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最新专利技术
  • 一种背接触电池
    一种背接触电池_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511173959.X
    本发明提供了一种背接触电池，包括多个背接触电池单元，每个背接触电池单元包括两个间隔排列的不同导电类型结构，第一导电类型结构沿该排列方向延伸形成第四导电类型结构，第二导电类型结构沿该排列方向延伸形成第五导电类型结构。在整个背接触电池中，在部分...
    2025-11-23
  • 一种背接触电池及其制备方法
    一种背接触电池及其制备方法_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511171562.7
    本发明提供了一种背接触电池，包括多个背接触电池单元，在每个背接触电池单元中，在两种不同导电类型结构之间间断形成至少一个漏电区域，也可在整个电池的细栅与主栅下方的不同导电类型结构之间形成至少一个漏电区域，该漏电区域包括多重漏电路径，提高了漏电...
    2025-11-23
  • 静电防护半导体器件
    静电防护半导体器件_杰华特微电子股份有限公司_202411777826.9
    本申请公开了一种静电防护半导体器件，包括：位于衬底上部的阱区；分别位于阱区上部的相对的第一端和第二端的漏极区和源极区，源极区接地，漏极区连接器件引脚；栅极层，位于阱区上方，与源极区相邻且电连接；场板层，位于阱区上方，场板层的第一端与漏极区相...
    2025-11-23
  • 静电放电保护装置
    静电放电保护装置_晶焱科技股份有限公司_202410931994.2
    本发明公开一种静电放电保护装置，其包括一箝位双极性接面晶体管和至少一个静电放电电路，静电放电电路耦接在第一电压轨和第二电压轨之间。静电放电电路包括一硅控整流器和一二极管。硅控整流器的阳极和阴极分别耦接一输入/输出(I/O)端口和第一电压轨。...
    2025-11-23
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202510954663.5
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的集成度，利于半导体器件的微缩。所述半导体器件包括：半导体基底、多个半导体结构和第一隔离结构。多个半导体结构设置于半导体基底上，且沿平行于半导体基底表面...
    2025-11-23
  • 单元结构、单元阵列、芯片结构及生成方法
    单元结构、单元阵列、芯片结构及生成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410599347.6
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种单元结构、单元阵列、芯片结构及生成方法，该单元结构包括单元边界、有源区和预设数量个栅极，所述有源区和预设数量个所述栅极位于所述单元边界内，各所述栅极沿第一方向延伸，各所述栅极分别与所述有源区相交；各所述...
    2025-11-23
  • 显示装置和电子装置
    显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202510624511.9
    本发明涉及显示装置和电子装置。显示装置包括基板、电路层以及元件层。电路层包括：发光像素驱动器，在彼此交叉的第一方向和第二方向上并排布置；以及第一信号传输线，将第一信号传输到发光像素驱动器当中的在第二方向上彼此邻接的第一发光像素驱动器和第二发...
    2025-11-23
  • 一种阵列基板和显示面板
    一种阵列基板和显示面板_武汉天马微电子有限公司上海分公司_202511114596.2
    本发明公开了一种阵列基板和显示面板。阵列基板包括衬底以及位于衬底一侧的电路功能层；电路功能层包括多个晶体管，多个晶体管包括驱动晶体管；驱动晶体管的沟道区包括至少两层有源层；沿第一方向，至少两层有源层层叠设置且依次连接；第一方向为衬底指向电路...
    2025-11-23
  • 一种LTPO显示面板及显示装置
    一种LTPO显示面板及显示装置_北京理工大学_202511046899.5
    本发明公开了一种LTPO显示面板及显示装置，包括：基板、缓冲层、第一低温多晶硅薄膜晶体管、第二低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管；第一低温多晶硅薄膜晶体管和第二低温多晶硅薄膜晶体管分别包括层叠设置的低温多晶硅层、第一栅极绝缘层和第一栅极...
    2025-11-23
  • 像素结构、像素结构制备的方法和装置
    像素结构、像素结构制备的方法和装置_京东方科技集团股份有限公司_202410595528.1
    本申请提供像素结构、像素结构制备的方法和装置，该像素结构包括：晶体管，该晶体管包括：第一金属层、第二金属层、控制线、数据线、绝缘层、第一保护层，其中，第一金属层和第二金属层之间设置有第一过孔和第二过孔，控制线从栅极驱动器延伸至第一金属层，并...
