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最新专利技术
  • 一种车规级芯片的封装方法和车规级芯片的封装结构
    一种车规级芯片的封装方法和车规级芯片的封装结构_广州美维电子有限公司_202511301070.5
    本发明涉及芯片的技术领域，提供了一种车规级芯片的封装方法和车规级芯片的封装结构，包括：S1：提供芯板、功率模块和散热铜块；在所述芯板上制备第三布线层以形成第一半成品板；在所述第一半成品板上加工第一通槽和第二通槽；将所述功率模块安装到所述第一...
    2025-12-04
  • 一种喷墨对针方法及其点胶对位方法
    一种喷墨对针方法及其点胶对位方法_浙江鼎晶科技有限公司_202511443398.0
    本发明公开了一种喷墨对针方法及其点胶对位方法，涉及芯片喷胶封装技术领域，其包括以下步骤S1：喷墨头对位，包括S1A：控制喷墨头由预设原点坐标移动至打印位置并打印预设图案；S1B：视觉相机采集步骤S1A打印获取的图案数据；S1C：对步骤S1B...
    2025-12-04
  • 衬底布线方法和衬底封装结构
    衬底布线方法和衬底封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511438595.3
    本申请提供的一种衬底布线方法和衬底封装结构，包括：提供具有第一半固化片的第一载具；第一半固化片包括第一分部和第二分部，第二分部高于第一分部。在第一分部形成第一布线层，在第二分部形成第二布线层。形成包覆第一布线层和第二布线层的第一介质层。在第...
    2025-12-04
  • 一种使用FOW胶膜倒装上芯的方法及结构
    一种使用FOW胶膜倒装上芯的方法及结构_郑州兴航科技有限公司_202511071246.2
    本发明属于半导体集成电路封装测试领域，公开了一种使用FOW胶膜倒装上芯的方法及结构。将揭除正面保护膜和解背面UV膜后的晶圆，沿边缘划出，以便于正面贴FOW胶膜。随后通过整片晶圆倒膜翻转的方式，代替常规FC工艺逐个芯片倒装上芯的步骤，从而大大...
    2025-12-04
  • 半导体器件以及制作和使用FO-WLP上的焊料凸块的方法
    半导体器件以及制作和使用FO-WLP上的焊料凸块的方法_星科金朋私人有限公司_202510472145.X
    半导体器件以及制作和使用FO‑WLP上的焊料凸块的方法。一种半导体器件具有半导体管芯和被沉积在半导体管芯上方的密封剂。互连结构被形成在半导体管芯和密封剂上方。第一凸块下金属化(UBM)焊盘被形成在互连结构上方。第一UBM焊盘是非圆形的。版膜...
    2025-12-04
  • 一种半导体芯片的封装方法及芯片封装件
    一种半导体芯片的封装方法及芯片封装件_深圳瑞沃微半导体科技有限公司_202511030157.3
    本申请提供了一种半导体芯片的封装方法及芯片封装件，包括步骤：往所述芯片的四周及底部灌注封装胶，得到封装胶层；在所述封装胶层的顶部涂覆导电油墨，得到预制封装件；其中，所述导电油墨底部边缘与所述电极顶部边缘接触；在所述预制封装件的目标区域外涂覆...
    2025-12-04
  • 一种芯片封装方法及芯片封装结构
    一种芯片封装方法及芯片封装结构_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410552810.1
    本发明公开了一种芯片封装方法及芯片封装结构，该芯片封装方法包括提供一封装基板，封装基板包括中心区、围绕中心区的第一边缘区以及围绕第一边缘区的第二边缘区，中心区上焊接有芯片，第二边缘区形成为胶黏区；于胶黏区上覆盖一阻隔层；于芯片远离封装基板的...
    2025-12-04
  • 桥连封装方法和封装结构
    桥连封装方法和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511438886.2
    本申请提供的一种桥连封装方法和封装结构，该方法包括提供设有第一导电柱的衬底；第一导电柱的一端与衬底的第一表面齐平，另一端埋设于衬底内。在衬底的第一表面一侧形成第一安装槽，在第一安装槽内贴装第一芯片。第一芯片包括主体部和连接于主体部的凸缘层，...
    2025-12-04
  • 桥连封装方法和封装结构
    桥连封装方法和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511438885.8
    本申请提供的一种桥连封装方法和封装结构，该方法包括提供设有第一导电柱的衬底；第一导电柱的一端与衬底的第一表面齐平，另一端埋设于衬底内。在衬底的第一表面一侧形成第一安装槽，在第一安装槽内贴装第一芯片。第一芯片包括主体部和连接于主体部的凸缘层，...
