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  • 本发明公开一种谐振器及其制备方法,谐振器包括沿声波传播方向、口径方向及厚度方向依次构成的压电层和叉指换能器,其中,口径方向上具有声波引导区及位于两侧的总线区。在总线区中,压电层与叉指换能器之间设有介质层,用于调节总线区的横向传播特性,使其在...
  • 本发明公开了一种体声波谐振器。该体声波谐振器包括:衬底和设置在衬底一侧的第一电极层,第一电极层与衬底之间有空腔;压电层,压电层设置在第一电极层上远离衬底的一侧;第二电极层,第二电极层设置在压电层上远离第一电极层的一侧;在第一电极层和第二电极...
  • 本发明公开了一种体声波谐振器。该体声波谐振器包括层叠设置的第一电极、压电层和第二电极;体声波谐振器的电极还包括至少一组不规则边缘,每组不规则边缘包括相邻的第一边缘和第二边缘,第一边缘的延伸方向和第二边缘的延伸方向具有夹角,第一边缘和第二边缘...
  • 本发明公开了一种音叉型压电振动片及使用该压电振动片的振荡器,包括基部和从基部延伸出的两个振动臂部,每个振动臂部的第一主面设置有第一驱动槽,振动臂部的第二主面设置有第二驱动槽,振动臂部的第一主面或第二主面设置有小型槽,沿振动臂部的长度方向依次...
  • 本申请实施例涉及一种音叉型压电振动片及振荡器,用以提高Q值。该音叉型压电振动片包括:包括基部、从基部一端延伸出的两个振动臂部和一个中间岛部,其中:中间岛部位于两个振动臂部中间,且中间岛部的末端或中间设置有加宽部,加宽部的长度方向与中间岛部的...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种MEMS声波器件封装结构及其制备方法,该封装结构包括:MEMS发声芯片,芯片基底粘贴于基板上。本申请提供的MEMS声波器件的封装结构,通过将MEMS发声芯片基底粘贴装于基板上,并与布置在基板上的封装帽形...
  • 本申请公开了一种弹性波器件及通信装置,包括支撑衬底,支撑衬底的体波中纵波、水平剪切波和垂直剪切波沿第一方向的声速分别为纵波声速、水平剪切波声速和垂直剪切波声速;压电薄膜,位于支撑衬底上;电极层,位于压电薄膜上;弹性波器件的目标模式的声速为第...
  • 本发明公开一种体声波滤波器及其制备方法,所公开的体声波滤波器包括基底、用于反射声波的布拉格反射层、底电极、压电层和顶电极,其中:所述基底开设有凹槽,所述布拉格反射层层叠设置于所述基底,且覆盖所述凹槽的槽口,所述底电极层叠设置于所述布拉格反射...
  • 本发明提供一种滤波装置,包括压电层,压电层上设置有声表面波谐振器和电容,电容设置成一对叉指状电极且包括相对设置的第一电极臂和第二电极臂、连接至第一电极臂的第一电极指和连接至第二电极臂的第二电极指,于第一电极臂与第二电极臂之间第一电极指和第二...
  • 5G终端用叠层片式双工器等效电路及其双工器,本发明以LTCC低温共烧陶瓷技术为基础,采用集总参数模型设计实现新型5G终端用叠层片式双工器的特殊电性能要求,低频通过采用并联谐振在低频通带外引入传输零点,增强带外抑制,高频段通过引入跨接电容在通...
  • 本申请提供了一种快速获取宽带匹配电路的方法及存储介质,所述方法包括:接收用户输入的匹配电路指标,所述匹配电路指标包括响应类型、源端和负载端的阻抗参数、匹配网络阶数及频率范围;对随频率变化的阻抗进行归一化处理,得到归一化阻抗;通过多段传输线模...
  • 低插损高谐波抑制LTCC带通滤波器等效电路及其滤波器,本发明以LTCC(低温共烧陶瓷)技术为基础,采用四阶交叉耦合滤波器集总参数模型设计实现新型叠层片式带通滤波器的特殊电性能要求。本发明有效实现了LTCC多层带通滤波器的特性,且具有低损耗、...
  • 本申请公开了一种滤波器、滤波方法、电子设备及存储介质,该滤波器包括:主滤波单元,主滤波单元的一端与供电电源的输出端连接,主滤波单元的另一端与目标负载连接,主滤波单元用于抑制供电电源输出的开关纹波和开关基波;耦合滤波单元,通过磁场耦合的方式与...
  • 本发明公开了一种金刚石基压电薄膜基底及其制造方法、声表面波谐振器,涉及微电子器件制造技术领域,用于提高金刚石薄膜和压电薄膜之间的结合效果,降低包括金刚石基压电薄膜基底的声表面波谐振器的声波散射,利于提升声表面波谐振器的工作性能。所述金刚石基...
  • 本发明提供一种适用于自动化制造的滤波器及其制造方法,涉及滤波器技术领域。滤波器包括壳体,所述壳体内设有滤波元件、连接端子和端盖,还包括PCB板,所述滤波元件、PCB板、连接端子和端盖按照所述顺序呈竖向分布;所述PCB板的其中一面与滤波元件导...
  • 本发明涉及了模拟集成电路设计技术领域,具体涉及了一种单级全差分折叠式共源共栅运算放大器及其设计方法,以人工智能技术创新集成电路设计,用神经网络模型构建设计参数与8个关键性能指标(如增益等)的映射关系,结合粒子群优化(PSO)算法实现多目标优...
  • 本申请涉及集成电路技术领域,公开了一种提升共模电压范围的采样电路,包括:一级或更多级第一差分放大器,第一级第一差分放大器的正输入端和负输入端分别连接到采样电阻的第一端和第二端,第一级第一差分放大器的电源端通过第一电阻连接到采样电阻的第一端,...
  • 本发明涉及具有理想IQ组合的切换模式功率放大器。一种I转换器(502)基于接收的I数据输出I符号数据及I量值数据。一种Q转换器(504)基于接收的Q数据输出Q符号数据及Q量值数据。一种I时钟(404)基于所述I符号数据产生I相。一种Q时钟(...
  • 一种D类放大系统与D类放大电路。该D类放大系统包括第一数字模拟转换器、D类放大电路及第二数字模拟转换器,第一数字模拟转换器转换数字输入信号而产生模拟输入信号;D类放大电路根据模拟输入信号而以脉宽调制方式产生输出信号,第二数字模拟转换器用以根...
  • 一种高频功率放大器,具有顺序LMBA的结构且能够得到宽带特性。混合耦合器具有第1至第4端口。输入信号分配器将高频的第1输入信号分配为两个第2信号。峰值放大器包含两个第1放大器,将对一个第2信号进行分配而得到的两个高频信号各自放大,各自的输出...
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