    2025-11-23
  • 射频开关电路及形成方法
    射频开关电路及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511065464.5
    本发明提供了一种射频开关电路及形成方法，包括：在顶层硅的表面形成多个MOS管栅极结构；在层间介质层的表面形成间隔的第一金属线和第二金属线，分别与源端、漏端电性连接；依次形成第一氮化层、第二层间介质层和第二氮化层，位于第一金属线和第二金属线之...
    2025-11-23
  • 一种半导体器件及其制造方法、半导体设备
    一种半导体器件及其制造方法、半导体设备_中国科学院微电子研究所_202510908274.9
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、半导体设备，涉及半导体技术领域，以利于减小第一晶体管和第二晶体管沿基底厚度上的间距，从而降低半导体器件的寄生电阻和寄生电容，利于提高半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：基底、第一晶体管和第二晶体...
    2025-11-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510144784.3
    一种半导体装置可以包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的第一器件；以及在第二区域上的第二器件。第一器件可以包括沟道结构，沟道结构包括绝缘隔离图案、在绝缘隔离图案的下表面下方堆叠并包括硅锗的第一半导体图案、以及在绝缘隔离图案的上表...
    2025-11-23
  • 包括栅极切割图案的三维半导体装置
    包括栅极切割图案的三维半导体装置_三星电子株式会社_202510102962.6
    提供一种三维半导体装置。该三维半导体装置可以包括：第一有源区域，其位于衬底上，第一有源区域包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源极/漏极图案；第二有源区域，其位于第一有源区域上，第二有源区域包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源极/漏极图案...
    2025-11-23
  • 包括场效应晶体管的半导体器件和制造该半导体器件的方法
    包括场效应晶体管的半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510100184.7
    一种半导体器件包括：衬底，包括有源图案；器件隔离层，设置在有源图案之间；堆叠图案，设置在衬底上；电力传输网络层，设置在衬底的第一表面上；第一通孔，穿透堆叠图案；以及第二通孔，设置在电力传输网络层和第一通孔之间，其中，第二通孔穿透有源图案和器...
    2025-11-23
  • 具有电流传播区的半导体装置和制造方法
    具有电流传播区的半导体装置和制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202510588350.2
    本公开涉及具有电流传播区的半导体装置和制造方法。一种半导体装置包括基础层(200)和晶体管层(100)。基础层(200)基于单晶碳化硅，并且包括第一导电型的电流传播区(230)和第二导电型的不可耗尽屏蔽结构(260)。晶体管层(100)基于...
    2025-11-23
  • 全氮化物集成功率模块及其制备方法和包含其的电器
    全氮化物集成功率模块及其制备方法和包含其的电器_湖北九峰山实验室_202511132690.0
    本发明提供了一种全氮化物集成功率模块及其制备方法和包含其的电器，具体涉及半导体技术领域。该全氮化物集成功率模块包括底部的衬底层及位于其上的若干个氮化镓器件；氮化镓器件从底部到顶部依次设置有器件层和电极层；衬底层的材质为AlN，器件层由AlG...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法、工作方法
    半导体器件及其制造方法、工作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511072693.X
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法、工作方法，半导体器件包括：衬底；多个深沟槽电容器单元，每个深沟槽电容器单元包含至少一个深沟槽、导电材料层和介电材料层，所述至少一个深沟槽形成于衬底中，导电材料层与介电材料层依次交替共形地形成在所述至少一...
    2025-11-23
  • 一种基于NiO键合的全GaN Cascode结构的单片集成器件及其制备方法
    一种基于NiO键合的全GaN Cascode结构的单片集成器件及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510914656.2
    本发明涉及一种基于NiO键合的全GaN Cascode结构的单片集成器件及其制备方法，由下至上包括衬底、缓冲层和AlGaN/GaN异质结；在所述AlGaN/GaN异质结的D‑mode GaN器件区域生长有NiO栅极，在所述AlGaN/GaN...
    2025-11-23
  • 制造半导体器件的方法和装置
    制造半导体器件的方法和装置_台湾积体电路制造股份有限公司_202511012393.2
    描述了制造半导体器件的方法、制造的半导体器件和用于制造半导体器件的装置，其中蚀刻工艺的副产物与半导体晶圆分开独立地加热。在实施例中，将介电材料沉积到半导体衬底上方的沟槽中，并且利用蚀刻工艺使介电材料凹进。蚀刻工艺包括加热半导体衬底以及单独地...
    2025-11-23
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