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最新专利技术
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511955972.0
    方法包括提供结构，结构包括底部器件和位于底部器件上方的顶部器件，形成延伸穿过顶部器件并且进入底部器件的沟槽，以及在沟槽中形成导电插塞。沟槽包括具有第一宽度的底部部分和具有第二宽度的顶部部分，第一宽度小于第二宽度。在沟槽中形成导电插塞包括在结...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_上海积塔半导体有限公司_202610055690.3
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备。制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底的表面设有间隔分布的栅极堆叠结构；形成掩膜层，以覆盖栅极堆叠结构的侧壁和顶部、半导体衬底的表面的至少部分结构；于未被掩膜层覆盖的半导体衬底上形成初始沟...
    2026-04-26
  • 具有短沟道的嵌入式超级势垒整流器的碳化硅阶梯式沟槽MOSFET
    具有短沟道的嵌入式超级势垒整流器的碳化硅阶梯式沟槽MOSFET_领泰半导体(青岛)有限公司_202511789854.7
    一种碳化硅沟槽功率器件，包括在每个单元胞中集成在一起的至少一个碳化硅MOSFET和一个碳化硅超级势垒整流器(SBR)，单元胞具有用于碳化硅MOSFET的至少单阶梯式栅极沟槽结构。至少单阶梯式栅极沟槽包括第一顶部栅极沟槽和至少一个第一底部栅极...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备
    半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备_华为技术有限公司_202411416713.6
    本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备。半导体器件包括第一垂直晶体管与第二垂直晶体管。第一垂直晶体管包括第一垂直纳米片与第一栅极，第一垂直纳米片包括第一连接部，第一栅极连接所述第一连接部的周侧面。第二垂直晶体管包括第二垂...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202411433432.1
    本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一半导体结构和焊盘引出结构，第一半导体结构包括衬底、浅沟槽隔离结构和外围电路，衬底具有相对的第一侧和第二侧，浅沟槽隔离结构贯穿衬底，外围电路设置于衬底的第一侧；...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511955981.X
    互补场效应晶体管(CFET)器件的顶层器件包括多个第一晶体管。第一接合层设置在顶层器件上方。第一接合层包括第一介电层和嵌入在第一介电层中的多个第一导电组件。CFET的底层器件包括多个第二晶体管。第二接合层设置在第二器件上方。第二接合层包括第...
    2026-04-26
  • 碳基CMOS半导体结构及集成电路
    碳基CMOS半导体结构及集成电路_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202512058619.9
    本公开提供了一种碳基CMOS半导体结构和集成电路。该结构包括衬底，在衬底上形成有NMOS和PMOS半导体结构，NMOS半导体结构包括：NMOS沟道层，位于衬底之上，材料为碳纳米管；NMOS栅极，位于NMOS沟道层之上；NMOS漏极，覆盖且接...
    2026-04-26
  • 电路阵列基板
    电路阵列基板_友达光电股份有限公司_202610038481.8
    一种电路阵列基板，包括多个像素单元，其中各像素单元包括栅电极层、半导体层、储存电容以及第一控制电容；栅电极层包括朝第一方向延伸的第一部分以及朝第二方向延伸的第二部分，其中第一方向不平行第二方向；半导体层与栅电极层的第一部分形成第一晶体管，且...
    2026-04-26
  • 显示基板
    显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202610067920.8
    一种显示基板，该显示基板具有显示区域以及至少部分围绕显示区域的周边区域，且包括衬底基板、第一阻隔坝、第一电源信号线和裂纹检测电路；第一阻隔坝设置在衬底基板上且设置在周边区域，并至少部分围绕显示区域；第一电源信号线设置在衬底基板与第一阻隔坝之...
    2026-04-26
  • 太阳能电池、太阳能电池的制造方法
    太阳能电池、太阳能电池的制造方法_苏州阿特斯阳光电力科技有限公司_202511886421.3
    一种太阳能电池、太阳能电池的制造方法，太阳能电池包括：位于硅衬底背面的P型掺杂结构、位于硅衬底背面的N型掺杂结构、位于所述P型掺杂结构和所述N型掺杂结构之间的间隔区、位于所述P型掺杂结构背面的第一电极、位于所述N型掺杂结构背面的第二电极，所...
    2026-04-26
  • 一种基于石墨烯／Cu NPs／硅异质结的肖特基太阳电池制备方法
    一种基于石墨烯／Cu NPs／硅异质结的肖特基太阳电池制备方法_荆楚理工学院_202610071836.3
    本发明涉及一种基于石墨烯／Cu NPs／硅异质结的肖特基太阳电池制备方法，涉及光伏技术领域，包括以下步骤：1)对硅片进行预处理；2)在预处理后的硅片表面蒸镀铜纳米薄膜；3)在铜纳米薄膜上沉积石墨烯薄膜；4)对异质结进行退火处理；5)在硅片背...
