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最新专利技术
  • 电池用电极
    电池用电极_丰田自动车株式会社_202510372051.5
    本发明涉及电池用电极。电池用电极包含基材和负极活性物质层。负极活性物质层配置在基材的表面。负极活性物质层包含石墨和粘合剂。负极活性物质层具有25mg/cm2以上的单位面积质量和1.2～1.6g/cm3的密度。在与负极活性物质层的厚度方向平行...
    2025-11-27
  • 负电极、全固态电池、制备全固态电池的方法
    负电极、全固态电池、制备全固态电池的方法_现代自动车株式会社_202411481800.X
    本发明涉及负电极、全固态电池、制备全固态电池的方法，所述负电极包括集电体和活性材料层，所述集电体的拉伸强度范围为约1, 000MPa至2, 000MPa。所述集电体可以是含有约10重量％至60重量％的镍(Ni)且平均晶粒尺寸小于10nm的F...
    2025-11-27
  • 一种PDA-ZrO2包覆的锌阳极及其制备方法和电池
    一种PDA-ZrO2包覆的锌阳极及其制备方法和电池_中国石油大学(华东)_202511524576.2
    本发明提供了一种PDA‑ZrO2包覆的锌阳极及其制备方法和电池，属于电化学储能材料技术领域。所述锌阳极是在锌基底表面构建一层聚多巴胺‑二氧化锆复合保护层。该复合层先通过多巴胺在锌箔表面的自聚合形成聚多巴胺底层，再通过原位矿化法在聚多巴胺层上...
    2025-11-27
  • 一种纤维电极及其制备方法
    一种纤维电极及其制备方法_中南大学湘雅医院_202511234452.0
    本发明涉及锂离子电池用的碳基负极材料技术领域，具体公开一种碳基纤维电极及其制备方法，其通过离子注入法向石墨毡纤维材料表面掺入Ir，金属Ir在改善碳基电极电化学活性的同时，还可以作为后续ALD法制备碳纳米管的催化剂。研究表明，适量的金属Ir可...
    2025-11-27
  • 一种水系锌离子电池锌负极界面自保护方法及系统
    一种水系锌离子电池锌负极界面自保护方法及系统_陕西科技大学_202511229918.8
    本发明公开了一种水系锌离子电池锌负极界面自保护方法及系统，属于电化学储能技术领域。本发明公开的保护方法包括以下步骤：将锌负极浸入含柠檬酸的电解液中，进行电化学预循环处理，随后在锌负极表面形成连续覆盖的亲锌‑疏水界面层；所述连续覆盖的亲锌‑疏...
    2025-11-27
  • 一种石墨纸基锌负极及其制备方法和应用
    一种石墨纸基锌负极及其制备方法和应用_郑州大学_202511169954.X
    本发明涉及一种石墨纸基锌负极及其制备方法和应用，属于新型电池储能技术领域。该石墨纸基锌负极的制备方法包括以下步骤：以石墨纸作为阴极，锌箔作为阳极，锌盐水溶液作为电解液，通过施加恒定电流进行电沉积，使锌离子在石墨纸表面发生还原反应形成锌沉积层...
    2025-11-27
  • 轻量化3D复合集流体、其制备方法及应用
    轻量化3D复合集流体、其制备方法及应用_苏州第一元素纳米技术有限公司_202511159545.1
    一种轻量化3D复合集流体、其制备方法及应用，属于新能源电池技术领域。该轻量化3D复合集流体包括聚酰胺基脲类纤维丝网，在丝网的至少一侧表面设有CuM纳米合金层；沿丝网延伸方向，在CuM纳米合金层宽度方向上两侧边缘设有铜加固层；在CuM纳米合金...
    2025-11-27
  • 一种无机-有机复合保护层的水系锌离子电池负极及其制备方法和应用
    一种无机-有机复合保护层的水系锌离子电池负极及其制备方法和应用_东北大学秦皇岛分校_202511124594.1
    本发明公开一种无机‑有机复合保护层的水系锌离子电池负极及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池技术领域。该制备方法包括以下步骤：(1)制备Ce‑MOF粉体；(2)锌片涂覆Ce‑MOF基底，得到以Ce‑MOF为基底涂层的锌片；(3)以Ce‑MO...
    2025-11-27
  • 一种锌负极复合界面层及其制备方法和用途
    一种锌负极复合界面层及其制备方法和用途_中国科学院上海高等研究院_202511149797.6
    本发明提供一种锌负极复合界面层及其制备方法和用途，所述复合界面层包括有机盐和无机盐；所述有机盐为选自海藻酸盐和透明质酸盐中的任意一种或两种；所述无机盐为选自碳酸氢盐和碳酸盐中的任意一种或两种。本发明这种复合界面层具备高机械性能，在隔绝水分子...
