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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411119445.1
    提供能够改善实施方式信号的传送特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基板， 具有沿第一方向以及第二方向延伸的第一面；第一晶体管；受光元件；发光元件， 设于受光元件上；输入端子， 设于基板的第一面上；第一导电体， 将第一晶体管的源极电极...
    2025-11-30
  • 具有顶部支撑层的半导体元件及其制备方法
    具有顶部支撑层的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202410809018.X
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一底部电极， 位于该基板之上且包括一容器状轮廓；以及一顶部支撑层， 悬垂于该基板之上并连接到该底部电极。该顶部支撑层的一厚度和该底部电极的一厚度的厚度比介于大约3.0％至大约8....
    2025-11-30
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410481545.2
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法， 其中半导体元件包含一基底、一第一沟槽、一第二沟槽以及一电容结构。基底定义有一第一区， 第一沟槽设置于基底的第一区中且沿着第一方向延伸， 其中第一沟槽包含一第一槽部、一第一分隔部以及一第二槽部沿着第一方...
    2025-11-30
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410480657.6
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法， 其中半导体元件包含一沟槽、一电容结构以及一介电层。沟槽形成于一基底中， 电容结构设置于沟槽中， 电容结构包含一底电极层、一绝缘层以及一顶电极层， 底电极层设置于沟槽中以及基底的一顶表面上， 绝缘层设置...
    2025-11-30
  • 基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片
    基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片_上海交通大学_202410410782.X
    一种基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片， 包括：GaAs衬底、设置于其反面的金属底板和设置于正面的田字形电感阵列， 其中：田字形电感阵列的四个顶角分别设置端口电感和第一可变电容， 相应田字形电感阵列的四条边的中点设置第二可变电容并接地， ...
    2025-11-30
  • 受屏蔽导电器件、其形成方法及电子封装组件
    受屏蔽导电器件、其形成方法及电子封装组件_JCET星科金朋韩国有限公司_202410395956.X
    本申请提供一种受屏蔽导电器件、一种用于形成受屏蔽导电器件的方法以及一种电子封装组件。受屏蔽导电器件包括：电介质基底， 其具有顶部表面和底部表面， 以及在顶部表面与底部表面之间延伸的侧向表面；顶部导电垫和底部导电垫， 其分别形成于电介质基底的...
    2025-11-30
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司_202410392885.8
    本发明提供了一种半导体封装结构及其制造方法， 包括至少一个引线键合焊球， 所述引线键合焊球设置在引线键合焊垫上；至少一根引线键合线， 所述引线键合线的至少一端设置在所述引线键合焊球上；电磁屏蔽层， 所述电磁屏蔽层与所述引线键合线连接， 由此...
    2025-11-30
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202510396639.4
    本发明涉及半导体测试装置的制造方法。根据本发明一实施例的半导体测试装置， 所述半导体测试装置包括膜部， 所述膜部包括沿着第一面方向和所述第一面所相反的第二面方向的多个开口图案， 所述膜部包括：金属薄膜部， 其具有多个开口图案；以及绝缘层部，...
    2025-11-30
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202411793099.5
    本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明一实施例的半导体测试装置， 用于测试半导体的电连接， 该装置包括：第一膜部， 其包括第一面及所述第一面的相反面即第二面， 且在所述第一面上包括多个朝向所述第二面的多个第一开口图案；第二膜部， ...
    2025-11-30
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202411793089.1
    本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明一实施例的半导体测试装置， 其用于测试半导体的电连接， 第一膜部， 其沿着厚度方向包括多个第一开口图案；第二膜部， 其与所述第一膜部连接且沿着厚度方向包括多个第二开口图案；夹持部， 其包括中空...
    2025-11-30
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202411247075.X
    本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明一实施例的半导体测试装置， 其夹设在半导体存储器之间或者半导体存储器与插入件之间， 且用于测试电连接， 该半导体测试装置包括：膜部， 其在厚度方向上包括多个开口图案；以及夹持部， 其包括中空区...
    2025-11-30
  • 半导体测试结构及其形成方法
    半导体测试结构及其形成方法_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202410421688.4
    一种半导体测试结构及其形成方法， 其中形成方法包括：提供衬底， 所述衬底包括若干有源区；在各所述有源区上形成至少两个栅极结构；在所述衬底上形成介质层， 所述介质层覆盖所述栅极结构表面；在所述介质层内形成贯穿所述介质层厚度的导电插塞；在所述介...
    2025-11-30
  • 测试结构
    测试结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410407958.6
    一种测试结构， 包括：衬底；浮栅结构， 位于衬底上， 浮栅结构包括测试主体部、以及位于测试主体部端部且与测试主体部连接的延伸部， 测试主体部和延伸部均包括位于衬底上的第一隧穿层和位于第一隧穿层上的浮栅层；顶部介质层， 位于浮栅结构顶部；字线...
    2025-11-30
  • 测试单元及测试方法
    测试单元及测试方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410386831.0
    本申请公开了一种测试单元及测试方法， 属于半导体技术领域。本申请提出一种测试单元， 包括：仿制结构， 包括介质层， 层叠于介质层上的第一导电件和第二导电件间隔布置， 介质层形成有沿仿制结构的层叠方向延伸的接触孔， 第一导电件位于接触孔上方，...
    2025-11-30
  • 半导体结构
    半导体结构_南茂科技股份有限公司_202410614238.7
    本发明提供一种半导体结构， 包括基板、中介层、芯片堆叠、控制电路芯片、逻辑芯片以及封装胶体。芯片堆叠配置于中介层上， 且通过中介层与基板电性连接。芯片堆叠包括沿着第一方向偏移设置成阶梯式堆叠的多个第一芯片以及沿着第二方向偏移设置成阶梯式堆叠...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510430786.9
    提供了半导体器件及其制造方法， 该半导体器件包括基于具有宽轮廓的占位物结构形成的背侧接触结构。该方法可以包括：形成源极/漏极区域；以及在源极/漏极区域的底表面下面形成背侧接触结构， 使得在沟道长度方向上， 背侧接触结构的上部的宽度大于源极/...
    2025-11-30
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510390201.5
    提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括基底层和在基底层上的至少一条金属线， 其中， 所述至少一条金属线中的每条金属线包括第一金属结构和在第一金属结构上的第二金属结构， 第一金属结构通过直接蚀刻工艺形成， 第二金属结构...
    2025-11-30
  • 可渗透生物电子系统及其制造方法
    可渗透生物电子系统及其制造方法_香港理工大学_202410561626.3
    一种可渗透生物电子系统， 包括含有液态金属(LM)的可拉伸多层电路、以及用于将一个或多个无机电子电路元件结合至该可拉伸多层电路的LM互连件。
    2025-11-30
  • 半导体模块
    半导体模块_富士电机株式会社_202510230554.9
    本发明提供一种半导体模块。降低每个半导体模块的引线的外部端子部与壳体的表面之间的平行度的偏差。半导体模块具备：电路部件， 其包括布线板和半导体元件；引线， 其与电路部件的导体图案接合；以及壳体， 其在设于正面的凹部收纳螺母。壳体具备包围布线...
    2025-11-30
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510026835.2
    提供一种电子装置。所述电子装置包含载体及保护层。所述载体具有预定区且包含安置于所述预定区中的衬垫。所述保护层安置于所述载体上方且限定所述预定区。所述保护层被配置成阻挡包封层覆盖所述衬垫。
    2025-11-30
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