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最新专利技术
  • 晶圆机台及晶圆湿法处理方法
    晶圆机台及晶圆湿法处理方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202511921126.7
    本申请涉及一种晶圆机台及晶圆湿法处理方法。该晶圆机台包括：集液杯，具有收集液体的内腔；晶圆承载机构，包括晶圆承载盘、第一轴和第一驱动件，晶圆承载盘位于内腔中，第一驱动件置于内腔的外部，第一轴的一端与晶圆承载盘相连，第一轴的另一端与第一驱动件...
    2026-04-08
  • 取晶装置及取晶方法
    取晶装置及取晶方法_中山市新益昌自动化设备有限公司_202511616464.X
    本发明适用于半导体加工技术领域，提供了一种取晶装置及取晶方法，上述取晶装置包括邦头机构与邦头驱动机构。在邦头固定座与固定架组之间设置有压力检测单元，当吸附结构在驱动结构的作用下进行取晶时，压力检测单元可以对固定架组以及吸附结构受到的反作用力...
    2026-04-08
  • 一种吸头快换装置以及吸头快换系统
    一种吸头快换装置以及吸头快换系统_上海轩田智能科技股份有限公司_202511817754.0
    本公开实施例提供一种吸头快换装置及吸头快换系统，所述吸头快换装置包括推出组件和卡板组件，所述推出组件能够沿预定方向推出所述卡板组件，所述推出组件包括安装座，所述卡板组件包括支撑座和吸头架，所述支撑座可移动地设置在安装座上并能够沿所述预定方向...
    2026-04-08
  • 键合方法及半导体器件
    键合方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511883174.1
    本申请提供了键合方法及半导体器件，该键合方法通过提供第一基板，第一基板包括正面以及与正面相背的背面，背面形成有凹槽；通过拾取装置吸附第一基板，拾取装置的拾取面上设置有气孔，气孔面向凹槽；通过拾取装置将第一基板键合至第二基板并释放第一基板。由...
    2026-04-08
  • 键合方法及半导体器件
    键合方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511883792.6
    本申请提供了键合方法及半导体器件，该键合方法通过提供第一基板，第一基板包括正面以及与正面相背的背面，背面形成有凹槽，凹槽包括沿第一方向延伸的第一子凹槽以及沿第二方向延伸的第二子凹槽，第一子凹槽与第二子凹槽相交；通过拾取装置吸附第一基板，拾取...
    2026-04-08
  • 一种应用于经时击穿的测试结构和测试方法
    一种应用于经时击穿的测试结构和测试方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511612885.5
    本发明公开了一种应用于经时击穿的测试结构和测试方法，涉及经时击穿测试技术领域，以通过利用第一阱区和第二阱区形成的PN结防止衬底一侧载流子受环境噪声影响较大而导致衬底和栅介质层界面处的电势发生变化而不为零，提高测试结果准确性，进而有利于使得依...
    2026-04-08
  • 互连结构的检测方法
    互连结构的检测方法_上海光通信有限公司_202411298105.X
    本发明提供了一种互连结构的检测方法，所述检测方法包括：提供具有待检测的互连结构的半导体衬底，互连结构包括互连层及与电性连接于所述互连层下的通孔互连结构；执行研磨工艺依次去除互连层及其下部分厚度的通孔互连结构，以暴露剩余的通孔互连结构的表面；...
    2026-04-08
  • 一种无主栅背接触太阳能电池片的测试装置及其测试方法
    一种无主栅背接触太阳能电池片的测试装置及其测试方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511637856.4
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种无主栅背接触太阳能电池片的测试装置及其测试方法，包括装载平台、测试模块和定位校准对接模块，装载平台由透光材质制成，设有至少两个支撑区；沿第二方向，相邻两个支撑区之间形成第一条形槽；第一条形槽在第一方向上的...
    2026-04-08
  • 外延后膜厚及滑移线的改善方法
    外延后膜厚及滑移线的改善方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511681767.X
    本发明涉及一种外延后膜厚及滑移线的改善方法，所属半导体硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一阶段：诊断与数据采集，精准量化当前工艺下外延片的电阻率、膜厚分布及其关联性。第二阶段：建立调控模型，并设计针对性的工艺改进方案。建立“电阻率‑膜厚...
    2026-04-08
  • 集成电路器件及其接合方法
    集成电路器件及其接合方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511744064.7
    本发明的实施例提供了一种接合IC器件的方法。第一接合结构相对于第二接合结构定位。第一接合结构包含第一对准部件。第二接合结构包括第二对准部件，该第二对准部件沿垂直方向朝向第一对准部件。当第一对准部件和第二对准部件对准时，第一对准部件和第二对准...
