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最新专利技术
  • 一种航空铝材脉冲阳极氧化工艺
    一种航空铝材脉冲阳极氧化工艺_常熟市兆恒众力精密机械有限公司_202512033237.0
    本发明公开了一种航空铝材脉冲阳极氧化工艺，所述航空铝材脉冲阳极氧化工艺包括前处理步骤、阳极氧化步骤和封孔步骤，所述阳极氧化步骤中使用的电解液为硫酸和二水合草酸复合电解液，电流为正向直流脉冲电流，所述电解液中硫酸浓度为130‑180 g/L，...
    2026-05-07
  • 一种封闭溶液及其制备方法与应用
    一种封闭溶液及其制备方法与应用_北京埃铂精密制造有限公司_202511963977.8
    本发明涉及一种封闭溶液及其制备方法与应用，涉及阳极氧化技术领域。本发明提供一种封闭溶液的制备方法，包括以下步骤：(1)将氟钛酸溶液、氟化锆溶液、丙三醇溶液、偏磷酸钠溶液与水混合，得到原液；(2)向所述原液中添加纯水，搅拌均匀，得到封闭溶液。...
    2026-05-07
  • 一种压缩机壳体水性漆电泳涂装控制系统及固化工艺
    一种压缩机壳体水性漆电泳涂装控制系统及固化工艺_郑州海立电器有限公司_202512051824.2
    本发明公开了一种压缩机壳体水性漆电泳涂装控制系统及固化工艺，涉及压缩机制造技术领域，该压缩机壳体水性漆电泳涂控制系统及装固化工艺，包括压缩机壳体前处理、水性漆电泳涂装、预固化、主固化及后处理步骤，通过精准控制各环节参数保障涂层均匀性与固化质...
    2026-05-07
  • 一种耐热钢表面电泳沉积陶瓷涂层的制备方法
    一种耐热钢表面电泳沉积陶瓷涂层的制备方法_沈阳大学_202610106325.0
    本发明涉及先进有色金属材料高隔热涂层防护领域，具体为一种耐热钢表面电泳沉积陶瓷涂层的制备方法。首先对火力发电机组用耐热钢部件进行除油、清洗前处理，去除表面油污与杂质；随后制备复合悬浮液，该悬浮液以乙腈为溶剂、4‑乙酰氨基丁酸为添加剂，且包含...
    2026-05-07
  • 一种电泳涂装线自动加漆系统
    一种电泳涂装线自动加漆系统_昆山市圣吉川工业自动化设备有限公司_202610045987.1
    本申请一种电泳涂装线自动加漆系统，涉及电泳涂装生产技术领域，包括电流采集单元，所述电流采集单元配置为实时采集流经电泳工件的电流信号；电量计算单元，所述电量计算单元与所述电流采集单元通信连接，所述电量计算单元配置为对电流信号进行积分运算。本申...
    2026-05-07
  • 金属皮膜的成膜装置
    金属皮膜的成膜装置_丰田自动车株式会社_202511386740.8
    本发明提供一种金属皮膜的成膜装置，其能够在稳定的镀液的液压下，介由电解质膜按压基材，同时长时间进行金属皮膜的成膜。金属皮膜的控制装置在基于液压计的测定压偏离规定范围的情况下，在持续施加电压的状态下解除基于活塞的加压，并且打开开闭阀，由此通过...
    2026-05-07
  • 用于TGV玻璃晶圆的电镀装置、设备和方法
    用于TGV玻璃晶圆的电镀装置、设备和方法_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202411418604.8
    本发明公开了一种用于TGV玻璃晶圆的电镀装置、设备和方法，该电镀装置包括：电镀槽、晶圆夹具、分别设于晶圆夹具两侧的独立循环控制系统，独立循环控制系统包括扰流机构、匀流机构、移动装置以及电镀液循环机构；电镀液循环机构的可调节变频泵控制电镀液以...
    2026-05-07
  • 电镀设备
    电镀设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411466281.X
    本申请的实施例提供了一种电镀设备，包括电镀槽、夹持件和升降机构，电镀槽用于容纳电镀液。夹持件设置在电镀槽上方，用于水平夹持基板；升降机构与夹持件相连接，用于带动夹持件升降以升降基板；升降机构包括横梁和两组升降组件，横梁与夹持件相连接，两组升...
    2026-05-07
  • 电镀线台车
    电镀线台车_广东成功自动化设备有限公司_202512045936.7
    本发明公开了一种电镀线台车，包括：支架、顶梁、第一安装架、第二安装架、水平移动装置和升降装置，支架包括两条并竖直对称式设置，顶梁与两条支架顶端固定连接，顶梁上设置有第一驱动电机和联动轴承；第一安装架设置于支架上沿纵向侧，第一安装架上沿纵向设...
