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最新专利技术
  • 一种静触头组件和断路器
    一种静触头组件和断路器_浙江正泰电器股份有限公司_202411395045.3
    本申请提供一种静触头组件，包括：静触头板，与所述静触头板连接的产气衬垫，与所述静触头板连接的静引弧片，所述产气衬垫至少部分间隔在静引弧片和静触头板之间，所述产气衬垫面向所述静引弧片一侧设置有用于放置静引弧片的第一凹槽，所述静引弧片设有贯穿所...
    2026-04-19
  • 一种智能高压断路器
    一种智能高压断路器_安徽速保电力科技有限公司_202610308075.9
    本发明涉及断路器技术领域，具体的说是一种智能高压断路器，包括：动触头组件、手车框架、静触头组件、极柱、触臂、梅花触头、触头座、触片、压紧机构、压紧环、压紧框、温变弹簧、常压碟簧；通过压紧机构来实现触片对静触头接触压力的智能动态调节，使得柜体...
    2026-04-19
  • 一种灭弧室保护罩及断路器
    一种灭弧室保护罩及断路器_上海良信电器股份有限公司_202411415335.X
    本发明涉及低压电器技术领域，尤其涉及一种灭弧室保护罩及断路器。所述灭弧室保护罩包括绝缘罩体、金属消游离板以及金属罩体，其中：绝缘罩体的内腔具有若干个独立的间隔室；每个间隔室上设置有多个连通于所述间隔室的内外两侧的第一出气口，至少部分所述第一...
    2026-04-19
  • 一种环保绝缘气体非平衡态电弧高效开断装置及方法
    一种环保绝缘气体非平衡态电弧高效开断装置及方法_中国电力科学研究院有限公司_202610016933.2
    本发明属于气体绝缘输配电领域，主要涉及一种环保绝缘气体非平衡态电弧高效开断装置及方法，其特征在于，包括：灭弧室，用于容纳关断电源时产生所述电弧的静触头和动触头；多级喷口，环设在所述静触头和所述动触头外部，利用所述环保绝缘气体对所述电弧进行吹...
    2026-04-19
  • 一种防电弧的低压开关
    一种防电弧的低压开关_浙江格立自动化设备有限公司_202610225504.6
    本申请涉及防电弧的低压开关，涉及低压开关的技术领域，包括开关本体，所述开关本体的正面设置有灭弧机构，且开关本体的背面设置有快速安装机构；所述灭弧机构包括固定嵌设在开关本体正面的灭弧罩。本申请通过在开关本体正面设置灭弧机构，电弧在电磁力作用下...
    2026-04-19
  • 一种U型开口托叉结构
    一种U型开口托叉结构_杨沁晓_202610311557.X
    本发明一种U型开口托叉结构，包括U型开口托叉结构以及托管轴承，其特征在于：所述的U型开口托叉结构的开口两侧分为左分闸推臂和右分闸推臂 : 当操作熔断器进行分闸时, 随着电机反转，左、右分闸推臂就顶推着熔断管动触头上方两侧的限位耳柱, 将熔断...
    2026-04-19
  • 一种锥形渐变孔径微通道板及其制备方法和应用
    一种锥形渐变孔径微通道板及其制备方法和应用_中国建筑材料科学研究总院有限公司_202511809387.X
    本申请是关于一种锥形渐变孔径微通道板及其制备方法，其制备方法的步骤包括：通过周期性的线性增加拉丝速率，制备出锥形光纤单丝以及与其锥角和长度一致的锥形结构丝。将锥形光纤单丝按正密排六方排列，将锥形结构丝插入锥形光纤单丝之间的间隙中，形成复合棒...
    2026-04-19
  • 一种简单快速安装电子倍增器打拿极的方法
    一种简单快速安装电子倍增器打拿极的方法_浙江大学_202411389710.8
    本发明公开了一种简单快速安装电子倍增器打拿极的方法，属于电子倍增器装配领域。所述方法无需额外工装，仅需额外使用三枚长螺丝和一把尖头镊子。本方法解决了倍增器陶瓷板与九个打拿极合拢对准费时费力的难题，可以有效加快打拿极的安装。安装时，先将三颗长...
    2026-04-19
  • 一种光电倍增管光阴极集成化制造系统及方法
    一种光电倍增管光阴极集成化制造系统及方法_智微光子器件(昆明)有限公司_202511916080.X
    本发明公开了一种光电倍增管光阴极集成化制造系统及方法，属于光电探测技术领域；本发明包括精密处理的腔体设计、配置精准监测调控的复合三级真空泵组系统，集成等离子清洗、高温烘烤、电子清刷模块的清洗与除气单元，多参数原位调控的动态蒸镀系统，激光测距...
    2026-04-19
  • 一种超高功率超大半径同轴返波管
    一种超高功率超大半径同轴返波管_电子科技大学_202610046582.X
    本发明属于高功率微波技术领域，具体涉及一种超高功率超大半径同轴返波管，特别适用于国防军事应用。本发明提出的超大半径同轴波纹返波管采用基波(TEM波)在内外半径差不变的基础上，通过增大慢波器件中心半径，并保持电子束电压和电流密度不变，使得输入...
