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最新专利技术
  • 太阳能电池、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610230815.1
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统，包括：硅基底、第一钝化膜、及第二钝化膜，硅基底包括相对的第一面、第二面，以及连接第一面和第二面的若干切割面；切割面包括靠近第一面的第一区域和靠近第二面的第二区域；第一...
    2026-04-17
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610239667.X
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统，包括：硅基底，包括相对的第一表面和第二表面；掺杂层，设于第一表面和第二表面中的至少一个表面；钝化层，设于掺杂层背离硅基底的一侧，包括通孔；种子层，种子层穿...
    2026-04-17
  • 一种光电异质集成的微波发射芯片及其制备方法
    一种光电异质集成的微波发射芯片及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511975160.2
    本发明涉及半导体器件领域，具体公开了一种光电异质集成的微波发射芯片及其制备方法，该芯片由SiC衬底上的GaN HEMT放大器和InP UTC型探测器组成；制备方法如下：在SiC外延片上制备放大器；在InP衬底上生长UTC型探测器外延层，并制...
    2026-04-17
  • 背接触太阳能电池、制备方法、叠层电池和光伏组件
    背接触太阳能电池、制备方法、叠层电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610245627.6
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触太阳能电池、制备方法、叠层电池和光伏组件。背接触太阳能电池包括：衬底，衬底具有相对的第一面和第二面，第二面包括交替设置的第一区和第二区，第一区包括第一金字塔结构，第一金字塔结构的塔顶具有凹槽；第一掺杂...
    2026-04-17
  • LED芯片组件及其制备方法
    LED芯片组件及其制备方法_重庆康佳光电科技有限公司_202411338175.3
    本申请公开了一种LED芯片组件及其制备方法，方法包括：提供一外延片，外延片包括衬底和外延层，在外延层上形成反射键合金属层；将反射键合金属层与驱动基板键合，去除衬底；刻蚀外延层，形成多个外延台阶结构；刻蚀反射键合金属层，形成多个与外延台阶结构...
    2026-04-17
  • 一种用于LED封装的加工装置及方法
    一种用于LED封装的加工装置及方法_广东拓亮半导体科技有限公司_202511676250.1
    本发明提供一种用于LED封装的加工装置及方法，涉及LED封装领域。本发明包括放料桶；所述放料桶上端固接有固定框；所述固定框的顶端中部固定安装有驱动电机；所述放料桶的内部设置有搅拌机构；所述搅拌机构的上端穿过放料桶和固定框并与驱动电机的输出端...
    2026-04-17
  • 一种高亮度LED芯片制备方法
    一种高亮度LED芯片制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511767203.8
    本发明公开了一种高亮度LED芯片制备方法，涉及LED芯片制备方法，包括外延层、P/N台阶、电流阻挡层、透明导电层、金属电极层的制备，本发明通过对透明导电层图形化处理工艺的改变，不仅图形化透明导电层，还图形化P‑GaN欧姆接触层，在保证电流可...
    2026-04-17
  • 一种深紫外发光二极管及其优化方法
    一种深紫外发光二极管及其优化方法_广东技术师范大学_202511925593.7
    说明书摘要本发明公开了一种深紫外发光二极管及其优化方法，应用于深紫外发光设备技术领域。本方法包括以下步骤：建立深紫外发光二极管的结构优化器件模型，所述器件的透明衬底的出光表面有衬底纳米阵列，器件的p‑GaN层和/或p‑AlGaN层的表面有p...
    2026-04-17
  • 一种基于PECVD多段沉积的LED芯片钝化层制备方法及其结构
    一种基于PECVD多段沉积的LED芯片钝化层制备方法及其结构_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511978102.5
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体为一种基于PECVD多段沉积的LED芯片钝化层制备方法及其结构，包括以下步骤：提供一表面形成有发光结构和电极的LED芯片衬底；在所述衬底上通过PECVD工艺依次进行三个阶段沉积钝化层：第一沉积阶段，在低...
    2026-04-17
  • 一种基于ICP多段式蚀刻改善LED芯片均匀性和外观的工艺方法
    一种基于ICP多段式蚀刻改善LED芯片均匀性和外观的工艺方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511978117.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体为一种基于ICP多段式蚀刻改善LED芯片均匀性和外观的工艺方法，包括以下步骤：将待蚀刻的LED外延片置于ICP反应腔室中，并通入蚀刻气体；进行多段蚀刻：启动等离子体，并依次执行至少两个蚀刻阶段，其中，至少两...
