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最新专利技术
  • 改进存储器阵列中的连续性
    改进存储器阵列中的连续性_美光科技公司_202510576319.7
    本申请涉及改进存储器阵列中的连续性。可以将材料堆叠形成为连续的存储器通道和连接通道。例如，所述堆叠可以包含一组氧化物层和金属层。可以形成第一堆叠。柱可以延伸穿过所述第一堆叠。可以在所述柱的第一层中形成凹槽。可以在所述第一堆叠和所述凹槽的顶部...
    2025-11-22
  • 半导体器件和包括半导体器件的电子系统
    半导体器件和包括半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202510015993.8
    一种半导体器件，包括：第一堆叠结构，设置在衬底的上表面上，并且包括设置在衬底的连接区域上的第一凹陷区域；第二堆叠结构，设置在第一堆叠结构上，并且包括设置在连接区域上的第二凹陷区域；第一封盖图案，设置在第一凹陷区域上；第二封盖图案，设置在第二...
    2025-11-22
  • 非挥发性存储器的存储单元
    非挥发性存储器的存储单元_力旺电子股份有限公司_202511088743.3
    本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括：一N型区域、一N型阱区、一P型阱区、一第一p型掺杂区域、一第二p型掺杂区域与一第一n型掺杂区域。该N型阱区与该P型阱区形成于该N型区域中。该第一p型掺杂区域与该第二p型掺杂区域位于该N型阱区的表...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511099659.1
    本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、浅沟槽隔离和至少一栅极线。衬底包括多个有源区。浅沟槽隔离设置在衬底中、并在一方向上与有源区交替设置，其中，浅沟槽隔离包括第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离。至少一栅极线设置在衬底内并同时与浅沟槽隔离...
    2025-11-22
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511070988.3
    一种半导体装置，包括：基板层；位于基板层上方的第一晶体管和第二晶体管；位于基板层上方的第一存储器单元；位于基板层上方并电性连接到第一存储器单元的第一字元线，其中第一字元线位于第一高度，并且第一晶体管电性连接到第一字元线；位于基板层上方的第二...
    2025-11-22
  • DRAM中深沟槽的制作方法
    DRAM中深沟槽的制作方法_杭州积海半导体有限公司_202511041790.2
    本发明提供了一种DRAM中深沟槽的制作方法，包括：提供衬底，衬底上至少形成有第一氧化硅层；在第一氧化硅层的表面涂敷光阻层，且利用光刻的EBR工艺去除衬底边缘的光阻层；对衬底边缘暴露的第一氧化硅层进行预设深度及预设浓度的离子注入形成离子注入层...
    2025-11-22
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511036687.9
    本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，用于解决半导体体存储器件的整体性能不良的技术问题，该半导体器件包括衬底和字线结构，衬底具有核心区和与核心区相邻的外围区，衬底包括隔离结构以及有源结构，隔离结构包括位于核心区的第一隔离结构和位于外...
    2025-11-22
  • 一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备
    一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备_成都高真科技有限公司_202510926488.9
    本公开提供一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的半导体结构包括：半导体基底，包括彼此间隔开的有源区；在所述有源区之间的隔离区的下方填埋有沿第一方向延伸的金属体线；所述金属体线与晶体管的体区连接，用于将晶体管的体区连接到...
    2025-11-22
  • 半导体结构、动态随机存储器及其制备方法
    半导体结构、动态随机存储器及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510884691.4
    提供一种半导体结构，动态随机存储器及其制造方法，包括：提供衬底，衬底形成有叠层结构，叠层结构由第一材料层和第二材料层交替重复形成；在叠层结构中形成第一沟槽，第一沟槽在沿平行于衬底表面的方向延伸；形成第一沟槽包括：形成第二沟槽，通过第二沟槽在...
    2025-11-22
  • 包含双面字元线的半导体元件及其制造方法
    包含双面字元线的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510671656.4
    提供一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件，包括一基板、一位元线、一第一字元线、一第二字元线及一通道层。该位元线设置于该基板上并且沿着一第一方向延伸。该第一字元线设置于该基板上并且沿着大致上垂直于该第一方向的一第二方向延伸。该第二字元线设...
    2025-11-22
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510530210.X
    一种半导体器件包括：有源图案，在衬底上，衬底包括单元阵列区域和延伸区域，延伸区域位于单元阵列区域的沿第一方向的相对侧；位线结构，在有源图案上沿第一方向延伸；以及间隔物结构，沿第二方向在位线结构的侧壁上，第二方向垂直于第一方向。间隔物结构的在...
