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最新专利技术
  • 用于集成电路的静电放电防护的静电放电防护结构
    用于集成电路的静电放电防护的静电放电防护结构_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202511416857.6
    本申请公开了一种用于集成电路的静电放电防护的静电放电防护结构，包括第一芯片；第一芯片包括外围电路和内核电路；外围电路第一端口的第一外围连接垫、与第一外围连接垫相连接的第一静电放电防护电路；内核电路包括内核外接接口电路、内核内接接口电路、第一...
    2025-12-01
  • 一种TSV结构及其制备方法
    一种TSV结构及其制备方法_东南大学_202510812919.9
    本发明涉及集成电路与先进封装技术领域，公开了一种TSV结构及其制备方法，TSV采用鼓形结构，结合一种三元梯度复合绝缘层结构、立方相TaN与非晶Ta双层阻挡层结构以及纳米孪晶铜填充孔结构。本发明能够在介电性能、机械可靠性、铜扩散抑制、低温工艺...
    2025-12-01
  • 一种均温板的结构
    一种均温板的结构_华勤技术股份有限公司_202511395600.7
    本申请提供一种均温板的结构，涉及均温板技术领域，均温板的结构包括：第一壳体；第二壳体，第二壳体用于与待散热件相接触，第一壳体覆盖在第二壳体上，第一壳体与第二壳体之间形成用于容纳工质的传热腔；由粉末烧结的毛细结构，毛细结构设置在传热腔内，毛细...
    2025-12-01
  • 一种带散热结构的封装结构及封装方法
    一种带散热结构的封装结构及封装方法_成都奕成集成电路有限公司_202511076615.7
    本发明公开了一种带散热结构的封装结构及封装方法，通过第一金属载板、第二金属载板、第一导热绝缘膜、第二导热绝缘膜、第一重布线层、第二重布线层的连接配合，以及冷却管路后续在冷却管路内循环通入冷却液，大大降低热阻，增强散热，降低功耗；本申请直接采...
    2025-12-01
  • 异构集成近结微流道散热结构
    异构集成近结微流道散热结构_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511000300.4
    本发明提供了一种异构集成近结微流道散热结构，属于陶瓷封装技术领域，包括金属底板、陶瓷基板以及半导体衬底，金属底板内部嵌设有第一层级微流道；陶瓷基板层叠于所述金属底板上面，内部嵌设有第二层级微流道；半导体衬底层叠于所述陶瓷基板上面，内部嵌设有...
    2025-12-01
  • 一种用于功率半导体模块的散热基板及功率半导体
    一种用于功率半导体模块的散热基板及功率半导体_智新半导体有限公司_202510937756.7
    本申请涉及一种用于功率半导体模块的散热基板及功率半导体，涉及功率半导体热管理技术领域，包括基板本体；导流通道结构，其设置在基板本体上，并用于伸入冷却液内，导流通道结构包括至少一导流通道，导流通道包括至少一导流节段，导流节段包括主通道和辅助通...
    2025-12-01
  • 一种用于芯片与散热片固定的治具
    一种用于芯片与散热片固定的治具_福泰克(连云港)电子有限公司_202511070181.X
    本发明公开了一种用于芯片与散热片固定的治具，属于芯片固定技术领域，包括治具以及与治具相配合的散热片，治具上设置有一组U型限位片，治具内部开设有若干个绝缘片限位槽和芯片限位槽，绝缘片限位槽和芯片限位槽相连通，芯片限位槽高于绝缘片限位槽，绝缘片...
    2025-12-01
  • HBPOP封装结构及制作工艺
    HBPOP封装结构及制作工艺_长沙安牧泉智能科技有限公司_202511078469.1
    本发明公开了一种HBPOP封装结构及制作工艺，该HBPOP封装结构包括：第一互连层；第二互连层，位于第一互连层的一侧，第二互连层具有相对设置的第一侧面和第二侧面，第二侧面朝向第一互连层，第二互连层上设有安装腔；芯片，安装于安装腔内，芯片具有...
    2025-12-01
  • 一种堆叠式芯片先进封装
    一种堆叠式芯片先进封装_容泰半导体(江苏)有限公司_202511080956.1
    本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种堆叠式芯片先进封装。包括：壳体，所述壳体内设置有柔性基板，所述柔性基板设置有多个平直部，最下侧所述平直部的上侧以及其余所述平直部的上下两侧均固接有功能芯片，所述壳体内固接有多个热胀件，所述热胀件用...
    2025-12-01
  • 一种基于无氧铜的IGBT高效散热板结构
    一种基于无氧铜的IGBT高效散热板结构_江西江南精密科技有限公司_202511040681.9
    本发明公开了一种基于无氧铜的IGBT高效散热板结构，IGBT散热基板领域，利用铜材的高导热性，以无氧铜(纯度≥99.99％，氧含量≤5ppm)作为基材，对散热板与IGBT接触面进行表面微结构设计，添加阵列凹槽，并在凹槽内填充高导热硅脂(导热...