    2026-04-17
  • 一种发光二极管、发光器件及发光装置
    一种发光二极管、发光器件及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511603805.X
    本申请提供了一种发光二极管、发光器件及发光装置。本申请中，通过在N型半导体层一侧形成P型掺杂的第一欧姆接触层，并且第一欧姆接触层上方形成透明导电材料形成的第一电极。该第一电极能够与P型的第一欧姆接触层形成从第一欧姆接触层到第一电极的正向电流...
    2026-04-17
  • 一种LED芯片及其制备方法
    一种LED芯片及其制备方法_扬州乾照光电有限公司_202511847424.6
    本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该LED芯片包括衬底和位于衬底一侧层叠的发光功能层、窗口层和透明导电层，窗口层包括第一子层和位于第一子层背离衬底一侧的第二子层，即第二子层为窗口层中与透明导电层接触的表层，第一...
    2026-04-17
  • Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED
    Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED_江西兆驰集成科技有限公司_202511993334.8
    本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、三维GaN层、第一插入层、二维GaN层、N型GaN层、第二插入层、多量子阱层和P型GaN层；其中...
    2026-04-17
  • 一种蓝绿双波段LED外延片及其制备方法
    一种蓝绿双波段LED外延片及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511986229.1
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种蓝绿双波段LED外延片，包括沿外延方向依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层。所述多量子阱发光层包括沿外延方向依次周期性交替生长的非发光区超晶...
    2026-04-17
  • 一种可见光通信半导体器件及其制作方法、外延结构
    一种可见光通信半导体器件及其制作方法、外延结构_厦门乾照光电股份有限公司_202512019446.X
    本申请提供一种可见光通信半导体器件及其制作方法、外延结构。可见光通信半导体器件包括基板、设置于基板一侧表面的照明芯片和至少一个通信芯片；第一半导体层被划分为彼此绝缘的照明区域和通信区域；照明芯片包括第二半导体层、第一有源层和照明区域；各通信...
    2026-04-17
  • 一种蓝绿双波段发光二极管外延片及其制备方法
    一种蓝绿双波段发光二极管外延片及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202512041576.3
    本发明涉及一种蓝绿双波段发光二极管外延片，包括沿外延方向依次层叠设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层；所述多量子发光层包括沿外延方向依次周期性交替生长的第一蓝光InGaN层、第一蓝光垒层...
    2026-04-17
  • 一种发光元件及发光装置
    一种发光元件及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511595581.2
    本申请提供一种发光元件及发光装置，发光元件包括至少一个发光二极管。发光二极管包括衬底、外延结构、第一电极、镜面反射层、第一和第二反射层。垂直于衬底正面方向为轴向。外延结构包括自衬底正面依次叠置的第一半导体层、有源层、第二半导体层。第一电极位...
    2026-04-17
  • 发射朗伯辐射图案的微LED
    发射朗伯辐射图案的微LED_亮锐新加坡私人有限公司_202511370617.7
    一种用于产生更加朗伯的辐射图案的LED光源，该LED光源具有微LED管芯，其中管芯的侧壁是反射的且以大于20度的角度倾斜，并且其中LED管芯的顶表面被粗糙化。散射颗粒也可以放置在微LED的顶发射表面上。具有粗糙化表面的光学元件可以放置在微L...
    2026-04-17
  • 倒装LED芯片、显示模组及倒装LED芯片的制备方法
    倒装LED芯片、显示模组及倒装LED芯片的制备方法_厦门乾照光电股份有限公司_202610104480.9
    本申请公开了倒装LED芯片、显示模组及倒装LED芯片的制备方法，涉及发光二极管技术领域，该倒装LED芯片包括第一衬底，第一衬底的第一表面具有多个第一微图形结构，第二表面为出光面，第一衬底的第一表面一侧、沿背离第一衬底的方向设置有透明介质层、...
    2026-04-17
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511735410.5
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括基板，基板相对设置有第一表面和第二表面；基板的第一表面的上方设置半导体叠层、第一电极和第二电极；基板的第二表面的下方设置第三电极；第一电极的极性与第二电极的极性相反，第一电极的极性与第三电...
    2026-04-17
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