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最新专利技术
  • 一种硅通孔及应力消除层的加工方法及电子设备
    一种硅通孔及应力消除层的加工方法及电子设备_粤芯半导体技术股份有限公司_202511555193.1
    本申请提供了一种硅通孔及应力消除层的加工方法及电子设备，背照式图像传感器包括键合在一起的像素晶圆和逻辑晶圆，像素晶圆内和逻辑晶圆内形成有金属互连结构；以双大马士革工艺在逻辑晶圆内、除硅通孔加工位置和金属互连结构所在区域之外的目标区域加工形成...
    2026-01-03
  • 金属网格的边框制备方法及半导体器件
    金属网格的边框制备方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511006377.2
    本发明提供了金属网格的边框制备方法及半导体器件；其中，在金属网格的边框制备方法中，在钨刻蚀工艺阶段中，利用第二工艺气体对金属钨层进行刻蚀，直至形成目标钨结构；同时将掩膜层刻蚀至目标形貌；不仅实现了钨侧壁较直的形貌，避免了钨顶部与掩膜层发生侧...
    2026-01-03
  • 基于各向异性光门控操控的红外偏振探测器及其制备工艺
    基于各向异性光门控操控的红外偏振探测器及其制备工艺_中国科学院上海技术物理研究所_202511555123.6
    本发明涉及偏振探测器技术领域，具体涉及基于各向异性光门控操控的红外偏振探测器及其制备工艺。为了解决“在保持偏振探测器结构简单的前提下，在宽波长范围内难以实现超高偏振分辨能力和高灵敏度兼顾”的技术问题。技术方案：超高消光比红外偏振探测器包括局...
    2026-01-03
  • 一种晶体管器件与日盲探测器
    一种晶体管器件与日盲探测器_中国科学院西安光学精密机械研究所_202511176658.2
    本申请提供了一种晶体管器件与日盲探测器，该晶体管器件包括衬底以及设置于衬底表面上的外延层，外延层由下至上包括依次层叠设置的缓冲层、数字合金层、P型功能层、钝化层；钝化层的上方设置有栅极电极，数字合金层远离缓冲层的表面上设置有源极电极和漏极电...
    2026-01-03
  • 二极管器件与单光子日盲探测器
    二极管器件与单光子日盲探测器_中国科学院西安光学精密机械研究所_202511176698.7
    本申请提供了一种二极管器件与单光子日盲探测器，该二极管器件包括衬底和设置于衬底表面上的外延层，外延层由下至上包括层叠设置的缓冲层和功能层；功能层包括交替层叠的多个氮化铝层和多个氮化镓层，功能层由下至上分成N型区、光子吸收区、P型区；N型区由...
    2026-01-03
  • 一种直立石墨烯光电探测器及其制备方法
    一种直立石墨烯光电探测器及其制备方法_宁波石墨烯创新中心有限公司_202511141806.7
    本发明提供了一种直立石墨烯光电探测器及其制备方法，包括封装壳体和直立石墨烯异质结，所述直立石墨烯异质结装设在所述封装壳体内，所述封装壳体内的压强不大于20Pa。
    2026-01-03
  • 超导纳米线阵列探测器、光信号探测电路和光通信设备
    超导纳米线阵列探测器、光信号探测电路和光通信设备_紫金山实验室_202511087039.6
    本申请涉及一种超导纳米线阵列探测器、光信号探测电路和光通信设备。所述超导纳米线阵列探测器包括：第一数量个并联的超导纳米线探测电路；超导纳米线探测电路包括超导纳米线和与超导纳米线串联的串联电阻；超导纳米线阵列探测器的第一端用于连接偏置电源和信...
    2026-01-03
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511517447.0
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏组件，至少可以提高电池片与焊带的连接可靠性，提升光伏组件的性能，并节省光伏组件的制备成本。光伏组件包括多个电池串，电池串包括多个沿第一方向排列的电池片和电连接相邻电池片的焊带，电池片上具有沿第二方向延伸的第一...
    2026-01-03
  • 太阳能电池片及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池片及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202511184322.0
    本申请涉及一种太阳能电池片及其制备方法、光伏组件，其中太阳能电池片包括电池基片、多条细栅、多条焊带，其中每一点胶连接线与至少两条细栅电连接，点胶连接线远离细栅的一侧设有点胶体，每一焊带通过至少两条点胶连接线的点胶体粘结于多条细栅上，且分别与...
