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最新专利技术
  • 轻量模块化、一体化母线式电能计量装置
    轻量模块化、一体化母线式电能计量装置_浙江康格电气有限公司_202511165154.0
    本发明公开了轻量模块化、一体化母线式电能计量装置，涉及到电能计量技术领域，包括固定模块和内置于固定模块内的一体化母线铜排模块，还包括与一体化母线铜排模块连接的安装模块和与安装模块插接的计量模块；本发明通过一体化母线铜排模块、安装模块和多个辅...
    2026-02-05
  • 一种变电站保护屏标尺化接线单元
    一种变电站保护屏标尺化接线单元_国网浙江省电力有限公司开化县供电公司_202410660562.2
    本发明公开了一种变电站保护屏标尺化接线单元，旨在解决现有技术中变电站保护屏上接线数量多，在接线的时候，需要反复的通过螺丝刀拧进、拧出，操作非常的麻烦；另外，由于接线数量多，也会造成接线容易出错的问题。本发明通过以下技术方案解决上述技术问题：...
    2026-02-05
  • 一种轻量化高压配电箱框架
    一种轻量化高压配电箱框架_广汽领程新能源商用车有限公司_202511482748.4
    本发明提供了一种轻量化高压配电箱框架，包括：主体框架、电池框和底部框，电池框拆卸安装于主体框架上表面，主体框架两侧分别连接有U型吊臂，两个U型吊臂表面分别设有第一连接孔和第二连接孔，第二连接孔贴合有连接板，连接板内螺纹连接有连接螺栓。通过蒙...
    2026-02-05
  • 火花塞
    火花塞_日本特殊陶业株式会社_202510673111.7
    提供一种火花塞，能够减少端头的龟裂的产生。火花塞具备：绝缘体，设置有沿着轴线延伸的轴孔；中心电极，配置于轴孔；主体配件，配置于绝缘体的外周；以及接地电极，与主体配件连接，中心电极及接地电极中的至少一方包括以Ru为主成分的端头，端头的气孔率为...
    2026-02-05
  • 火花塞
    火花塞_日本特殊陶业株式会社_202510409955.0
    本发明提供一种火花塞，能够减少端头的龟裂的产生。火花塞具备设有沿着轴线延伸的轴孔的绝缘体、配置于轴孔的中心电极、配置于绝缘体的外周的主体配件、与主体配件连接的接地电极，中心电极以及接地电极中的至少一方包括母材和与母材接合的端头。端头以Ru为...
    2026-02-05
  • 火花塞
    火花塞_日本特殊陶业株式会社_202510370752.5
    本发明提供一种火花塞，能够减少端头的消耗。火花塞具备设有沿着轴线延伸的轴孔的绝缘体、配置于轴孔的中心电极、配置于绝缘体的外周的主体配件、与主体配件连接的接地电极，中心电极以及接地电极中的至少一方包括以Ru为主成分的端头，端头包括在轴线方向上...
    2026-02-05
  • 气体放电管电极用电子粉及电极
    气体放电管电极用电子粉及电极_湖北汉光科技股份有限公司_202511182888.X
    本发明公开一种气体放电管电极用电子粉及电极，所述电子粉的原料按重量份计包括：20‑50份的碳酸盐、3‑10份的钛粉和1‑5份的稀土氧化物，以及SiO2粉，SiO2粉的重量占碳酸盐、钛粉和稀土氧化物总重量的5‑8%。本发明的电子粉中掺入了稀土...
    2026-02-05
  • 高功率窄线宽混合集成激光器
    高功率窄线宽混合集成激光器_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511558067.1
    本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种高功率窄线宽混合集成激光器，包括宽波导激光增益芯片和硅基外腔光子芯片，硅基外腔光子芯片包括尖端多段式边缘耦合器、总线波导、至少三个级联的微环谐振器和反馈组件；尖端多段式边缘耦合器包括尖端波导阵列和锥形...
    2026-02-05
  • 一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器
    一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器_安徽格恩半导体有限公司_202511575034.8
    本发明提出了一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和接触层，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层，所述衬底与第...