    2026-04-08
  • 用于侦测剥离的装置及方法
    用于侦测剥离的装置及方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511776115.4
    本发明提供一种用于侦测剥离的装置及方法。所述方法包括：将第一电压施加到第一测试键，第一测试键上覆于中介层且下覆于集成电路管芯的第一互连结构的第一部分中，第一部分与集成电路管芯的多个凸块所定义的开口重迭；在施加第一电压期间，测量第一测试键的第...
    2026-04-08
  • 一种多方位协同成像的封装芯片检测系统及检测方法
    一种多方位协同成像的封装芯片检测系统及检测方法_四川并济智算科技有限公司_202511904217.X
    本发明公开了一种多方位协同成像的封装芯片检测系统及检测方法，涉及封装芯片检测领域，包括检测平台、成像组件和输送机构，成像组件包括上工位相机、前工位相机和后工位相机，上工位相机位于检测工位的正上方，封装芯片两侧的芯片分别对应前工位相机与后工位...
    2026-04-08
  • 一种测试方法、装置、系统及存储介质
    一种测试方法、装置、系统及存储介质_山东爱旭太阳能科技有限公司_202511925875.7
    本发明公开了一种测试方法、装置、系统及存储介质，该测试方法利用光致发光电阻测试法和/或电致发光电阻测试法，测量待测电池片上预设区域的局部电阻，其中，局部电阻为预设区域的薄层面电阻。根据局部电阻和测量中载流子的横向传输路径，计算待测电池片的方...
    2026-04-08
  • 硅片的智能筛选方法以及系统
    硅片的智能筛选方法以及系统_诺德凯(苏州)智能装备有限公司_202610204110.2
    本发明公开了一种硅片的智能筛选方法以及系统，本发明涉及智能筛选的技术领域，根据漫散射现象的检测而确定对应的表面缺陷，根据该表面缺陷、对应的工序和硅片的加工内容确定对应的多模态图像，对多模态图像进行深度学习，并深入量化各个表面缺陷的深度特征及...
    2026-04-08
  • 一种基于电学激励的缺陷修复方法和系统
    一种基于电学激励的缺陷修复方法和系统_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511615058.1
    本发明公开了一种基于电学激励的缺陷修复方法和系统，涉及半导体技术领域，用于修复场效应晶体管中位于沟道区与栅介质层之间的至少部分界面缺陷，提高场效应晶体管的工作性能。所述基于电学激励的缺陷修复方法包括：首先，提供待修复对象。待修复对象包括体硅...
    2026-04-08
  • 硅片少子寿命的RTP前处理方法
    硅片少子寿命的RTP前处理方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511681768.4
    本发明涉及一种硅片少子寿命的RTP前处理方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对硅片进行清洗的预处理准备，清洗后硅片通过氮气吹干。第二步：RTP模块参数设置与调试，RTP模块采用集成式高纯度热处理腔室。第三步：RTP钝化处理...
    2026-04-08
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411315904.3
    一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底顶部形成鳍部，在鳍部的延伸方向上对鳍部进行鳍切处理，形成开口，之后在开口侧壁形成保护层，形成保护层后，在鳍部露出衬底上形成隔离层，隔离层的顶部低于鳍部的顶部，且覆盖鳍部的部分侧壁。由于在鳍部切断处的开口...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511322179.7
    在实施例中，方法可以包括在介电层中形成导通孔，执行定向蚀刻工艺以扩大导通孔的一侧，以及在定向蚀刻工艺之后，在介电层中形成沟槽孔，其中沟槽孔位于导通孔之上并且与导通孔空间连接，其中定向蚀刻工艺产生具有从导通孔的中心测量的第一侧宽度和第二侧宽度...
    2026-04-08
  • 半导体器件形成方法及半导体器件
    半导体器件形成方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511803700.9
    本申请提供了一种半导体器件形成方法及半导体器件，其中，半导体器件形成方法包括：提供一基板，基板包括第一区域以及位于基板边缘的第二区域，第一区域形成有多个有效器件，第二区域形成有多个无效器件，相邻两个有效器件之间通过第一切割道隔开，相邻两个无...
    2026-04-08
  • 具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的电子部件
    具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的电子部件_英飞凌科技股份有限公司_202511286979.8
    提供一种具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的的电子部件。电子部件(100)包括：半导体主体(102)；半导体主体(102)中的有源区(104)；布置在有源区(104)上或上方并且包括堆叠体(108)的至少一个金属化结构(...
    2026-04-08
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