    2025-11-22
  • 存储器器件及其形成方法
    存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510516815.3
    一种存储器器件包括：形成在衬底的第一区域中的多个第一存储器单元，形成在衬底的第二区域中的多个第一通孔结构，第二区域沿着第一横向方向设置在第一区域旁边，形成在衬底第一侧上的多个前侧互连结构中的第一前侧互连结构，其中第一前侧互连结构耦接到多个第...
    2025-11-22
  • 包括竖直沟道晶体管的半导体存储器件以及制造该半导体存储器件的方法
    包括竖直沟道晶体管的半导体存储器件以及制造该半导体存储器件的方法_三星电子株式会社_202510154002.4
    一种包括竖直沟道晶体管的半导体存储器件以及制造该半导体存储器件的方法。该半导体存储器件，包括：位线，在衬底上沿第一方向延伸；填充绝缘层，包括设置在位线上并沿与第一方向相交的第二方向延伸的沟道沟槽；第一栅极绝缘层，沿填充绝缘层的侧表面和下表面...
    2025-11-22
  • 半导体存储器件及其制造方法
    半导体存储器件及其制造方法_三星电子株式会社_202411761838.2
    提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：模制绝缘膜，沿第一方向延伸；沟道图案，在第二方向上从模制绝缘膜突出；栅极绝缘膜，覆盖沟道图案和模制绝缘膜的至少一部分；字线，在栅极绝缘膜上；以及栅极封盖膜，覆盖字线和栅极绝缘膜的至少一部分，其中...
    2025-11-22
  • 具承载信号的导体及其接点的制造方法、及半导体结构
    具承载信号的导体及其接点的制造方法、及半导体结构_南亚科技股份有限公司_202411258078.3
    本发明提供一种具承载信号的导体及其接点的制造方法、及半导体结构，该半导体结构的多个第一信号承载导体埋入沿着第一维度的第一浅沟槽隔离结构且位于半导体基板的主动区下方，多个接点从所述多个第一信号承载导体延伸并贯穿所述第一浅沟槽隔离结构以连接所述...
    2025-11-22
  • 包含双面字元线的半导体元件及其制造方法
    包含双面字元线的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411075992.4
    提供一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件，包括一基板、一位元线、一第一字元线、一第二字元线及一通道层。该位元线设置于该基板上并且沿着一第一方向延伸。该第一字元线设置于该基板上并且沿着大致上垂直于该第一方向的一第二方向延伸。该第二字元线设...
    2025-11-22
  • 一种集成电路制造贴片装置及其方法
    一种集成电路制造贴片装置及其方法_安徽创瑞电子有限公司_202511136127.0
    本发明涉及集成电路制造贴片设备技术领域，提供了一种集成电路制造贴片装置及其方法，包括贴片机及其内部的贴片单元和传输单元，所述贴片单元的下端为多个吸取机构；吸取机构具有固定管及其外侧的固定套，所述固定管的下端具有单独上下移动的吸管，所述固定管...
    2025-11-22
  • 一种5G天线定位组装设备
    一种5G天线定位组装设备_东莞市振亮精密科技有限公司_202511106918.9
    本发明公开一种5G天线定位组装设备，其包括基板移料装置，用于提供并驱使待组装的天线基板依次流经贴装工位、保压工位和检测工位；贴装装置，设置于贴装工位，用于将电子元件贴装于天线基板上；元件进料装置，设置于贴装工位，用于向贴装装置提供若干组同种...
    2025-11-22
  • 电路板生产用料架框调节装置
    电路板生产用料架框调节装置_深圳市科莱昂科技有限公司_202510930953.6
    本发明公开了一种电路板生产用料架框调节装置，涉及电路板生产领域，所述电路板生产用料架框调节装置包括移动小车、测宽装置、抵持装置，所述测宽装置包括基板、固定架、活动架，所述固定架固定于所述基板的一侧，所述活动架可朝向靠近或远离所述固定架的方向...
    2025-11-22
  • 一种CoFe合金纤维微波吸收剂的制备方法及应用
    一种CoFe合金纤维微波吸收剂的制备方法及应用_晋中学院_202511248614.6
    本发明提供了一种CoFe合金纤维微波吸收剂的制备方法，该方法为：将棉纤维浸没在含铁盐和钴盐的水溶液中浸渍后取出、干燥后，得到负载铁离子和钴离子的棉纤维；在氮气气氛下，以4℃/min从室温升温至600℃～800℃，恒温焙烧后，自然冷却至室温，...
    2025-11-22
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