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最新专利技术
  • 一种电镀生产线转向装置
    一种电镀生产线转向装置_保德汇智科技(深圳)有限公司_202512053048.X
    本发明涉及一种电镀生产线转向装置，包括动力机构；换位机构的输入端与动力机构传动连接，换位机构配置为输出180°的往复摆动行程；转动臂的一端与换位机构的输出端传动连接；以使转动臂能够在设定的第一工序位置与第二工序位置之间往复摆动；以及夹具与转...
    2026-04-11
  • 电场控制元件及电镀装置
    电场控制元件及电镀装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411396225.3
    本发明提供一种电场控制元件及电镀装置。电场控制元件用于衬底电镀期间允许离子电流穿过该电场控制元件并流向所述衬底，所述衬底包括多个晶粒和位于每个晶粒内并用于构成所述衬底内镀膜图案的多个凹陷特征，所述电场控制元件为板状结构，所述电场控制元件上开...
    2026-04-11
  • 一种基于多结外延剥离技术的钙钛矿单晶晶圆的制备方法
    一种基于多结外延剥离技术的钙钛矿单晶晶圆的制备方法_光子探索科技(香港)有限公司_202511762535.7
    本发明提供了一种基于多结外延剥离技术的钙钛矿单晶晶圆的制备方法，包括以下步骤：S1、提供立方晶型的钙钛矿单晶作为母衬底；S2、在母衬底上，异质外延生长单晶牺牲层，其中，在异质外延生长过程中，使用定向外延封端剂调节单晶牺牲层的生长取向，使单晶...
    2026-04-11
  • 一种室温自发反应制备高稳定钙钛矿晶体的方法
    一种室温自发反应制备高稳定钙钛矿晶体的方法_浙江大学杭州国际科创中心_202411462987.9
    本发明公开了一种室温自发反应制备高稳定钙钛矿晶体的方法，通过将卤化盐AX、卤化金属BX2以及催化剂氨基盐按照一定比例混合，随后向混合粉末中添加碳酸酯类溶剂；利用碳酸酯与催化剂氨基盐之间的自发化学反应，诱导室温条件下卤化盐AX与卤化金属BX2...
    2026-04-11
  • 基于还原、区熔和拉晶一体化技术制备和提纯锗锭的方法
    基于还原、区熔和拉晶一体化技术制备和提纯锗锭的方法_朝阳金美镓业有限公司_202610245105.6
    本发明提供基于还原、区熔和拉晶一体化技术制备和提纯锗锭的方法，包括装料、分段氢气还原、加热装置切换、区熔和拉晶一体化提纯和停炉出料等过程，该方法还将还原和区熔等过程在自制的还原‑提纯一体化装置中同步实现，大大降低能耗和提升效率；同时在区熔提...
    2026-04-11
  • 一种铽镓石榴石晶体及其生长方法
    一种铽镓石榴石晶体及其生长方法_福建福晶科技股份有限公司_202511951221.1
    本申请公开一种铽镓石榴石晶体及其生长方法，涉及晶体制备技术领域。该铽镓石榴石晶体的生长方法，包括：按照摩尔比为1：2‑2.4分别称取氧化铽和氧化镓，并混合形成粉状混合物；对粉状混合物加热进行预合成得到块状混合物；氟化铽，和/或，氟化镓作为抑...
    2026-04-11
  • 一种单晶硅炉超高纯石墨热场
    一种单晶硅炉超高纯石墨热场_常州裕能石英科技有限公司_202511857277.0
    本发明涉及单晶硅直拉装备技术领域，具体为一种单晶硅炉超高纯石墨热场，包括外筒体、保温筒、石墨加热器、石英坩埚、轴杆驱动机构及底部加热托盘结构，加热器形成主要辐射加热，底托盘内设置的加热线圈对坩埚底部进行补偿加热，以避免传统热场中底部温度死区...
    2026-04-11
  • 适用于单加热器热场的拉晶方法
    适用于单加热器热场的拉晶方法_高景太阳能股份有限公司_202511850359.2
    本发明涉及单晶硅晶体生长技术领域，尤其是涉及一种适用于单加热器热场的拉晶方法。适用于单加热器热场的拉晶方法，包括如下步骤：当化料完成，进行拉晶时，将加热器的上沿控制在坩埚的上沿之上，并调整加热器的上沿与坩埚的上沿的垂直距离为50～150mm...
    2026-04-11
  • 单晶直径控制方法、装置及系统
    单晶直径控制方法、装置及系统_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202610018366.4
    本申请公开了一种单晶直径控制方法、装置及系统，属于半导体领域，该方法包括获取单晶的当前直径；基于当前直径、单晶的目标直径以及预先构建的电流计算模型，确定目标电流，电流计算模型用于表征直径差值与电流的映射关系；控制电流生成装置向单晶的固液界面...
    2026-04-11
  • 一种大面积超薄钙钛矿单晶及其制备方法
    一种大面积超薄钙钛矿单晶及其制备方法_光子探索科技(香港)有限公司_202511662315.7
    本发明提供了一种大面积超薄钙钛矿单晶的制备方法，包括：S1：获取钙钛矿籽晶；S2：将步骤S1的钙钛矿籽晶置入第一溶剂中，并加热对钙钛矿籽晶进行热处理，改变表面微观结构；S3：将处理后的钙钛矿籽晶放置在玻璃容器中，依次加入第二溶剂和钙钛矿前驱...
