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最新专利技术
  • 治具校正方法及作业设备
    治具校正方法及作业设备_万润科技股份有限公司_202510022509.4
    本发明提供一种治具校正方法及作业设备；治具校正方法包括：提供一治具， 位于可搬送一待搬送物的一搬送流路中并可选择性保持该待搬送物；提供一作业装置， 设有一距离传感器；使该作业装置被驱动位移至该治具上方， 使该距离传感器对该治具的不同位置进行...
    2025-11-24
  • 基板处理设备
    基板处理设备_三星电子株式会社_202411690335.0
    一种基板处理设备包括：转位模块， 其包括被构造为接纳基板载体的装载口；以及处理模块， 其连接到所述转位模块并且包括传送室、处理室和缓冲室。所述处理室连接到所述传送室并且所述缓冲室设置在所述转位模块与所述传送室之间。所述传送室包括被构造为在所...
    2025-11-24
  • 一种半导体工艺腔室
    一种半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410501438.1
    本发明公开了一种半导体工艺腔室， 包括腔体、热成像器件、加热器件和控制器件， 热成像器件用于采集腔体内待测晶圆的热图像， 控制器件与热成像器件和加热器件相连， 控制器件用于获取热成像器件采集的待测晶圆的热图像， 根据热图像获得属于待测晶圆的...
    2025-11-24
  • 晶圆的加工设备和对晶圆的加工方法
    晶圆的加工设备和对晶圆的加工方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410498047.9
    本发明提供了一种晶圆的加工设备和对晶圆的加工方法。该加工设备中， 用于承载晶圆的台面可直接吸附晶圆， 使晶圆的第一表面贴合在台面上， 从而在喷洒刻蚀液以进行刻蚀的过程中， 使得刻蚀液难以侵蚀晶圆的第一表面。此外， 与传统的加工设备中利用PI...
    2025-11-24
  • 一种液处理装置
    一种液处理装置_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202410492956.1
    本申请公开了一种液处理装置， 涉及半导体制造技术领域， 包括基台、第一承载部、第二承载部、第一功能臂、第二功能臂、第三功能臂和第四功能臂；第一承载部和第二承载部均用于承载晶圆， 第一功能臂、第二功能臂、第三功能臂和第四功能臂上均设置有喷嘴，...
    2025-11-24
  • 半导体热处理设备
    半导体热处理设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410480702.8
    本发明提供一种半导体热处理设备， 包括工艺管、底座、测温部件、导向部件和调节组件， 工艺管竖直设置在底座上， 且工艺管和底座同轴设置， 测温部件包括水平段和竖直段， 水平段自底座外贯穿底座至底座内， 竖直段的部分设置在工艺管内， 部分设置在...
    2025-11-24
  • 半导体工艺设备及其控制方法
    半导体工艺设备及其控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410480064.X
    本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其控制方法， 该设备包括：工艺腔室、供气装置、抽气装置、第一阀门、真空计和控制器， 抽气装置经第一阀门与工艺腔室连接；在该设备执行暖机工艺后， 抽气装置按预设参数对工艺腔室进行抽气处理， 真空计检测当前...
    2025-11-24
  • 离子注入在线监控方法及在线监测系统
    离子注入在线监控方法及在线监测系统_上海光通信有限公司_202410431168.1
    本发明提供了一种离子注入在线监控方法及在线监测系统， 所述离子注入在线监控方法包括：构建对样本衬底进行离子注入后在所述样本衬底表面形成的非晶层厚度与对应离子注入的各工艺条件之间的若干单因素模型；提供离子注入后的待测衬底， 所述待测衬底表面形...
    2025-11-24
  • 一种抑制热膨胀调平型半导体检测装置
    一种抑制热膨胀调平型半导体检测装置_叁砖科技(南京)有限公司_202510918906.X
    本发明公开了一种抑制热膨胀调平型半导体检测装置， 涉及半导体检测技术领域。该检测装置， 滑动基架包括基架体、滑动凸块、视窗槽和滑动槽， 用于支撑可移动的探头调整滑块；支架定位调平组件， 用于将滑动基架与检测窗定位、固定连接和调平；过渡连接件...
    2025-11-24
  • 一种用于太阳能电池片的快速UV的测试方法
    一种用于太阳能电池片的快速UV的测试方法_江苏润阳光伏科技有限公司_202510760309.9
    本发明提供了一种用于太阳能电池片的快速UV的测试方法， 通过选取镀完正背膜后的半成品电池作为测试样品， 对测试样品进行测试， 得到初始少子寿命和初始光照开路电压值， 避免金属化后的栅线对衰减产生影响， 提高测试的准确性， 利用紫外光源对测试...
