Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明提供了一种基于偏压极性可调的光伏‑倍增双模光电探测器及其制备方法,采用多层结构设计,具体地由下至上依次为透明基底、第一导电电极层、电子传输层、感光活性层、空穴传输层和第二导电电极层;感光活性层为有机聚合物给体和富勒烯受体构成的异质结。...
  • 本公开提供一种一维异质结构负响应光电子器件,所述光电子器件包括半导体型单壁碳纳米管内填充无机钙钛矿形成的一维异质结构CPB@s‑SWCNTs,其中,所述光电子器件具有优异的负的光响应。本公开基于单壁碳纳米管与无机钙钛矿形成的异质结构构筑形成...
  • 提供了显示面板、半导体纳米颗粒复合物、电子装置和滤色器。所述显示面板包括:发光面板;以及颜色转换面板,面对发光面板,其中,发光面板包括被构造为发射包括第一光和第二光的入射光的发光器件,其中,第一光的最大峰值发射波长存在于大于或等于约440n...
  • 本申请涉及包括半导体层的发光二极管、包括发光二极管的显示装置、以及包括显示装置的电子装置。发光二极管包括:第一电极层,包括反射材料;半导体层,设置在第一电极层上,并且包括彼此间隔开的多个发光构件;第二电极层,包括分别设置在多个发光构件上的多...
  • 本申请公开了一种新型Micro LED产品封装及光学结构,包括相互配合的封装模组与光学透镜;封装模组由FPCB基板、芯片组件及MOC塑封层构成,且所述CMOS芯片的焊盘通过导线与所述FPCB基板的金手指导通形成电回路;所述MOC塑封层或封装...
  • 本发明公开了基于电荷补偿法的Micro‑LED器件及其制备方法,涉及纳米发光材料与显示技术领域,通过Mg2+电荷补偿,解决Mn4+掺杂氟化物纳米晶时因晶体尺寸减小导致的Micro‑LED器件发光效率降低、驱动电压升高、器件寿命降低等问题。M...
  • 公开了显示装置,该显示装置包括:基板,包括显示区域和非显示区域;以及像素,设置在显示区域中,像素各自包括:第一电极;第二电极,与第一电极间隔开;以及发光元件,设置在第一电极与第二电极之间,其中,第一电极在一些区段中包括闭合环。
  • 本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括显示区域和形成在显示区域周围的非显示区域,显示装置包括:衬底;像素电路层,设置在衬底上,并且包括设置在显示区域中的多个子像素电路;多个第一导电连接器,设置在像素电路层上;以及显示元件层,设...
  • 本发明提供一种发光二极管阵列基板及修复方式,此发光二极管阵列基板包含基板以及至少两个发光二极管元件。基板包含P极区域、间隔设置于P极区域的N极区域以及间隔设置于P极区域以及N极区域的至少一间接电极区域。其中一个发光二极管元件的P极以及N极分...
  • 本发明公开了一种阵列LED芯片及其制备方法,涉及LED制造技术领域,阵列LED芯片包括堆叠的N型硅衬底、绝缘层、键合金属层、发光结构层和保护层,N型硅衬底中设置有多个P型掺杂区,P型掺杂区与四周的N型硅衬底区域构成齐纳二级管结构;键合金属层...
  • 本申请公开了一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法,包括S1,蓝光Micro LED芯片预处理;S2,光刻工艺处理;S3,涂覆硅胶荧光粉混合物;S4,真空静置与高温固化;S5,高精度研磨减薄;S6,光刻胶去除;可选S7,增设挡光结...
  • 本公开属于显示器件技术领域,涉及一种基于晶圆键合的全彩micro‑LED显示器件制备方法,包括:制备至少一个micro‑LED晶圆,其包含与驱动基板部分或全部像素排布位置相对应的micro‑LED;同一所述micro‑LED晶圆上的micr...
  • 本申请提供一种发光二极管及发光装置,本申请的发光二极管的电流扩展层形成有凹陷区以及位于凹陷区周围的平台区,透明绝缘层覆盖电流扩展层并且不完全覆盖其中的平台区。透明导电层覆盖透明绝缘层以及未被透明绝缘层覆盖的平台区,并且透明导电层远离电流扩展...
  • 本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括基板、半导体叠层、第一金属保护层和第二金属保护层;半导体叠层设置于基板的第一表面上方;第一金属保护层设置于基板与半导体叠层之间,与第二半导体层电连接;第二金属保护层围绕第一金属保护层的周向...
  • 本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片,多量子阱层包括周期性层叠设置的第一发光多量子阱层、插入层以及第二发光多量子阱层;其中,第一发光多量子阱层当中的阱层的In组分含量不同于第二发光多量子阱层当中的阱层的In组分含...
  • 本申请公开了一种抗热衰红光Micro LED外延结构及其制备方法,所述外延结构从下至上依次包括衬底层、n型缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型欧姆接触层、n型限制层、量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层及p型欧姆接触层;其中量子阱结构由1–5对I...
  • 本申请公开了一种发光二极管剥料设备,属于二极管技术领域。包括机架,机架一端设置有用于输送带有LED的载体的送料机构,送料机构出料端设置有用于对载体上的LED进行精确定位的定位机构,定位机构外部设置有弹性刀片组件及用于收集剥离后的LED和载体...
  • 本申请公开了一种降低红光Micro LED功耗的方法,包括:S1,片源准备;S2,预处理清洗;S3,光刻成型;S4,残胶去除;S5,氧化层清除;S6,复合金属沉积;S7,去胶脱附;S8,外观筛选;S9,退火处理;还可增设S10,性能验证;核...
  • 本发明涉及图形化蓝宝石衬底的离子注入技术领域,尤其涉及一种基于图形化蓝宝石衬底离子注入及外延工艺。其技术方案包括:在图形化蓝宝石衬底上涂胶,通过工艺降低光刻胶厚度使其漏出图形化蓝宝石衬底侧壁,对图形化蓝宝石衬底侧壁进行离子注入,去除剩余光刻...
  • 本发明涉及光伏发电技术领域,特别是一种可自主控温的光伏发电板及光伏发电装置,其中光伏发电板包括第一换热层,在第一换热层上依次层叠有温度控制层、光伏板层和第二换热层;温度控制层包括半导体控温材料板和换热膜,半导体控温材料板与换热膜之间填充有多...
技术分类