    2025-12-04
  • 一种降低TGV产品破片率的制造方法
    一种降低TGV产品破片率的制造方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202511118548.0
    本发明公开了一种降低TGV产品破片率的制造方法，采用飞秒激光对玻璃基板进行激光诱导形成改性区后，用蚀刻液对改性区进行湿法刻蚀形成通孔；采用飞秒激光对通孔孔口进行倒角处理，激光垂直射向玻璃基板并沿通孔孔边缘向外螺旋扩展，进行逐层倒角，每层由内...
    2025-12-04
  • 一种封装基板的重分布层的制作方法和封装基板
    一种封装基板的重分布层的制作方法和封装基板_厦门安捷利美维科技有限公司_202511117699.4
    本发明公开一种封装基板的重分布层的制作方法和封装基板，该方法包括提供玻璃芯板，并制作出导电通孔、在玻璃芯板上制作出通过导电通孔电连接的内层线路；采用化学气相沉积工艺在内层线路上沉积第一介电层，第一介电层采用派瑞林材料；在第一介电层上开孔以显...
    2025-12-04
  • 一种TGV种子层及封装基板的制作方法和封装基板
    一种TGV种子层及封装基板的制作方法和封装基板_厦门安捷利美维科技有限公司_202511117696.0
    本发明公开一种TGV种子层及封装基板的制作方法和封装基板，该方法包括：在玻璃芯板上制作玻璃通孔，以形成一个或多个贯通所述玻璃芯板相对的第一表面和第二表面的TGV孔；在所述第一表面、所述第二表面和所述TGV孔的内壁形成缓冲层；通过等离子体对所...
    2025-12-04
  • 应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构
    应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构_江苏普诺威电子股份有限公司_202511075034.1
    本发明公开了一种应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构，该加工方法包括：提供设有线路层和防焊层的IC载板；对防焊层表面进行等离子体粗化，使防焊层表面形成为蜂窝状结构；在防焊层表面上形成化铜层；将多张抗镀干膜层叠设置于化铜层及线路层...
    2025-12-04
  • 一种二极管连接片的制作方法
    一种二极管连接片的制作方法_江苏正芯电子科技有限公司_202511053643.7
    本发明公开了一种二极管连接片的制作方法，属于半导体技术领域，本发明选用金属铜作为材料，并经提纯获得高纯度铜，保障了二极管的导电性、散热性和抗冲击力，拉拔异型材使材料形状适配需求，退火处理消除内应力，恢复延展性与抗拉强度，从而确保连接片力学性...
    2025-12-04
  • 一种FCBGA封装基板及其加工方法
    一种FCBGA封装基板及其加工方法_武汉新创元半导体有限公司_202510927602.X
    本发明公开了一种FCBGA封装基板及其加工方法，其中加工方法包括，在玻璃芯板表面的焊盘区域通过叠加和排列单元小孔形成异形图案；对所述单元小孔进行扩大，使得各单元小孔均与其他单元小孔连通，在玻璃芯板中形成异形通孔；在玻璃芯板表面形成导电金属层...
    2025-12-04
  • 半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备
    半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410551791.0
    本申请公开了一种半导体结构的刻蚀方法，涉及半导体领域。一种半导体结构的刻蚀方法，所述半导体结构包括钨层以及依次层叠在所述钨层上的碳材料层和硅化物层，所述碳材料层以及硅化物层具有相同的图形形貌，所述刻蚀方法包括：第一刻蚀步骤，采用等离子体刻蚀...
    2025-12-04
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511107937.3
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层和位于第一介质层内的初始导电层，所述第一介质层暴露出所述初始导电层表面，所述初始导电层表面具有初始氧化层；对所述初始氧化层进行第一还原处理，形成氧化层；对所述氧化层进行第二还原...
    2025-12-04
  • 铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备
    铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511045370.1
    本发明提供一种铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备，先进制程控制方法包括：获取铜在有氧气氛中反应生成氧化铜的氧化厚度，建立氧化铜的氧化厚度与氧化时间的关系曲线；在第一温度和第一流量的还原气体下，获取氧化铜与还原气体反应后被还原的氧化...
    2025-12-04
  • 衬垫氧化层的去除方法
    衬垫氧化层的去除方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066208.8
    本发明公开了一种衬垫氧化层的去除方法，包括步骤：提供形成有浅沟槽隔离的半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成衬垫氧化层并完成阱注入工艺。进行去除衬垫氧化层的刻蚀工艺，包括：进行第一次化学气体干法刻蚀工艺以去除衬垫氧化层的部分厚度。进行第二次D...
    2025-12-04
  • 硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法
    硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法_沈阳仪表科学研究院有限公司_202511331451.8
    本申请涉及硅直接键合芯片工艺技术领域，尤其涉及一种硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法，所述方法先设定硅直接键合芯片的顶硅层目标厚度为预定的厚度范围；再采用三阶段刻蚀工艺对所述顶硅层进行刻蚀，所述三阶段包括启动阶段、主刻蚀阶段和终点控制阶段...
    2025-12-04
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