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最新专利技术
  • 一种降低晶圆表面金属新增的处理方法
    一种降低晶圆表面金属新增的处理方法_深圳市重投天科半导体有限公司_202511097000.2
    本发明提供了一种降低晶圆表面金属新增的处理方法，包括以下步骤：S1将待清洗晶圆在第一清洗液中进行清洗；S2将得到的晶圆进行冲洗后在第二清洗液中进行清洗；S3将得到的晶圆进行冲洗后在第三清洗液中进行清洗；S4将得到的晶圆进行冲洗后在第四清洗液...
    2025-12-19
  • 一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法
    一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法_上海天岳半导体材料有限公司_202510911257.0
    本申请提供了一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法，涉及碳化硅半导体材料技术领域。高品质碳化硅剥离衬底表面翘曲Warp不大于100μm，表面粗糙度Ra<15μm，表面损伤层中的裂纹台阶高度差不大于30μm。降低了减薄时砂轮损耗，能够提高加工效...
    2025-12-19
  • 一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用
    一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用_深圳大学_202510881480.5
    本发明提供了一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用。本发明在配制前驱体溶液采用的溶剂为乙醇和水的混合溶剂，乙醇‑水混合体系的前驱体溶液相较于全水体系的前驱体溶液能有效减少因剧烈水解导致的缺陷，同时比全乙醇体系的前驱体溶液更易获得完整的H...
    2025-12-19
  • 复合Si/Al缓冲层及其制备方法和应用
    复合Si/Al缓冲层及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202410598171.2
    本发明公开了一种复合Si/Al缓冲层及其制备方法和应用。复合Si/Al缓冲层的制备方法包括：制作形成复合缓冲层结构前体的步骤，所述复合缓冲层结构前体包括层叠设置的两个以上Al层和一个以上Si层，其中一个所述Si层分布在相邻两个所述Al层之间...
    2025-12-19
  • 一种基于分子束取样的笼式双光电离源质谱装置
    一种基于分子束取样的笼式双光电离源质谱装置_中国科学技术大学_202511277130.4
    本发明提供了一种基于分子束取样的笼式双光电离源质谱装置，包括光电离单元，光电离单元包括第一壳体、真空紫外灯和同步辐射光连接部；第一壳体为具有第一内腔的中空结构，第一内腔中形成有光电离区；第一壳体上设有与第一内腔连通的连接孔，连接孔的轴线经过...
    2025-12-19
  • 一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统
    一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统_闽都创新实验室_202510889153.4
    本申请公开了一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统，属于检测装置技术领域。该系统搭配螺旋副进给式采样管，该采样方式隐蔽、便携，且可以很好地保护采样样品，非常适用于各类外出采样任务，针对于对包裹、行李、行人、环境等进行的毒品采样，或者针对食品...
    2025-12-19
  • 一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯
    一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯_海南核电有限公司_202511039447.4
    本发明涉及质谱设备领域，尤其涉及一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯。所述法拉第杯，包括：矩形的外壳，一侧开口；抑制栅极，设置于外壳内，靠近开口处；收集器，设置于外壳内，与抑制栅极相邻；外壳的开口处设置有狭缝挡板；所述收集器通过绝缘内衬固定，与...
    2025-12-19
  • 一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法
    一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511494145.6
    本发明涉及一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法，属于半导体设备制造技术领域，所述快速自动阻抗匹配系统包括可调频射频电源模块、射频电缆模块、匹配器模块和腔室负载模块，所述可调频射频电源集成VI传感器，用于实时测量输出电压|V|、电流|I|及相位...
    2025-12-19
  • 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法
    石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511483557.X
    本发明涉及一种石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法，应用于半导体加工设备技术领域。其中，保护方法包括：采用溴基等离子体选择性去除石英部件表面既有的金属化合物钝化层；随后，沉积新的金属化合物钝化层，利用新的金属化合物钝化层提供抗...
    2025-12-19
  • 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法
    石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511483554.6
    本发明涉及一种石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法，应用于半导体加工设备技术领域。其中，保护方法包括：采用氯基等离子体选择性去除石英部件表面既有的金属化合物钝化层；随后，沉积新的金属化合物钝化层，利用新的金属化合物钝化层提供抗...