    2025-12-01
  • 晶片组件及其组装方法
    晶片组件及其组装方法_纬颖科技服务股份有限公司_202510203119.7
    本发明提出一种晶片组件及其组装方法。晶片组件包括一电路板、一晶片、一支架、一散热件、多个弹性件以及一操作件。晶片设置于电路板上。支架设置于电路板上且环绕晶片。散热件设置于晶片上方。多个弹性件位于支架与散热件之间。操作件可移动地设置于支架的一...
    2025-12-01
  • 功率模块的组装结构
    功率模块的组装结构_台达电子工业股份有限公司_202411055603.1
    本案提供一种功率模块的组装结构，包括基板、半导体组件、底座、多个散热鳍片、锡层。基板包括第一金属表面及第二金属表面，其中第一金属表面及第二金属表面于空间上彼此相对。半导体组件设置于第一金属表面上。底座包括第一表面及第二表面，其中第一表面及第...
    2025-12-01
  • 一种IGBT模块封装结构
    一种IGBT模块封装结构_中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)_202511042927.6
    本发明公开了一种IGBT模块封装结构，包括IGBT模块；所述IGBT模块的顶部通过端盖封闭，IGBT模块的两端设有接线端子，IGBT模块的端面边缘加工有若干PCB板安装孔和内螺纹柱，PCB板安装在IGBT模块顶部且通过安装螺栓与PCB板安装...
    2025-12-01
  • 一种氮化镓功率封装模块及封装方法
    一种氮化镓功率封装模块及封装方法_智新半导体有限公司_202510988501.3
    本申请涉及一种氮化镓功率封装模块，包括：衬板，其上设置有氮化镓芯片；SiMOS芯片，其固定在所述氮化镓芯片上；连接基板，其上集成有磁珠，且所述连接基板固定在所述SiMOS芯片上。该氮化镓功率封装模块及封装方法，将SiMOS芯片直接焊接在氮化...
    2025-12-01
  • 一种DFN导线架长线弧跨die的封装结构及封装方法
    一种DFN导线架长线弧跨die的封装结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202510907037.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种DFN导线架长线弧跨die的封装结构及封装方法。包括DFN导线架，所述的DFN导线架一侧设有芯片，DFN导线架的引脚上设有铜核，位于DFN导线架、芯片、铜核外侧裹覆第一塑封料，芯片的焊盘一侧设有未裹...
    2025-12-01
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星电子株式会社_202510103328.4
    示例实施例涉及半导体封装件，该半导体封装件包括：第一结构，其具有在第一半导体芯片上并且相对于第一半导体芯片在第一方向上水平地偏移的第二半导体芯片；以及覆盖第一半导体芯片的侧表面的第一绝缘图案。第一绝缘图案的宽度在从第一半导体芯片的下表面朝着...
    2025-12-01
  • 晶圆、晶圆的减薄方法及封装方法
    晶圆、晶圆的减薄方法及封装方法_英诺赛科(珠海)科技有限公司_202511015879.1
    本发明公开了一种晶圆、晶圆的减薄方法及封装方法。所述晶圆具有外延区和环绕所述外延区的斜坡区；所述晶圆包括衬底和位于所述衬底上的外延层；所述衬底靠近所述外延层的表面开设有隔离槽，所述隔离槽位于所述斜坡区且环绕所述外延区。本发明能够降低晶圆裂片...
    2025-12-01
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_琳得科株式会社_202511102897.3
    本发明提供一种即使在形成有保护膜的芯片等工件的加工品进一步被树脂密封的情况下，也能够提高密封树脂与保护膜之间的粘合可靠性的半导体装置的制造方法。该方法具有：将用于形成保护膜的保护膜形成膜、或保护膜形成用复合片的保护膜形成膜贴附于工件背面的工...
    2025-12-01
  • 一种针对小芯片晶圆的切割方法
    一种针对小芯片晶圆的切割方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511042043.0
    本发明涉及晶圆切割技术领域，具体地说是一种针对小芯片晶圆的切割方法。包括如下步骤：S1，提供一个晶圆，通过激光对晶圆正面进行切割；S2，对激光半切后的晶圆，在正面贴保护膜；S3，晶圆正面朝下，通过研磨一体机，对晶圆背面进行减薄，减薄至晶圆分...
    2025-12-01
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046964.4
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：在顶层硅的表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层、顶层硅和埋氧层内形成第一凹槽以及位于第一凹槽侧壁的第一隔离结构；在硬掩膜层的表面形成第一多晶硅材料层和第二隔离结构材料层，第一多晶硅材料层延伸至第一凹槽内并...
    2025-12-01
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