    2026-01-03
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411098891.9
    本发明公开了一种光伏组件及其制备方法，该光伏组件包括第一光伏玻璃和第二光伏玻璃；框型防水胶层，防水胶层设于第一光伏玻璃与第二光伏玻璃之间；透光胶层，填充在第一光伏玻璃、第二光伏玻璃以及防水胶层围合形成的空间内；太阳电池，封装于透光胶层内；其...
    2026-01-03
  • 太阳电池片、太阳电池串以及光伏组件
    太阳电池片、太阳电池串以及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411068138.5
    本公开提供了一种太阳电池片、太阳电池串以及光伏组件。该太阳电池片包括电池基底、焊带和多个限位胶点，焊带设置于电池基底上，多个限位胶点附着于焊带以及电池基底。电池基底包括附着增强区及剩余区，附着增强区紧靠电池基底的至少一侧边缘设置，剩余区设置...
    2026-01-03
  • 一种二极管结构的TBC电池及其制备方法
    一种二极管结构的TBC电池及其制备方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511148365.3
    本发明公开了一种二极管结构的TBC电池及其制备方法，涉及TBC电池制备技术领域。该TBC电池包括硅基底，硅基底背面分为4个区域，沿X1到X2方向交替排布第120、130、140、150区域。沿Y1到Y2方向，150区域正上方140区域的第二...
    2026-01-03
  • 一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统
    一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统_天合光能(东台)光电有限公司_202511201697.3
    本申请实施例提供了一种太阳能电池及其制备方法和应用。太阳能电池包括：依次设置在复合层一侧表面的第一功能层、第二功能层以及第一电极层；所述第一功能层在与第二功能层相连接的表面设置有凹槽，所述凹槽的设置与第一电极层的区域相对应；所述第一功能层的...
    2026-01-03
  • 一种扇形沟道TBC电池的背面结构及其制备方法
    一种扇形沟道TBC电池的背面结构及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511208353.5
    本发明提供了一种扇形沟道TBC电池的背面结构及其制备方法，背面结构包括硅基底，所述硅基底的背面间隔设置有P区和N区，所述P区和N区之间设有PN交接隔断区，所述PN交接隔断区为扇形沟道，所述扇形沟道上设有绒面结构。所述扇形沟道的宽度为20‑8...
    2026-01-03
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511149499.7
    本申请涉及光伏技术领域，公开了一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括：硅衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述硅衬底具有若干间隔排布的第一凹槽，所述第一凹槽的底面为所述硅衬底的第三表面，所述第一凹槽的侧壁从所述第一表面延伸至所述第...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511556254.6
    一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底中的有源区，有源区包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区，漏区中形成有第一掺杂类型的重掺杂阱区；嵌入重掺杂阱区中的多个介质层，重掺杂阱区与介质层构成第一电阻层，静电释放电...
    2026-01-03
  • 具有过电压保护的集成功率器件
    具有过电压保护的集成功率器件_意法半导体国际公司_202510683623.1
    本公开的各实施例涉及具有过电压保护的集成功率器件。一种集成功率器件包括：包括异质结构的管芯，该管芯具有至少部分形成在异质结构中并具有主源极端子、主漏极端子和主栅极端子的主高电子迁移率晶体管(HEMT)。耦接在主HEMT的主源极端子与主栅极端...
    2026-01-03
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510202536.X
    本发明的目的在于获得能够提高保护二极管的ESD耐量的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；温度感测二极管，其设置于所述半导体基板之上；以及保护二极管，其设置于所述半导体基板之上，并与所述温度感测二极管反向并联连接，所述温度感测二极...
    2026-01-03
  • 计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质
    计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质_上海华力集成电路制造有限公司_202511173764.5
    本发明提供了一种计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质，属于半导体领域。该计算版图中晶体管沟道总宽度的方法包括提供一原始设计版图，从所述原始设计版图中筛选出ESD晶体管。确定所述ESD晶体管的漏极区域；获取栅极与所述漏极...
    2026-01-03
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510628619.5
    半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，在第一方向上彼此间隔开；第一栅极结构，在所述第一有源图案上沿第二方向延伸；第二栅极结构，在所述第二有源图案上沿所述第二方向延伸；第一杂质区域，位于所述第一有源图案的与所述第一栅极结构的第一侧相邻的...
    2026-01-03
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