    2025-12-19
  • 一种具备换频功能的等离子体活化-键合设备及方法
    一种具备换频功能的等离子体活化-键合设备及方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511115063.6
    本发明涉及半导体制备与键合工艺领域，提出一种具备换频功能的等离子体活化‑键合设备，主要包括真空腔体、射频电源系统、相对设置的两个导轨、电极与晶圆固定部件，和进气口/出气口。射频电源系统控制两个电极分别接高频、低频电源，并且进行电源换频，对固...
    2025-12-19
  • 用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法
    用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511044171.9
    本发明提供用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法，涉及等离子清洗技术领域，包括以下步骤，在铝板四边设计低溅射产额金属薄膜，控制其宽度与厚度，使其适用于溅射调控与遮蔽，通过绝缘压板压紧使其部分暴露，经惰性气体等离子体轰击后沉积覆盖潜在颗粒，边...
    2025-12-19
  • 等离子体处理设备
    等离子体处理设备_三星电子株式会社_202510150119.5
    提供了一种等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：双腔室系统，包括第一腔室和通过开口与第一腔室流体连接的第二腔室；第一气体喷射器，被配置为向第一腔室供应第一气体；格栅，位于第一腔室和第二腔室之间的开口处；第二腔室挡板；第二气体喷射器，被配...
    2025-12-19
  • 下电极装置及半导体工艺设备
    下电极装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410620571.9
    本申请公开一种下电极装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。下电极装置包括下电极主体、第一隔离件和供气组件，其中，供气组件通过第一隔离件与下电极主体相连，下电极主体设有第一背气通道，第一隔离件设有第二背气通道，供气组件的输气管路通过第二背...
    2025-12-19
  • 一种半导体器件的离子注入优化方法
    一种半导体器件的离子注入优化方法_南通佳腾精密模具有限公司_202511504582.1
    本申请提供了一种半导体器件的离子注入优化方法，涉及离子注入技术领域，该方法包括：基于离子束注入、等离子体注入组件等，接收并配置离子注入控制属性。结合设备型号、晶圆型号等因素，为控制属性设定容错阈值。通过分析晶圆注入日志，得到控制属性的偏差模...
    2025-12-19
  • 一种控制驱动装置、控制驱动方法和离子源系统
    一种控制驱动装置、控制驱动方法和离子源系统_天津吉兆源科技有限公司_202511512251.2
    本发明公开了一种控制驱动装置、控制驱动方法和离子源系统。控制驱动装置包括：高压电源、第一开关模块、控制模块、n个第二开关模块以及n个灯丝电源；灯丝电源的输入端与其对应的第二开关模块的第一端电连接，灯丝电源的输出端与其对应的磁控管的灯丝电连接...
    2025-12-19
  • 一种样品载体夹具、电镜承载模组及样品载体安装工具
    一种样品载体夹具、电镜承载模组及样品载体安装工具_广州国家实验室_202410622599.6
    本申请提出一种样品载体夹具、电镜承载模组及样品载体安装工具，样品载体夹具包括第一限位件和第二限位件，第一限位件限定用于定位样品载体的限位区域，定义样品载体的观察方向为轴向，限位区域在轴向的两端开放，第二限位件与第一限位件卡合，第一限位件能够...
    2025-12-19
  • 改进的扫描偏转器
    改进的扫描偏转器_FEI公司_202510626768.8
    描述了带电粒子束系统，包括第一电子探测器、第二电子探测器以及位于第一电子探测器与第二电子探测器之间的第一扫描偏转器，其中第一扫描偏转器包括了包含截头圆锥形状的偏转器内表面。
    2025-12-19
  • 一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法
    一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法_昂成精密仪器(深圳)有限公司_202511157307.7
    本发明涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法。该栅网装置包括导电组件、屏栅、加速栅、减速栅和栅网安装板，屏栅、加速栅和减速栅依次层叠且相互间隔绝缘设置，并均通过栅网安装板安装于外部离子源外壳的开口端...
    2025-12-19
  • 一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法
    一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法_中国科学院西安光学精密机械研究所_202511051005.1
    本发明涉及高速成像领域，解决了现有分幅成像系统存在电磁辐射干扰、尖端放电，以及空间分辨率受限导致成像质量差的技术问题。公开了一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法。该系统包括微带阴极、微通道板、荧光屏、图像传感器、脉冲磁场发生器以及微带传输...
    2025-12-19
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