    2026-04-26
  • 背接触电池及其制备方法和光伏组件
    背接触电池及其制备方法和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511704680.X
    本申请公开了一种背接触电池及其制备方法和光伏组件，半导体基底的第一面包括沿第一方向依次排布的第一区域、交叠区域和第二区域；第一掺杂层设于第一区域和交叠区域；第二掺杂层设于第二区域且延伸覆盖至交叠区域的第一掺杂层上；第一透明导电层、独立透明导...
    2026-04-26
  • 光伏电池封装结构及光伏电池封装结构的制造方法
    光伏电池封装结构及光伏电池封装结构的制造方法_位元奈米科技股份有限公司_202411478610.2
    本申请涉及一种光伏电池封装结构及光伏电池封装结构的制造方法。光伏电池封装结构包括：第一透明盖板；第一下导电层设置于第一透明盖板的侧面上；第一光伏单元设置于第一下导电层的侧面上；第一上导电层设置于第一光伏单元的侧面上；封装层设置于第一透明盖板...
    2026-04-26
  • 一种兼容通讯的铜铟镓硒发电玻璃及其制备方法
    一种兼容通讯的铜铟镓硒发电玻璃及其制备方法_中建材玻璃新材料研究院集团有限公司_202511786936.6
    本发明公开了一种兼容通讯的铜铟镓硒发电玻璃及其制备方法，属于玻璃技术领域。所述发电玻璃包括：玻璃基底，玻璃基底表面酸蚀形成凹槽结构，其上依次设有背电极Mo层，CuIn1‑xGaxSe2吸收层，In2S3‌缓冲层，n型本征ZnO层，ZnO :...
    2026-04-26
  • 光伏组件和导电背板
    光伏组件和导电背板_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202512040861.3
    本申请公开了一种光伏组件和导电背板，光伏组件的导电层上开设有绝缘间隙，绝缘间隙用以将导电层分割成多个导电片，绝缘间隙包括大致沿第二方向延伸的若干主体部以及连接相邻主体部的连接部；导电层的表面设有若干沿第二方向延伸的纹理结构；主体部的延伸方向...
    2026-04-26
  • 一种光伏组件及其封装剂的制备方法
    一种光伏组件及其封装剂的制备方法_深圳斯多福新材料科技有限公司_202610201444.4
    本发明提供了一种光伏组件及其封装剂的制备方法，所述光伏组件的结构从下至上依次包括：第一氟塑料层、第一玻纤布层、电池片层、第二玻纤布层和第二氟塑料层；其中，每相邻两层之间通过封装剂层进行粘合。所述封装剂包括以下原料：UV固化聚氨酯‑环氧丙烯酸...
    2026-04-26
  • 光伏组件及其制备方法、制备设备
    光伏组件及其制备方法、制备设备_晶科能源(海宁)有限公司_202610319899.6
    本申请涉及光伏组件及其制备方法、制备设备。本申请的光伏组件包括：盖板、至少一个电池串以及胶膜，胶膜位于盖板和电池串之间，盖板通过胶膜与电池串连接；胶膜包括层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层；第一子层位于第二子层和盖板之间，第三子层位于...
    2026-04-26
  • 一种封边热熔接装置、设备及方法
    一种封边热熔接装置、设备及方法_苏州晟成光伏设备有限公司_202610341754.6
    本发明公开了一种封边热熔接装置、设备及方法，所述封边热熔接装置包括支撑架以及依次设置在支撑架上的供料单元、折弯整形机构、三面压紧机构以及转角热熔接机构；所述封边热熔接设备包括有若干个封边热熔接装置；所述封边热熔接方法包括以下步骤：将绝缘胶带...
    2026-04-26
  • 太阳能电池模块
    太阳能电池模块_丰田自动车株式会社_202511121500.5
    本发明提供刚性高且能够抑制制造成本的太阳能电池模块。太阳能电池模块(1)具备隔着密封材料(6)配置在太阳能电池单元(4)的受光面侧及与受光面侧相反的一侧(受光面相反侧)的表面板(2)及背面板(3)，在背面板(3)设置有织物状金属板(30)，...
    2026-04-26
  • 光伏组件及光伏组件的制备方法
    光伏组件及光伏组件的制备方法_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511841344.X
    本申请公开了一种光伏组件及光伏组件的制备方法，属于光伏组件技术领域。所述光伏组件包括电池片；连接部，所述连接部设置于所述电池片的表面，所述连接部远离所述电池片的一侧形成凹陷部；电连接件，所述电连接件至少部分嵌设于所述凹陷部内且沿第二方向延伸...
    2026-04-26
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