    2026-02-05
  • 半导体激光器及其制备方法
    半导体激光器及其制备方法_苏州镓锐芯光科技有限公司_202511011062.7
    本申请提出一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括：沿第一方向依次层叠设置的下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层；其中，自上波导层朝向有源层的一侧至背离有源层一侧的方向上，上波导层的带隙递增；自上限制层朝向电子阻...
    2026-02-05
  • 一种衍射型面发射半导体激光器
    一种衍射型面发射半导体激光器_苏州实验室_202511546437.X
    本发明涉及一种衍射型面发射半导体激光器，包括从上到下依次设置的上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到有源层时，有源层发射光，有源层的至少一侧设置有光学调制结构，光学调制结构包括强面内反馈区域和弱面内反馈区域，强面内反馈...
    2026-02-05
  • 一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器
    一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器_苏州实验室_202511546436.5
    本发明涉及一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器，包括上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到有源层时，有源层发射光，有源层的至少一侧设置有光学调制结构，光学调制结构位于上包层和/或下包层中；其中，光学调制结构为环形结构；...
    2026-02-05
  • 一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法
    一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法_南昌大学_202511554533.9
    本申请涉及一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法，结构包括异质结有源区、第一导电层、第二导电层、第一反射镜、第二反射镜、第一电极以及第二电极，其中第一导电层包括凸起的光波导限制结构，光波导限制结构向背离异质结有源区的一侧凸起，用于光场能量...
    2026-02-05
  • 一种面发射激光器及面发射激光器制备方法
    一种面发射激光器及面发射激光器制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511288276.9
    本发明公开了一种面发射激光器及面发射激光器制备方法，应用于激光器领域，该面发射激光器包括：信号区、放大区和面发射区；信号区、放大区和面发射区，均包括衬底，在衬底的表面生长制备的外延层，在外延层的表面和衬底的表面制备形成的后工艺层；面发射区内...
    2026-02-05
  • 垂直腔面发射激光器及其制备方法
    垂直腔面发射激光器及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511173682.0
    本发明提供了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中垂直腔面发射激光器的制备方法包括以下步骤：提供衬底，且在衬底上依次形成外延层以及第一介质层；形成贯穿第一介质层并与外延层接触的P极金属层；形成第二介质层于第一介质层上并延伸覆盖P极金属层；...
    2026-02-05
  • 一种DBR结构及其制备方法、光电器件
    一种DBR结构及其制备方法、光电器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511047939.8
    本发明公开一种DBR结构及其制备方法、光电器件，该DBR结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底；在衬底上依次生长多个DBR结构层；DBR结构层包括依次叠置生长的AlxInyN层、低温GaN保护层和高温GaN主层；其中，0＜x＜1，且x+y＝1...
    2026-02-05
  • 固态激光装置
    固态激光装置_台达电子国际(新加坡)私人有限公司_202410716931.5
    一种固态激光装置，包含增益电路单元；及硅光子电路单元，与增益电路单元连接，并包含：基板，具有输入端及输出端，输入端与增益电路单元连接；光波导通道，连续地设置于输入端及输出端之间，具有第一区段及第二区段，第一区段连接于输入端与第二区段之间；至...
    2026-02-05
  • 一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器
    一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器_长春理工大学_202511524646.4
    一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器。涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器技术领域。本发明采用1nm~2nm的薄势垒隔开不同的两个量子阱，得到隧穿耦合非对称量子阱结构，再通过电子跃迁，实现双波长输出。所...
    2026-02-05
  • 一种基于多孔氮化镓包覆层的GaN-DFB激光器及制备方法
    一种基于多孔氮化镓包覆层的GaN-DFB激光器及制备方法_南京邮电大学_202511173036.4
    本发明公开了一种基于多孔氮化镓包覆层的GaN‑DFB激光器及制备方法，属于半导体激光器领域，所述GaN‑DFB激光器从下至上依次包括衬底层、底层GaN层、GaN‑n层、多孔GaN层、下本征GaN层、量子阱有源层、上本征GaN层、AlGaN‑...
    2026-02-05
  • 一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器
    一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器_长春理工大学_202511524644.5
    一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器。涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器。本发明在光场扩展区刻蚀形成抛物线形波导结构并引入金属反射镜实现新型光场扩展与金属反射镜集成的结构，通过波导末端的扩展结构降低激光模...
    2026-02-05
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