    2025-11-24
  • 晶圆缺陷检测方法和光学临近修正方法
    晶圆缺陷检测方法和光学临近修正方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410497008.7
    一种晶圆缺陷检测方法和光学临近修正方法， 包括：获取待测晶圆以及对应所述待测晶圆的金属层版图和切割版图， 所述金属层版图包括若干沿第一方向平行排布金属层图形， 所述切割版图包括若干沿第二方向平行排布的切断图形， 所述第一方向和所述第二方向相...
    2025-11-24
  • 特征尺寸的量测方法及装置
    特征尺寸的量测方法及装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410496957.3
    本申请提供一种特征尺寸的量测方法及装置， 主要包括：在生产环境条件， 根据第一标记对晶圆进行预对准；在生产环境条件， 根据第一标记和第二标记对晶圆进行光学显微镜对准；获取光学显微镜对准的对准结果， 对准结果为显微对准成功和显微对准失败；停止...
    2025-11-24
  • 多量子阱半导体元件的纵向空间分析方法
    多量子阱半导体元件的纵向空间分析方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202410463957.3
    本申请公开了一种多量子阱半导体元件的纵向空间分析方法， 包括采用TOF‑SIMS对半导体元件表面沿倾斜的方向进行离子溅射刻蚀， 直至刻蚀至半导体元件的模板层；基于超分辨显微镜确定刻蚀坑所在区域， 进行拉曼光谱和光致发光光谱测量；由谱图上确定...
    2025-11-24
  • 一种半导体晶圆的键合装置及键合方法
    一种半导体晶圆的键合装置及键合方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511029364.7
    本申请通过简单结构提高半导体制造工艺中晶圆之间的键合强度。本申请提供一种用于将半导体晶圆W1、W2相互键合的真空腔体14， 在将相互对置的晶圆W1、W2进行键合之前， 一方使用硅电极G1， 另一方使用半导体晶圆W2；对硅电极G1和半导体晶圆...
    2025-11-24
  • 一种半导体晶圆的键合装置及键合方法
    一种半导体晶圆的键合装置及键合方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511028963.7
    本申请通过简单结构提高半导体制造工艺中晶圆之间的键合强度。本申请提供一种用于将半导体晶圆W1、W2相互键合的真空腔体14， 在将相互对置的晶硅圆W1、W2进行键合之前， 一方使用硅电极G1， 另一方使用半导体晶圆W2；对硅电极G1和半导体晶...
    2025-11-24
  • 半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法
    半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法_捷进科技有限公司_202410800485.6
    提供一种能够提高涂敷均匀性的半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法。半导体制造装置具有：涂敷装置， 其具有保存膏体的注射器、设于上述注射器的前端的喷嘴支承件、设于上述喷嘴支承件的喷嘴、和对上述喷嘴支承件进行加热的加热部， 在涂敷对象...
    2025-11-24
  • 用于引线接合系统的砧座和夹持装置、以及夹具指状物
    用于引线接合系统的砧座和夹持装置、以及夹具指状物_半导体元件工业有限责任公司_202410698075.5
    本发明涉及用于引线接合系统的砧座和夹持装置、以及夹具指状物。用于引线接合系统的砧座能够包括：固定衬底， 该固定衬底具有顶部工作表面；以及第一层， 该第一层固定地联接到固定衬底的顶部工作表面以用于接纳工件， 该第一层被构造成在接合操作期间容纳...
    2025-11-24
  • 高密度端子模块的制法及高密度端子模块
    高密度端子模块的制法及高密度端子模块_创新服务股份有限公司_202410497182.1
    一种高密度端子模块的制法， 包含：使一暂态基板经由一层第一可解黏胶黏附一承载基板， 该承载基板具有多个承载区， 其中， 各该承载区均具有多个开孔、一真空吸嘴作用区及一端子黏附区；使该些承载区的所述端子黏附区经由一层第二可解黏胶黏附多组柱状导...
    2025-11-24
  • 内埋基板的制造方法及中间结构
    内埋基板的制造方法及中间结构_中国科学院微电子研究所_202410495203.6
    本申请公开一种内埋基板的制造方法及中间结构， 涉及半导体制造技术领域。上述内埋基板的制造方法中， 在第二树脂层背离芯板的一侧表面开孔过程中， 有第二支撑板仍然与芯板固定在一起， 开孔过程中有第二支撑板的支撑作用， 开孔过程中芯板不会发生翘曲...
    2025-11-24
  • 一种内埋元件基板的制造方法及临时键合结构
    一种内埋元件基板的制造方法及临时键合结构_中国科学院微电子研究所_202410494401.0
    本申请公开一种内埋元件基板的制造方法及临时键合结构， 涉及半导体制造技术领域。上述内埋元件基板的制造方法中， 在贴元件、埋入第一树脂层和第二树脂层等步骤中， 均有第一支撑板和/或第二支撑板对基板进行支撑， 第一支撑板和/或第二支撑板的支撑作...
    2025-11-24
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