    2026-05-07
  • 一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备
    一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备_乳源瑶族自治县力强磁铁制品有限公司_202610345885.1
    本发明属于智能热处理生产线技术领域，公开了一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备，包括换池臂组件，所述换池臂组件上设置有对表面处理液进行环动搅动和横向导流的导流辊组件，本发明处理液处于动态流动，进而形成对烧结钕铁硼磁铁的动态浸没，本发...
    2026-05-07
  • 一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统
    一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统_陕西迪博电子器件有限责任公司_202610369410.6
    本发明公开了一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统，涉及电镀技术领域。包括：响应于对目标连接器类型的第一连接器执行镀金操作，获取第一连接器的镀金区域中多个检测点的镀层厚度值、镀金区域的内凹区域以及镀金区域的第一电镀不均度；基于第一连接器的镀...
    2026-05-07
  • 一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法
    一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法_福建青拓特钢技术研究有限公司_202610379242.9
    本发明公开了一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法，包括以下步骤：1)电解去除氧化物：以待测不锈钢样品为阳极，MMO钛基铂涂层电极为阴极，在硫酸‑双氧水混合电解液中进行电解，电流密度5~25 A/dm²，温度15~30℃，时间30~12...
    2026-05-07
  • 一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法
    一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202512050431.X
    本发明提供了一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法，其中：所述装置的加热系统为双温区两段式发热体，通过上段发热体、与下段发热体配合控制炉膛内温度梯度，实现钛宝石晶体生长与原位恒温退火。晶体生长时将Al2O3、Ti2O3原料装入...
    2026-05-07
  • 一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法
    一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法_中国航发北京航空材料研究院_202610004953.8
    本发明涉及一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法，属于单晶生长设备技术领域，解决了现有技术中顶部密封保温装置强度较低，尤其是用于大尺寸单晶炉时，在高温和自身重力下易发生形变、断裂或塌陷，可靠性低、整体寿命短以及石墨软毡易被粉化的...
    2026-05-07
  • 一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统
    一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统_北京航星机器制造有限公司_202610028753.6
    本发明公开了一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统，属于晶体制备技术领域，用于解决大尺寸闪烁晶体制备效率低或废品率高的问题之一。本发明的闪烁晶体生长的监测控制方法，包括启动系统开始晶体生长、启动监测单元对晶体生长过程进行监测、判断晶体生长状态...
    2026-05-07
  • 一种维持负载位置不变的装置及方法
    一种维持负载位置不变的装置及方法_无锡晶澳卫蓝新能源科技有限公司_202512027320.7
    本发明公开了一种维持负载位置不变的装置及方法，包括下伸缩单元、箱体、绳索、侧边转向单元、中心转接机构、上伸缩单元和固定夹，所述箱体底端的中部安装有用于夹紧绳索的固定夹，所述箱体底端安装有多个下伸缩单元，多个所述下伸缩单元呈阵列分布，所述箱体...
    2026-05-07
  • 一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统
    一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统_乐山新天源太阳能科技有限公司_202610195331.8
    本发明公开了一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统，具体涉及晶体生长调控技术领域，该系统包括氧碳与生长状态信号采集模块、晶体生长阶段判别模块、氧碳检测信号校准模块、晶体生长环境调节方案生成模块以及生长环境调控执行模块，所述晶体生长阶段判...
    2026-05-07
  • 一种超声辅助制备单晶合金的方法
    一种超声辅助制备单晶合金的方法_西北工业大学_202610376902.8
    本发明属于单晶合金制备技术领域，具体涉及一种超声辅助制备单晶合金的方法。本发明通过在定向凝固过程中引入超声诱导的声场和流场，有效调控了凝固界面附近的溶质边界层厚度，成功实现了高温合金在柱晶条件下从胞晶到稳态枝晶的可控转变，并显著细化了枝晶一...
    2026-05-07
  • 一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用
    一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202610013619.9
    本申请提供一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用，该钨纤维毡通过纯钨纤维或钨合金纤维编织形成，可以通过改变钨纤维毡的厚度、密度或层数，灵活、精细地调节局部隔热效果，从而实现对整个生长温场梯度的优化。该钨纤维毡具有重量轻、功耗低、热稳...
    2026-05-07
  • 一种碳化硅晶体生长方法及装置
    一种碳化硅晶体生长方法及装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202610234260.8
    本申请公开了一种碳化硅晶体生长方法及装置，涉及半导体技术领域，包括：将装有碳化硅原料以及籽晶的坩埚放置于长晶炉内，对长晶炉内抽真空；向坩埚内充入掺杂气体，加热碳化硅原料，以在籽晶上生长碳化硅晶体；碳化硅晶体包括交替层叠的第一碳化硅层和第二碳...
    2026-05-07
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