    2025-11-27
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411173563.0
    实施方式提供能够降低噪声的半导体装置。实施方式的半导体装置包含：设置有第一电极及第二电极的第一开关元件、设置有第三电极及第四电极的第二开关元件、与第三电极连接的第一布线层、与第一电极连接的第二布线层及包含第一电介质层的第一电容器、基板、与第...
    2025-11-27
  • 半导体器件
    半导体器件_株式会社东芝_202411141792.4
    实施方式提供能够在减少振铃峰值的同时抑制部件空间的半导体器件。实施方式的半导体器件具备第一开关元件、第二开关元件以及电容器。第二开关元件与第一开关元件电连接。电容器具有第一端子、第二端子以及电容器部，该电容器部的一端电连接于第一端子，另一端...
    2025-11-27
  • 中介连接板、封装结构和电子设备
    中介连接板、封装结构和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511404441.2
    本公开涉及一种中介连接板、封装结构和电子设备。该中介连接板用于连接封装基板和芯片，中介连接板包括基体层、以及设于基体层上方的信号层和隔离层。中介连接板还包括屏蔽层，信号层和隔离层设于屏蔽层与基体层之间。该中介连接板在背离基体层的一侧设置了屏...
    2025-11-27
  • 针对具有暴露的管芯背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽
    针对具有暴露的管芯背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽_星科金朋私人有限公司_202511141395.1
    本发明涉及针对具有暴露的管芯背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽。一种半导体器件具有衬底和设置在衬底之上的半导体管芯。密封剂沉积在半导体管芯和衬底之上，其中半导体管芯的表面从密封剂中被暴露。在半导体管芯之上形成第一屏蔽层。在一些实施例中，第一屏蔽...
    2025-11-27
  • SPICE模型中局部失配偏移率的测试结构及方法
    SPICE模型中局部失配偏移率的测试结构及方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511510612.X
    本申请公开了一种SPICE模型中局部失配偏移率的测试结构及方法，测试结构包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管分别包括第一源端、第一漏端、栅端和衬底端四个测试端，其中，所述第一晶体管和第二晶体管还分别包括：第二源端和第二漏...
    2025-11-27
  • 测试元件组及其使用方法
    测试元件组及其使用方法_南亚科技股份有限公司_202411255174.2
    提供一种测试元件组位于晶圆的划道，包括第一探针焊垫、至少一第二探针焊垫、至少一第三探针焊垫、至少一上排接触区以及至少一下排接触区。当至少一上排接触区电性连接第一探针焊垫、至少一第二探针焊垫以及至少一第三探针焊垫，至少一下排接触区与第一探针焊...
    2025-11-27
  • 中介连接板、半导体器件及电子设备
    中介连接板、半导体器件及电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511404240.2
    本公开涉及一种中介连接板、半导体器件及电子设备，所述中介连接板包括基板层以及布线层，所述布线层形成于所述基板层，所述布线层包括多条信号线，至少部分所述信号线具有基础段和调整段，所述调整段的截面尺寸大于所述基础段的截面尺寸。通过上述技术方案，...
    2025-11-27
  • 半导体封装结构和半导体结构
    半导体封装结构和半导体结构_长沙瑶华半导体科技有限公司_202511067183.3
    本申请涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种半导体封装结构和半导体结构。该半导体封装结构，至少包括：依次堆叠的法兰层和陶瓷基板层；其中：所述法兰层和所述陶瓷基板层的接触界面形成第一金属化层；所述陶瓷基板层表面用于连接待封装芯片，所述待封装...
    2025-11-27
  • 应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构
    应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构_中国电子科技集团公司第五十四研究所_202511063369.1
    本发明属于射频前端技术领域，具体为应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构。该结构利用新颖的TGV技术，在层间cpwg下方嵌入空腔，同时插入高低阻抗线结构，以降低插入损耗，提高回波损耗。所述结构利用HFSS软件进行仿真和优化。仿真得到极优结...
    2025-11-27
  • 一种半导体模组、集成模块、控制器及车辆
    一种半导体模组、集成模块、控制器及车辆_比亚迪股份有限公司_202511006509.1
    本申请公开了一种半导体模组、集成模块、控制器和车辆，所述半导体模组包括至少两个半导体器件、控制信号输入部和控制信号输出部，所述半导体器件包括第一电极和第二电极；每个所述半导体器件的第一电极与所述控制信号输入部电连接，每个所述半导体器件的第二...
    2025-11-27
  • 一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法
    一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法_金兰功率半导体(无锡)有限公司_202511160525.6
    本发明提供一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法，平板型模块结构包括：IMS框架，IMS框架为顶部敞开的框体结构，IMS框架内形成有安装腔；芯片，芯片设置于安装腔内；铜排，铜排设置于安装腔内并与芯片层叠设置；功率端子，功率端子设置...
    2025-11-27
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