Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本申请公开了一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括提供第一晶圆,第一晶圆包括衬底以及位于衬底上的布线结构,布线结构之间形成有沟槽;在沟槽内和布线结构背离衬底一侧表面形成第一介质层,且位于沟槽上的第一介质层内具有间隙;对第一介质层进行第...
  • 本申请公开了一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括提供第一晶圆,第一晶圆包括衬底以及位于衬底上的布线结构,布线结构之间形成有沟槽,布线结构背离衬底的一侧表面和沟槽的内壁表面具有第一保护层;在第一保护层背离衬底的一侧表面形成第一介质层;...
  • 本发明涉及芯片三维封装技术领域,具体而言,是一种针对玻璃通孔TGV的高效、无空洞镀铜填充方法,适用于高密度芯片互连场景下玻璃通孔TGV的金属化工艺。本发明的玻璃通孔的镀铜填充工艺解决了通孔空洞缺陷,提升了通孔的填充效率,同时工艺兼容性强,易...
  • 本申请公开了一种芯片结构和半导体器件,包括:第一金属层、第一层间介电层、MIM电容、第二层间介电层和第二金属层;MIM电容包括电容上极板、电容介电层和电容下极板;第一金属层包括多个第一电源线和多个第一地线,第一电源线和第一地线沿第一方向按照...
  • 本发明提供金属互连结构及其形成方法,金属互连结构中的粘附促进层仅位于沟槽的侧壁;粘附促进层吸附第一扩散阻挡层的前驱体以使第一扩散阻挡层仅形成于沟槽的侧壁并用于阻挡金属扩散,避免沟槽底部沉积第一扩散阻挡层影响金属填充;第二扩散阻挡层覆盖第一扩...
  • 本公开涉及用于接合结构的电冗余。公开了一种被配置成接合到另一个元件的元件。第一元件可以包括在第一表面上的第一多个接触焊盘。第一多个接触焊盘包括彼此间隔开的第一接触焊盘和第二接触焊盘。第一接触焊盘和第二接触焊盘彼此电连接以用于冗余。第一元件可...
  • 本公开涉及用于接合结构的电冗余。公开了一种被配置成接合到另一个元件的元件。第一元件可以包括在第一表面上的第一多个接触焊盘。第一多个接触焊盘包括彼此间隔开的第一接触焊盘和第二接触焊盘。第一接触焊盘和第二接触焊盘彼此电连接以用于冗余。第一元件可...
  • 本申请提供一种半导体封装结构及其制造方法,半导体封装结构的制造方法包括:提供封装结构,封装结构包括至少一个芯片和包覆芯片的封装层;选择性去除覆盖芯片的部分封装层,形成暴露芯片背面的散热槽。本申请通过后加工工艺选择性去除芯片背面的部分封装层形...
  • 本发明公开了一种内置电阻数字三极管封装及其制作工艺,包括绝缘封装壳,所述绝缘封装壳内部形成封装壳内腔,所述封装壳内腔中心设有集成电阻基板,所述集成电阻基板上表面设有芯片焊盘,所述芯片焊盘上方通过信号传导凸点连接三极管芯片,所述三极管芯片下表...
  • 本公开涉及用于功率模块的内部冷却装置及其制造方法、功率模块以及电气系统。提供一种用于功率模块的内部冷却装置,包括:通过一体加工形成的顶部绝缘件,包括:顶盖;以及至少一个第一导热件,设置在所述顶盖的内侧表面上并且沿着垂直于所述顶盖的内侧表面的...
  • 本公开涉及功率模块及其制造方法以及电气系统。提供了一种功率模块,包括:由绝缘材料形成的内部冷却装置;第一金属层,设置在所述内部冷却装置的顶表面上;第一芯片,附接在所述第一金属层上,所述第一芯片通过所述第一金属层以及附接在所述第一芯片和所述第...
  • 本发明公开了一种具有过流保护功能的新型半导体器件封装结构,封装结构包括封装壳体、设于所述封装壳体内部的主器件单元、电流采样单元、分级限流单元、通路切换单元、互锁逻辑单元、温度自适应单元及自适应制冷单元;所述主器件单元为半导体功率芯片,其输入...
  • 本发明公开了一种基于液态金属高导热填料的合封芯片多维散热结构及其封装方法;属于半导体芯片封装技术领域。本发明要解决传统固态TIM热导率低、均热能力差、界面接触可靠性不足,以及现有液态冷却方案复杂或存在风险等问题。本发明方法包括以下步骤:准备...
  • 本发明公开了一种三维螺旋结构的集成整流二极管模块,涉及功率半导体器件技术领域,本发明包括单片集成的电学功能单元与热管理单元,所述电学功能单元与热管理单元同轴布置实现电‑热协同优化,具体结构如下:所述电学功能单元包括从下至上依次层叠的衬底层、...
  • 本申请提供一种芯片及电子设备,涉及芯片技术领域,能够改善标准单元中绕线资源不足的问题。该芯片包括衬底以及设置在衬底上的第一金属层。第一金属层是设置在衬底正面、且最靠近衬底的一个金属层。芯片中包括在第一方向上拼接设置的第一标准单元和第二标准单...
  • 本公开提供一种电子装置。所述电子装置包含第一电路模块及第一屏蔽件。所述第一屏蔽件安置于所述电路模块的侧向侧处,且包含经配置以减少所述第一电路模块与所述第一屏蔽件的寄生耦合的第一开口。
  • 本公开至少一实施例提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件,该半导体结构包括:层叠设置的半导体层和基底层,其中,所述基底层的电导率小于所述半导体层的电导率,所述基底层的电导率为0 S/m~0.1 S/m,且所述半导体层的电导率为4 S/m...
  • 本申请实施例提供一种功率模块及电子设备,涉及电子器件技术领域。该功率模块包括:封装体;芯片,芯片封装在封装体的内部;多个端子,端子的一端与芯片电连接,端子的另一端延伸至封装体的外部;绝缘组件,绝缘组件设置在封装体的外部,绝缘组件用于将多个端...
  • 本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括:至少两个层叠的晶圆;晶圆包括:衬底、电容结构和导电柱组件;电容结构,至少部分埋入于衬底内,埋入衬底内的部分电容结构沿垂直于衬底的方向延伸;导电柱组件,至少部分埋入于衬底内,...
  • 本申请涉及电机控制器技术领域,公开了一种电机控制器的功率模块及其制备方法、车辆,包括:衬底;正直流母线排及负直流母线排,间隔设置于衬底上;放电电阻,设置于衬底上方,放电电阻分别与正直流母线排连接以及负直流母线排连接;其中,放电电阻用于将功率...
技术分类