控制方法、薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511951184.4
    本发明提供了一种缓冲罐、薄膜沉积设备、缓冲罐的控制方法以及计算机可读存储介质。缓冲罐包括：罐体，其第一端连接气源，而其第二端连接工艺腔室；气压规，位于所述罐体；流量调节机构，设于所述罐体与所述气源之间的第一管路；以及控制器，被配置为：经由所...
    2026-04-06
  • 一种用于气体分布装置的锁紧组件及其使用方法
    一种用于气体分布装置的锁紧组件及其使用方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511994102.4
    本发明公开了一种用于气体分布装置的锁紧组件及其使用方法，其属于半导体设备制造技术领域，所述锁紧组件包括设置在气体分布装置上方的顶盖，所述顶盖中部开设有安装孔，所述安装孔设有插入气体分布装置内的第二锁紧螺丝，所述第一锁紧螺丝的上方设有端盖，所...
    2026-04-06
  • PECVD载台、PECVD设备、PECVD载台设计方法
    PECVD载台、PECVD设备、PECVD载台设计方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411225808.X
    本申请公开了一种PECVD载台、PECVD设备、PECVD载台设计方法，PECVD载台包括：载台本体，所述载台本体的表面开设有若干个放置槽，所述放置槽至少有两种不同尺寸，用于放置不同尺寸的晶圆。本申请提供的PECVD载台可以放置至少两个不同...
    2026-04-06
  • 一种基座及半导体器件的加工设备
    一种基座及半导体器件的加工设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511938018.0
    本发明提供了一种基座及一种半导体器件的加工设备。所述基座包括：基座本体，其上设有进气口；喷淋板，连接所述基座本体，并设有多个第一通气孔；以及挡板，设于所述基座本体与所述喷淋板之间，与所述基座本体保持第一匀气间隙，并与所述喷淋板保持第二匀气间...
    2026-04-06
  • 具有硬度梯度复合结构的透明导电薄膜及柔性电子器件
    具有硬度梯度复合结构的透明导电薄膜及柔性电子器件_江苏先导微电子科技有限公司_202511908682.0
    本发明公开了一种具有硬度梯度复合结构的透明导电薄膜及柔性电子器件，涉及柔性电子技术领域；透明导电薄膜包括柔性基底、梯度缓冲层和金属氧化物导电层，梯度缓冲层形成有自柔性基底到金属氧化物导电层的方向递增的硬度梯度；梯度缓冲层以甲烷、硅烷和氧化亚...
    2026-04-06
  • 一种贯穿式双面V槽的制作方法
    一种贯穿式双面V槽的制作方法_江苏优众微纳半导体科技有限公司_202511921737.1
    本发明公开了一种贯穿式双面V槽的制作方法，所述制作方法具体包括S1、选择基底并进行正面加工；S2、复合膜层沉积；S3、进行背面加工；本发明通过标准化设备参数与流程联动设计，减少工序冗余，成品率提升至 90% 以上，可直接适配工业化量产；复合...
    2026-04-06
  • 基于MPCVD平板型表面波等离子体制备超双疏薄膜的装置及方法
    基于MPCVD平板型表面波等离子体制备超双疏薄膜的装置及方法_佛山市思博睿科技有限公司_202511865367.4
    本发明涉及等离子体物理工程及表面科学领域，尤其涉及基于MPCVD平板型表面波等离子体制备超双疏膜层的装置及方法。所述装置具备：内部形成为反应腔室的反应单元；以与所述反应腔室连通的形式连接从而抽取反应单元内气体的抽气单元；通过供给管路与所述反...
    2026-04-06
  • 一种过渡处理的单晶金刚石二次生长方法、系统、MPCVD设备及介质
    一种过渡处理的单晶金刚石二次生长方法、系统、MPCVD设备及介质_深圳优普莱等离子体技术有限公司_202511906687.X
    本申请涉及金刚石生长技术领域，公开了一种过渡处理的单晶金刚石二次生长方法、系统、MPCVD设备及介质，所述过渡处理的单晶金刚石二次生长方法包括：对样品进行预处理，得到清洁样品，其中，所述样品为首次生长后的单晶金刚石半成品毛坯；对所述优化样品...
    2026-04-06
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