    2026-04-19
  • 一种外置反射靶、射线源装置及X射线焦点尺寸调整方法
    一种外置反射靶、射线源装置及X射线焦点尺寸调整方法_北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)_202610029067.0
    本发明提供一种外置反射靶、射线源装置及X射线焦点尺寸调整方法，包括：靶体；位于靶体朝向电子发射源一侧表面的靶片；以及用于连接靶体和电子发射源的连接组件；所述连接组件包括连接板和连接法兰，所述连接板和电子发射源连接固定，垂直于电子束入射方向设...
    2026-04-19
  • 一种用于扫描电子显微镜快速多模式成像的样品台
    一种用于扫描电子显微镜快速多模式成像的样品台_复旦大学_202610047896.1
    本发明公开了一种用于扫描电子显微镜快速多模式成像的样品台；其包括底座、圆盘和固定器；圆盘边缘均匀分布若干用于放置圆形载网的台阶圆孔，固定器有若干个，围绕圆盘中心均匀分布，分别和圆盘中心之间形成转动连接，每个固定器上设置一个圆环，当固定器转动...
    2026-04-19
  • 一种五轴电镜位移台及其自动调焦方法
    一种五轴电镜位移台及其自动调焦方法_西湖大学_202610288944.6
    本发明公开了一种五轴电镜位移台及其自动调焦方法，包括XY二维驱动装置，所述XY二维驱动装置上设置主支撑架，XY二维驱动装置驱动主支撑架在X轴和Y轴构成的平面上移动，所述主支撑架上环布至少三个Z轴驱动器，所述Z轴驱动器上设置XY二维倾角旋转关...
    2026-04-19
  • 扫描电子显微镜对中调节方法及相关装置
    扫描电子显微镜对中调节方法及相关装置_深圳中科飞测科技股份有限公司_202610043765.6
    本申请公开了扫描电子显微镜对中调节方法及相关装置，通过调节第一偏摆线圈，使电子束经过固定光阑后扫描待测物并形成第一图像，在第一图像中目标电子束光斑位于视野中心的前提下，通过调节聚光镜的机械位置，使经过聚光镜后的目标电子束光斑保持在视野中心，...
    2026-04-19
  • 电子显微镜高压组件用绝缘气体
    电子显微镜高压组件用绝缘气体_FEI公司_202511381272.5
    本文提供了一种电子粒子系统，包括电子源系统、样品室和电子束镜筒，该电子源系统包括容纳在由绝缘气体占据的高压组件体积内的高压组件。本文还提供了一种带电粒子系统，包括带电源系统、样品室和电子束镜筒，该带电源系统包括容纳在由绝缘气体占据的高压组件...
    2026-04-19
  • 用于材料去层的自动化学切换
    用于材料去层的自动化学切换_FEI公司_202511362724.5
    本文提供了一种异质材料去层方法。本文还提供了一种方法，包括：在第一时间对多层材料进行去层处理，直到满足第一终点条件；基于满足所述第一终点条件确定对所述去层设置的更改；以及在所述第一时间之后的第二时间对所述多层材料进行去层处理，直到满足第二终...
    2026-04-19
  • 使用微波固态源的等离子刻蚀系统和方法
    使用微波固态源的等离子刻蚀系统和方法_河南东微电子材料有限公司_202511909551.4
    本发明提供一种使用微波固态源的等离子刻蚀系统和方法，属于半导体领域，该系统包括：微波固态源，用于产生微波信号；可变衰减器，用于调整微波功率；定向耦合器，串联在微波信号传输向刻蚀腔室的路径中，用于耦合微波信号；频率计，用于直接测量耦合信号的频...
    2026-04-19
  • 一种带屏蔽网的等离子体刻蚀装置及方法
    一种带屏蔽网的等离子体刻蚀装置及方法_六智韬新能源科技(上海)有限公司_202610053914.7
    本发明属于等离子蚀刻技术领域，且公开了一种带屏蔽网的等离子体刻蚀装置及方法，包括真空腔室、感应线圈、第一金属网箱和夹持部，所述感应线圈环绕设置在所述真空腔室外部，用于产生电磁场；所述第一金属网箱设置在所述真空腔室内部；所述夹持部设置在所述第...
    2026-04-19
  • 光电倍增管及电子设备
    光电倍增管及电子设备_京城中安半导体(北京)有限公司_202411412934.6
    本申请披露了一种光电倍增管及电子设备，该电倍增管包括：第一反射镜，用于接收所述光电倍增管外部的入射光，并反射所述入射光；第一反射光电阴极，用于接收所述第一反射镜的反射光，并产生光电子；倍增系统，用于对所述第一反射光电阴极产生的光电子进行倍增...
    2026-04-19
  • 一种硅基MCP的结构及其制造方法
    一种硅基MCP的结构及其制造方法_智微光子器件(昆明)有限公司_202511908355.5
    本发明公开了一种硅基微通道板(MCP)的结构及其制造方法，涉及半导体器件制造技术领域，旨在解决传统玻璃基/有机基MCP耐高温性差、刻蚀精度不足、膜层质量缺陷及工艺协同缺失的问题。结构采用8寸N型单晶硅片，厚 (250‑350)±25μm，均...
    2026-04-19
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