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  • 本发明提供了一种复合改性的快充负极材料及其制备方法和二次电池。所述复合改性的快充负极材料具有核壳结构,所述核壳结构包括内核材料和壳层材料,其中所述内核材料包括含硅材料,以及所述壳层材料包括共聚物;所述共聚物包括卤代酯结构单元和芳香族磺酸结构...
  • 本发明提供了一种聚合物包覆材料及其制备方法和应用。所述聚合物包覆材料包括含有杂原子的聚合物,所述含有杂原子的聚合物包含活性基团,所述活性基团包括羟基基团和硼酸频哪醇酯基团的组合。本发明提供的聚合物包覆材料有助于消除电解液中的HF,避免HF对...
  • 本发明提供了一种应用于快充负极材料的人工SEI膜层及其制备方法和应用。所述人工SEI膜层的材料包括具有三维互穿网络结构的聚合物,以及所述聚合物的结构中包含硝基基团、呋喃基团和咪唑酮基团的组合。本发明提供的人工SEI膜层具有良好的机械性能和化...
  • 本发明提供了一种具有多层级包覆结构的硅复合负极材料及其制备方法和二次电池。所述具有多层级包覆结构的硅复合负极材料的内核包括硅负极材料,中间层包括人工SEI膜层,以及最外层包括氧化物包覆层;其中,所述人工SEI膜层的材料包括苯乙炔共聚物,所述...
  • 本发明提供了一种具有表面修饰层的负极活性材料及其制备方法和应用。所述具有表面修饰层的负极活性材料包括负极活性粒子以及覆盖所述负极活性粒子的暴露表面的表面修饰层,所述表面修饰层包括含有至少两个酰胺基团的聚酰胺。本发明提供的具有表面修饰层的负极...
  • 本发明提供了一种双层包覆的硅基复合负极材料及其制备方法和二次电池。所述双层包覆的硅基复合负极材料包括硅基材料内核,以及由内至外依次设置于所述硅基材料内核表面的共聚物包覆层和氧化物包覆层;所述共聚物包覆层的材料包括不饱和磷酸酯类单体与含有酯基...
  • 本发明提供了一种含有人工SEI膜的硅基负极材料及其制备方法和二次电池。所述含有人工SEI膜的硅基负极材料包括硅基材料内核以及包覆在所述硅基材料内核表面的人工SEI膜层,所述人工SEI膜层的材料包括共聚物;所述共聚物的结构中包含氰基、卤素原子...
  • 本申请公开了一种极片制备方法,所述方法包括:提供湿膜态极片,所述湿膜态极片包括电极基材和设置于所述电极基材表面的处于湿膜态的浆料;抽吸去除多余的所述浆料。与现有技术相比,本申请加工精度更高,可加工情景更复杂。
  • 本发明公开了一种全固态复合电极及其制备方法,制备方法包括以下步骤:步骤一,用溶剂分散碳材料,得到碳材料分散液;步骤二,将电极活性物质、固态电解质和碳材料分散液按质量比混合,超声和磁力搅拌,得到均匀浆料;步骤三,将浆料真空抽滤后,加热烘干,辊...
  • 本发明涉及电池技术领域,公开了一种负极片和二次电池,负极片包括:负极集流体、第一活性层和第二活性层,所述第一活性层位于所述负极集流体和所述第二活性层之间,所述第一活性层包括第一活性材料和混合导电胶,所述混合导电胶包覆在第一活性材料表面,与第...
  • 本发明公开了一种用于锂硫电池正极的含锂负载泡沫镍材料的制备方法,属于锂硫电池正极材料技术领域。其技术方案为:(1)以干燥后的泡沫镍为正极,以锂片作为负极,以醚类电解液或碳酸酯类电解液作为电解液,组装第一次电池;(2)将第一次电池静置12~2...
  • 本发明公开了一种梯形通孔垂直互连的金属化陶瓷基板及其制备方法,所述梯形通孔垂直互连的金属化陶瓷基板包括:陶瓷基板,其上贯穿开设有若干个具有梯形截面的通孔,通孔内填充有填孔浆料;设置于陶瓷基板的正面的正面布线结构,正面布线结构与填孔浆料电连接...
  • 本发明属于晶圆加工技术领域,且公开了一种多段式高平整度晶圆切割方法,包含以下步骤:S1:晶圆预处理与应力缓冲层制备;S2:金刚石刀片分层粗切割;S3:等离子精切割与界面修复;S4:多层冷却与表面抛光;S5:表面质量闭环检测。本发明通过同步消...
  • 本发明公开了一种内外圈不等距抽测的Mini LED芯片分选方法、系统及设备,涉及LED技术领域,所述方法包括:将晶圆划分为中心区域及边缘区域;根据第一抽测间距驱动点测机台对中心区域中的部分芯片进行光电检测以获取检测数据,并根据第二抽测间距驱...
  • 本发明属于键合工装技术领域,尤其涉及一种带框架产品的键合工装,包括:工装底板;真空板组件,固定在工装底板上;压板组件,位于真空板组件上方;升降部,固定端与工装底板固定,升降部的活动端与压板组件连接,升降部用于驱动压板组件相对于真空板组件上升...
  • 提供一种用于测量固定与支撑晶圆的胶带的切割深度的方法,所述方法包括:从已经使用过的胶带上裁下包括所关注的切痕的胶带条;将所述胶带条保持在平整状态;使用显微镜对所述胶带条进行三维扫描以获取所述胶带条上的切痕的切割轮廓形貌并最终获取切痕的切割深...
  • 本申请属于超精密抛光领域,具体公开了一种原子层刻蚀抛光方法,其包括如下步骤:S1:将待处理样品放置于原子层刻蚀腔室中并对腔室进行真空处理;S2:向腔室内通入第一反应气体以使样品表面生成改性原子层;S3:吹扫腔室以去除第一反应气体;S4:再向...
  • 本发明公开了一种用于风力发电的高压开关设备,涉及高压开关设备领域,其包括安装支撑架,所述安装支撑架的底侧安装有两个瓷瓶,两个所述瓷瓶上分别安装有闸刀和插接触头。需要说明的是,在本发明中,在合闸时,两个挡风罩进行遮挡,避免在合闸时产生大量电弧...
  • 本发明涉及开关技术领域,具体而言,涉及一种拉线开关,其包括壳体、静触头组件、动触头组件、过渡件、传动机构和拉动件,静触头组件设置于壳体;动触头组件可摆动地设置于壳体;过渡件可摆动地设置于壳体,且与动触头组件传动配合;传动机构设置于壳体,且用...
  • 本发明公开了一种绕组、电感和制作方法,属于电子元件技术领域。该绕组包括初级线圈、绝缘结构和次级线圈,所述初级线圈与所述次级线圈的形状相同,所述绝缘结构包括第一绝缘体,所述第一绝缘体设置于所述初级线圈和所述次级线圈之间,第一绝缘体、初级线圈和...
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