    2026-04-11
  • 一种促进大面积钙钛矿单晶均匀外延生长的方法
    一种促进大面积钙钛矿单晶均匀外延生长的方法_光子探索科技(香港)有限公司_202511662318.0
    本发明公开了一种促进大面积钙钛矿单晶均匀外延生长的方法，包括以下步骤：步骤1：卤化物衬底溶剂刻蚀处理：将卤化物衬底置入溶剂中，并进行加热对卤化物衬底进行热处理，改变衬底表面微观结构；步骤2：将经过溶剂刻蚀处理的衬底浸泡在钙钛矿单晶生长溶液中...
    2026-04-11
  • 一种钙钛矿单晶异质结外延生长的方法
    一种钙钛矿单晶异质结外延生长的方法_光子探索科技(香港)有限公司_202511662322.7
    本发明公开了一种钙钛矿单晶异质结外延生长的方法。该方法通过选择特定溶质的饱和酸性溶液，在不同种类的钙钛矿层上进行异质外延，柔性改变衬底表面母层钙钛矿晶格结构，缓解由于异质外延所导致的异质结处晶格突变引起的晶格失配问题，降低异质结处材料缺陷密...
    2026-04-11
  • 一种金属卤化物单晶膜的生长方法及应用
    一种金属卤化物单晶膜的生长方法及应用_华东理工大学_202511658995.5
    本发明提供了一种金属卤化物单晶膜的生长方法，先在金属卤化物单晶衬底表面沉积一层具有正交溶解特性共混聚合物薄膜作为牺牲层，经溶剂处理形成自图案化软模板；然后将目标外延物的前驱体溶液涂布于聚合物层之上，在经历成核、横向生长和晶粒合并后形成均匀致...
    2026-04-11
  • 用于生长P型碳化硅衬底的长晶装置、生长P型碳化硅衬底的方法和P型碳化硅衬底
    用于生长P型碳化硅衬底的长晶装置、生长P型碳化硅衬底的方法和P型碳化硅衬底_甬江实验室_202511872484.3
    本申请公开了用于生长P型碳化硅衬底的长晶装置、生长P型碳化硅衬底的方法和P型碳化硅衬底。用于生长P型碳化硅衬底的长晶装置包括：坩埚，坩埚包括主体和盖体；空心柱体基座，位于坩埚内，用于放置第一P型碳化硅原料；搁板，位于空心柱体基座上，用于放置...
    2026-04-11
  • 一种生长二维二硒化钯的方法和利用其制备的场效应晶体管
    一种生长二维二硒化钯的方法和利用其制备的场效应晶体管_深圳大学_202512025633.9
    本发明属于二维材料技术领域，公开了一种生长二维二硒化钯的方法和利用其制备的场效应晶体管。该方法，包括以下步骤：S1、称取Se粉和PdI2粉，放置于石英管的源区，将衬底置于石英管的生长区，控制衬底与石英管的颈部的距离为4‑7cm；将石英管内抽...
    2026-04-11
  • 半导体处理系统及相关方法
    半导体处理系统及相关方法_ASMIP私人控股有限公司_202511386620.8
    公开了用于通过等离子体增强化学气相沉积在衬底上沉积外延层的半导体处理系统。半导体处理系统包括室主体、布置在室内部内的衬底支撑件以及配置用于在室内部内产生反应性物质的等离子体产生装置。还公开了通过等离子体增强化学气相沉积过程在衬底上沉积外延层...
    2026-04-11
  • 一种MgGa2O4外延薄膜及其制备方法
    一种MgGa2O4外延薄膜及其制备方法_山东大学_202512012161.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种MgGa2O4外延薄膜及其制备方法，包括如下步骤：将衬底清洗后放置在反应腔室内；配制乙酰丙酮镓溶液；向乙酰丙酮镓溶液中加入四水合乙酸镁，配制浓度为0.3mol/L的MgGa2O4前驱体溶液，MgGa2O4...
    2026-04-11
  • 一种晶圆承载装置及半导体成膜装置
    一种晶圆承载装置及半导体成膜装置_中微半导体(上海)有限公司_202411383469.8
    本发明公开了一种晶圆承载装置及半导体成膜装置，所述晶圆承载装置包括：包括旋转筒和托盘，旋转筒包括分体式连接的本体和上盖；本体包括筒体部和沿筒体部的径向向内延伸的承载部，承载部位于筒体部上方，承载部包括承载面和环绕承载面的延伸面；托盘设置在承...
    2026-04-11
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411366182.4
    本申请公开一种半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，半导体工艺设备包括护壁、上罩体和进气件，所述护壁环绕设置于用以承载晶圆的承载件之外，所述进气件设置于所述护壁的外侧，所述进气件设有清洁气体通道，所述护壁朝向所述进气件的一侧设有第一导流斜...
    2026-04-11
  • 外延设备大盘平面调整方法及装置
    外延设备大盘平面调整方法及装置_杭州昆元量子科技有限公司_202511880131.8
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种外延设备大盘平面调整方法及装置，该方法包括：S1：获取大盘中各参考点的初始高度；S2：获取各螺栓单独调整预定圈数后各参考点的参考高度，并基于预定圈数、各参考点的参考高度和对应的初始高度确定响应矩阵；S3：得...
    2026-04-11
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